| 講演名 | 2015-08-27 ゲート絶縁膜中フッ素による高信頼性a-InGaZnO TFTの実現 山﨑 はるか(奈良先端大), 石河 泰明(奈良先端大), 藤井 茉美(奈良先端大), ジョアン パウロ ベルムンド(奈良先端大), 高橋 英治(日新電機), 安東 靖典(日新電機), 浦岡 行治(奈良先端大), |
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| 抄録(和) | 近年、透明アモルファス酸化物半導体であるa-InGaZnO (a-IGZO)を用いた薄膜トランジスタ(TFT)は、次世代のディスプレイ用駆動素子として位置づけられ注目されている。しかし実動作環境下においてa-IGZO TFTの電気特性の劣化という信頼性についての問題が盛んに議論されている。我々は、絶縁膜材料にフッ素を含有させることで正方向電圧ストレス条件下における信頼性を改善することに成功した。本発表では絶縁膜と半導体層の界面に着目し結合状態の解析を行うことでフッ素の挙動の検証と、信頼性改善のメカニズムを明らかにすることを目的とする。 |
| 抄録(英) | Considerable attention has been paid to amorphous indium-gallium-zinc oxide (a-IGZO) thin-film transistors (TFTs) as peripheral circuits for displays. However, achieving highly reliable a-IGZO TFTs continues to be a serious challenge. We propose a-IGZO TFTs with a fluorinated silicon nitride (SiNx:F) gate insulator (GI) which showed good reliability against positive bias temperature stress (PBTS) compared with those with thermally oxidized SiO2 GIs. From the result of X-ray photoelectron spectroscopy analysis, the fluorine in SiNx:F formed a bonding state with indium at the interface between SiNx:F and a-IGZO. Here we report a reliability-improvement mechanism using SiNx:F GIs. |
| キーワード(和) | 薄膜トランジスタ / a-IGZO / ゲート絶縁膜 / 信頼性 / フッ素 |
| キーワード(英) | thin-film transistor / a-IGZO / gate insulator / reliability / fluorine |
| 資料番号 | R2015-24,EMD2015-32,CPM2015-48,OPE2015-63,LQE2015-32 |
| 発行日 | 2015-08-20 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM / OPE / LQE / R / EMD |
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| 開催期間 | 2015/8/27(から2日開催) |
| 開催地（和） | 青森県観光物産館アスパム |
| 開催地（英） | Aomori-Bussankan-Asupamu |
| テーマ（和） | 光部品・電子デバイス実装技術・信頼性、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 野毛 悟(沼津高専) / 植之原 裕行(東工大) / 小路 元(住友電工) / 馬渡 宏泰(NTT) / 関川 純哉(静岡大) |
| 委員長氏名（英） | Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) / Hiroyuki Uenohara(Tokyo Inst. of Tech.) / Hajime Shoji(Sumitomo Electric Industries) / Hiroyasu Mawatari(NTT) / Junya Sekikawa(Shizuoka Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 廣瀬 文彦(山形大) / 小川 憲介(フジクラ) / 野田 進(京大) / 弓削 哲史(防衛大) / 阿部 宜輝(NTT) |
| 副委員長氏名（英） | Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Kensuke Ogawa(Fujikura) / Susumu Noda(Kyoto Univ.) / Tetsushi Yuge(National Defense Academy) / Yoshiteru Abe(NTT) |
| 幹事氏名（和） | 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) / 中川 剛二(富士通研) / 鈴木 賢哉(NTT) / 梅沢 俊匡(NICT) / 藤原 直樹(NTT) / 安里 彰(富士通) / 岡村 寛之(広島大) / 澤田 滋(住友電装) / 鈴木 健司(富士電機機器制御) |
| 幹事氏名（英） | Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Goji Nakagawa(Fujitsu Labs.) / Kenya Suzuki(NTT) / Toshimasa Umezawa(NICT) / Naoki Fujiwara(NTT) / Akira Asato(Fujitsu) / Hiroyuki Okamura(Hiroshima Univ.) / Shigeru Sawada(Sumitomo Denso) / Kenji Suzuki(Fujielectric) |
| 幹事補佐氏名（和） | 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 石榑 崇明(慶大) / 柳生 栄治(三菱電機) / / マラット ザニケエフ(九工大) / 田村 信幸(法政大) / 和田 真一(TMCシステム) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Takaaki Ishigure(Keio Univ.) / Eiji Yagyu(Mitsubishi Electric) / / Maratt Zanikef(Kyushu Inst. of Tech.) / Nobuyuki Tamura(Hosei Univ.) / Shinichi Wada(TMC system) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Optoelectronics / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Reliability / Technical Committee on Electromechanical Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ゲート絶縁膜中フッ素による高信頼性a-InGaZnO TFTの実現 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Highly reliable a-InGaZnO thin-film transistors with fluorine in a gate insulator |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 薄膜トランジスタ / thin-film transistor |
| キーワード(2)（和/英） | a-IGZO / a-IGZO |
| キーワード(3)（和/英） | ゲート絶縁膜 / gate insulator |
| キーワード(4)（和/英） | 信頼性 / reliability |
| キーワード(5)（和/英） | フッ素 / fluorine |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山﨑 はるか / Haruka Yamazaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学(略称：奈良先端大) Nara institute of science and technology(略称：NAIST) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石河 泰明 / Yasuaki Ishikawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学(略称：奈良先端大) Nara institute of science and technology(略称：NAIST) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤井 茉美 / Mami Fujii |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学(略称：奈良先端大) Nara institute of science and technology(略称：NAIST) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | ジョアン パウロ ベルムンド / Juan Paolo Bermundo |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学(略称：奈良先端大) Nara institute of science and technology(略称：NAIST) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高橋 英治 / Eiji Takahashi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日新電機株式会社(略称：日新電機) Nissin Electric Co.,Ltd(略称：Nissin Electric) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 安東 靖典 / Yasunori Andoh |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日新電機株式会社(略称：日新電機) Nissin Electric Co.,Ltd(略称：Nissin Electric) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学(略称：奈良先端大) Nara institute of science and technology(略称：NAIST) |
| 発表年月日 | 2015-08-27 |
| 資料番号 | R2015-24,EMD2015-32,CPM2015-48,OPE2015-63,LQE2015-32 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | R-194,EMD-195,CPM-196,OPE-197,LQE-198 |
| ページ範囲 | pp.9-11(R), pp.9-11(EMD), pp.9-11(CPM), pp.9-11(OPE), pp.9-11(LQE), |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2015-08-20 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |