講演名 2015-08-25
[招待講演]45.5% Energy Reduction by applying DVFS and Multi-Level-Shift Architecture for Low-Power SoCs
田辺 聡(富士通研), 村松 篤(富士通研), 川崎 健一(富士通研), 毛利 真寿(富士通研), 石原 輝雄(富士通研),
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抄録(和)
抄録(英)
キーワード(和)
キーワード(英)
資料番号 SDM2015-69,ICD2015-38
発行日 2015-08-17 (SDM, ICD)

研究会情報
研究会 SDM / ICD
開催期間 2015/8/24(から2日開催)
開催地(和) 熊本市
開催地(英) Kumamoto City
テーマ(和) 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用
テーマ(英) Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications
委員長氏名(和) 大野 裕三(筑波大) / 藤島 実(広島大)
委員長氏名(英) Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba) / Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.)
副委員長氏名(和) 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス)
副委員長氏名(英) Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Hideto Hidaka(Renesas)
幹事氏名(和) 黒田 理人(東北大) / 吉田 毅(広島大)
幹事氏名(英) Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.)
幹事補佐氏名(和) 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 高宮 真(東大) / 岩崎 裕江(NTT) / 橋本 隆(パナソニック) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大)
幹事補佐氏名(英) Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Hiroe Iwasaki(NTT) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices
本文の言語 JPN
タイトル(和) [招待講演]45.5% Energy Reduction by applying DVFS and Multi-Level-Shift Architecture for Low-Power SoCs
サブタイトル(和)
タイトル(英) [Invited Talk] 45.5% Energy Reduction by applying DVFS and Multi-Level-Shift Architecture for Low-Power SoCs
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英)
第 1 著者 氏名(和/英) 田辺 聡 / Satoshi Tanabe
第 1 著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所(略称:富士通研)
Fujitsu Laboratories LTD.(略称:Flab)
第 2 著者 氏名(和/英) 村松 篤 / Atsushi Muramatsu
第 2 著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所(略称:富士通研)
Fujitsu Laboratories LTD.(略称:Flab)
第 3 著者 氏名(和/英) 川崎 健一 / Ken-ichi Kawasaki
第 3 著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所(略称:富士通研)
Fujitsu Laboratories LTD.(略称:Flab)
第 4 著者 氏名(和/英) 毛利 真寿 / Makoto Mouri
第 4 著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所(略称:富士通研)
Fujitsu Laboratories LTD.(略称:Flab)
第 5 著者 氏名(和/英) 石原 輝雄 / Teruo Ishihara
第 5 著者 所属(和/英) 株式会社富士通研究所(略称:富士通研)
Fujitsu Laboratories LTD.(略称:Flab)
発表年月日 2015-08-25
資料番号 SDM2015-69,ICD2015-38
巻番号(vol) vol.115
号番号(no) SDM-190,ICD-191
ページ範囲 pp.63-68(SDM), pp.63-68(ICD),
ページ数 6
発行日 2015-08-17 (SDM, ICD)