| 講演名 | 2015-08-25 ［招待講演］低電力混載ReRAM技術 植木 誠(ルネサス エレクトロニクス), 田辺 昭(ルネサス エレクトロニクス), 砂村 潤(ルネサス エレクトロニクス), 成廣 充(ルネサス エレクトロニクス), 上嶋 和也(ルネサス エレクトロニクス), 増﨑 幸治(ルネサス エレクトロニクス), 古武 直也(ルネサス エレクトロニクス), 満生 彰(ルネサス エレクトロニクス), 武田 晃一(ルネサス エレクトロニクス), 長谷 卓(ルネサス エレクトロニクス), 林 喜宏(ルネサス エレクトロニクス), |
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| 抄録(和) | 低電力MCU向けの不揮発メモリーとしてスケーラブルなReRAM素子（活性領域は0.009um2）から成る 2MbのReRAMマクロを90nm CMOSプラットフォーム上で実現した．パルス変調OFF書込みによるOFF抵抗の安定化，及びOFF状態のノイズ(RTN等)を考慮したガードバンド設定の導入により，OFFワースト値を保証する手法を提案した．ON状態の保持特性に対してはRu電極界面制御の重要性を示し，1E3回書換え，85℃10年保持信頼性を実証した．従来Flashと比較して，書換えエネルギーが1/7～1/10となることを示した． |
| 抄録(英) | A low-power 2Mb ReRAM macro was developed in 90 nm CMOS platform, demonstrating lower power data-writing (x1/7-x1/10) and faster data-reading (x2-3) as compared to a conventional flash. The memory window at -6sigma for 10 years was confirmed with a high-speed 1-bit ECC considering operating temperature ranging from -40 to 85 degree C. A pulse-modulated Off-state verify and an interface-control of Ru electrode are effective for suppressing random fluctuation of Roff readout and for sustaining the On-state retention, respectively. |
| キーワード(和) | ReRAM / 混載ReRAM / 抵抗変化メモリー / 低電力 / ノイズ / RTN |
| キーワード(英) | ReRAM / embedded ReRAM / low-power / noise / Random telegraph noise (RTN) |
| 資料番号 | SDM2015-65,ICD2015-34 |
| 発行日 | 2015-08-17 (SDM, ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / ICD |
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| 開催期間 | 2015/8/24(から2日開催) |
| 開催地（和） | 熊本市 |
| 開催地（英） | Kumamoto City |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 委員長氏名（和） | 大野 裕三(筑波大) / 藤島 実(広島大) |
| 委員長氏名（英） | Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba) / Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) |
| 副委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Hideto Hidaka(Renesas) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 吉田 毅(広島大) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 高宮 真(東大) / 岩崎 裕江(NTT) / 橋本 隆(パナソニック) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Hiroe Iwasaki(NTT) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］低電力混載ReRAM技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Low-Power Embedded ReRAM Technology for IoT Applications |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ReRAM / ReRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 混載ReRAM / embedded ReRAM |
| キーワード(3)（和/英） | 抵抗変化メモリー / low-power |
| キーワード(4)（和/英） | 低電力 / noise |
| キーワード(5)（和/英） | ノイズ / Random telegraph noise (RTN) |
| キーワード(6)（和/英） | RTN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 植木 誠 / Makoto Ueki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics(略称：Renesas Electronics) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田辺 昭 / Akira Tanabe |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics(略称：Renesas Electronics) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 砂村 潤 / Hiroshi Sunamura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics(略称：Renesas Electronics) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 成廣 充 / Mitsuru Narihiro |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics(略称：Renesas Electronics) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 上嶋 和也 / Kazuya Uejima |
| 第 5 著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics(略称：Renesas Electronics) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 増﨑 幸治 / Koji Masuzaki |
| 第 6 著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics(略称：Renesas Electronics) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 古武 直也 / Naoya Furutake |
| 第 7 著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics(略称：Renesas Electronics) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 満生 彰 / Akira Mitsuiki |
| 第 8 著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics(略称：Renesas Electronics) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 武田 晃一 / Koichi Takeda |
| 第 9 著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics(略称：Renesas Electronics) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 長谷 卓 / Takashi Hase |
| 第 10 著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics(略称：Renesas Electronics) |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 林 喜宏 / Yoshihiro Hayashi |
| 第 11 著者 所属（和/英） | ルネサス エレクトロニクス株式会社(略称：ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics(略称：Renesas Electronics) |
| 発表年月日 | 2015-08-25 |
| 資料番号 | SDM2015-65,ICD2015-34 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | SDM-190,ICD-191 |
| ページ範囲 | pp.41-46(SDM), pp.41-46(ICD), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-08-17 (SDM, ICD) |