| 講演名 | 2015-10-29 ［招待講演］フラッシュメモリとCMOSロジックの近接混載技術による低消費電力・高速FPGA 財津 光一郎(東芝), 辰村 光介(東芝), 松本 麻里(東芝), 小田 聖翔(東芝), 安田 心一(東芝), |
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| 抄録(和) | 従来のFPGAではメモリとしてSRAMが用いられてきたが，これを不揮発メモリであるフラッシュメモリで置き換えることにより，低消費電力性に優れ，なおかつ高速なFPGAを実現することができる．本稿では，その鍵となる技術として，フラッシュメモリとCMOSトランジスタとを近接した位置に混載する製造技術と，低耐圧なCMOSトランジスタの特性を劣化させないフラッシュメモリの書き込み技術を紹介し，実際に作製したプログラマブルスイッチについて報告する．この技術を用いることで，高性能なCMOSトランジスタとフラッシュメモリとが細粒度に混載された，新しいタイプの不揮発FPGAが実現できる．この不揮発FPGAは，従来のFPGAに対してコンフィグレーションメモリの面積を半分に削減でき，また従来の高速製品と同等の動作速度を有する．さらに部分的な電源遮断技術(パワーゲーティング)を用いた大規模な消費電力削減が可能であるという特長がある． |
| 抄録(英) | Novel nonvolatile programmable switch for low-power and high-speed FPGA where flash memory is adjacently integrated to CMOS logic is demonstrated. The flash memory and high-speed switching transistor are fabricated close to each other without deteriorating their respective performance. Furthermore, programming schemes to write and erase the flash memory are optimized so that the memory is successfully programmed without any damage to the switching transistors. Flash-based configuration memory in the nonvolatile programmable switch has only half the area of the conventional SRAM-based one, and it can be placed in each block in FPGA, enabling efficient power gating that offers low-power FPGA operation. |
| キーワード(和) | FPGA / MONOSフラッシュメモリ / SONOSフラッシュメモリ / 低消費電力 / 不揮発メモリ |
| キーワード(英) | FPGA / MONOS flash memory / SONOS flash memory / Low power / Nonvolatile memory |
| 資料番号 | SDM2015-75 |
| 発行日 | 2015-10-22 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2015/10/29(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東北大学未来研 |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 委員長氏名（和） | 大野 裕三(筑波大) |
| 委員長氏名（英） | Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba) |
| 副委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 副委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事補佐氏名（英） | Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］フラッシュメモリとCMOSロジックの近接混載技術による低消費電力・高速FPGA |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Low-power and high-speed FPGA by adjacent integration of flash memory and CMOS logic |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | FPGA / FPGA |
| キーワード(2)（和/英） | MONOSフラッシュメモリ / MONOS flash memory |
| キーワード(3)（和/英） | SONOSフラッシュメモリ / SONOS flash memory |
| キーワード(4)（和/英） | 低消費電力 / Low power |
| キーワード(5)（和/英） | 不揮発メモリ / Nonvolatile memory |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 財津 光一郎 / Koichiro Zaitsu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corporatiobn(略称：Toshiba) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 辰村 光介 / Kosuke Tatsumura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corporatiobn(略称：Toshiba) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松本 麻里 / Mari Matsumoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corporatiobn(略称：Toshiba) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小田 聖翔 / Masato Oda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corporatiobn(略称：Toshiba) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 安田 心一 / Shinichi Yasuda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝(略称：東芝) Toshiba Corporatiobn(略称：Toshiba) |
| 発表年月日 | 2015-10-29 |
| 資料番号 | SDM2015-75 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | SDM-280 |
| ページ範囲 | pp.23-28(SDM), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-10-22 (SDM) |