| 講演名 | 2015-08-27 イオン液体をゲート絶縁膜として用いた高信頼性IGZO-TFTの開発 岡田 広美(奈良先端大), 藤井 茉美(奈良先端大), 石河 泰明(奈良先端大), 三輪 一元(電中研), 浦岡 行治(奈良先端大), 小野 新平(電中研), |
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| 抄録(和) | 非晶質InGaZnO(a-IGZO)薄膜トランジスタ(TFT)は，優れた電気特性，低温作製可能，ワイドバンドギャップといったフレキシブルディスプレイ応用に適した特徴を持つ．しかし，高性能・高信頼性のTFT作製のためには高温プロセスが必要とされていた．本研究では，a-IGZO-TFTのゲート絶縁膜として，低温で作製できるイオン液体を用いて，高密度キャリア蓄積を利用したa-IGZO-TFTを作製した．作製したTFTは低電圧駆動，低S値 といった優れた特性を示し，さらに，長時間の電圧ストレスに対しても安定であったが，従来の信頼性劣化モデルでは説明できないような信頼性劣化機構が働いていた． |
| 抄録(英) | Amorphous-InGaZnO(a-IGZO) thin-film transistors (TFTs) have good characteristics such as low leakage current, high field-effect mobility (μFE) in spite of low-temperature fabrication process. These characteristics are suitable for application of flexible display. To achieve high performance and good reliability, conventional TFTs needs high temperature process. In this study, we demonstrate IGZO-TFTs with Ionic liquid dielectric with low temperature process, high carrier accumulation and low operation voltage. The TFTs show significantly low operation voltage, S.S value, and moreover they are stable for long-term voltage stress. This device shows original degradation mechanism other than conventional deterioration. |
| キーワード(和) | フレキシブルディスプレイ / a-InGaZnO(a-IGZO) / 薄膜トランジスタ(TFT) / ゲート絶縁膜 / イオン液体 / イオンゲル |
| キーワード(英) | Flexible display / a-InGaZnO(a-IGZO) / Thin film transistors(TFTs) / Gate dielectric / Ionic liquid / Ion gel |
| 資料番号 | R2015-23,EMD2015-31,CPM2015-47,OPE2015-62,LQE2015-31 |
| 発行日 | 2015-08-20 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM / OPE / LQE / R / EMD |
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| 開催期間 | 2015/8/27(から2日開催) |
| 開催地（和） | 青森県観光物産館アスパム |
| 開催地（英） | Aomori-Bussankan-Asupamu |
| テーマ（和） | 光部品・電子デバイス実装技術・信頼性、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 野毛 悟(沼津高専) / 植之原 裕行(東工大) / 小路 元(住友電工) / 馬渡 宏泰(NTT) / 関川 純哉(静岡大) |
| 委員長氏名（英） | Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) / Hiroyuki Uenohara(Tokyo Inst. of Tech.) / Hajime Shoji(Sumitomo Electric Industries) / Hiroyasu Mawatari(NTT) / Junya Sekikawa(Shizuoka Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 廣瀬 文彦(山形大) / 小川 憲介(フジクラ) / 野田 進(京大) / 弓削 哲史(防衛大) / 阿部 宜輝(NTT) |
| 副委員長氏名（英） | Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Kensuke Ogawa(Fujikura) / Susumu Noda(Kyoto Univ.) / Tetsushi Yuge(National Defense Academy) / Yoshiteru Abe(NTT) |
| 幹事氏名（和） | 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) / 中川 剛二(富士通研) / 鈴木 賢哉(NTT) / 梅沢 俊匡(NICT) / 藤原 直樹(NTT) / 安里 彰(富士通) / 岡村 寛之(広島大) / 澤田 滋(住友電装) / 鈴木 健司(富士電機機器制御) |
| 幹事氏名（英） | Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Goji Nakagawa(Fujitsu Labs.) / Kenya Suzuki(NTT) / Toshimasa Umezawa(NICT) / Naoki Fujiwara(NTT) / Akira Asato(Fujitsu) / Hiroyuki Okamura(Hiroshima Univ.) / Shigeru Sawada(Sumitomo Denso) / Kenji Suzuki(Fujielectric) |
| 幹事補佐氏名（和） | 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 石榑 崇明(慶大) / 柳生 栄治(三菱電機) / / マラット ザニケエフ(九工大) / 田村 信幸(法政大) / 和田 真一(TMCシステム) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Takaaki Ishigure(Keio Univ.) / Eiji Yagyu(Mitsubishi Electric) / / Maratt Zanikef(Kyushu Inst. of Tech.) / Nobuyuki Tamura(Hosei Univ.) / Shinichi Wada(TMC system) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Optoelectronics / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Reliability / Technical Committee on Electromechanical Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | イオン液体をゲート絶縁膜として用いた高信頼性IGZO-TFTの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Elecrically Stable IGZO Thin Film Transistors using Ionic-Liquid Gate Dielectric |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フレキシブルディスプレイ / Flexible display |
| キーワード(2)（和/英） | a-InGaZnO(a-IGZO) / a-InGaZnO(a-IGZO) |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜トランジスタ(TFT) / Thin film transistors(TFTs) |
| キーワード(4)（和/英） | ゲート絶縁膜 / Gate dielectric |
| キーワード(5)（和/英） | イオン液体 / Ionic liquid |
| キーワード(6)（和/英） | イオンゲル / Ion gel |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岡田 広美 / Hiromi Okada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学(略称：奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology(略称：NAIST) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 藤井 茉美 / Mami Fujii |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学(略称：奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology(略称：NAIST) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 石河 泰明 / Yasuaki Ishikawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学(略称：奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology(略称：NAIST) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 三輪 一元 / Kazumoto Miwa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 一般財団法人電力中央研究所(略称：電中研) Central Research Institute of Electric Power Industry(略称：CRIEPI) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学(略称：奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology(略称：NAIST) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 小野 新平 / Shimpei Ono |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 一般財団法人電力中央研究所(略称：電中研) Central Research Institute of Electric Power Industry(略称：CRIEPI) |
| 発表年月日 | 2015-08-27 |
| 資料番号 | R2015-23,EMD2015-31,CPM2015-47,OPE2015-62,LQE2015-31 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | R-194,EMD-195,CPM-196,OPE-197,LQE-198 |
| ページ範囲 | pp.5-8(R), pp.5-8(EMD), pp.5-8(CPM), pp.5-8(OPE), pp.5-8(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-08-20 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |