| 講演名 | 2015-08-28 1.1μm帯広帯域量子ドットリッジ導波路型LDの開発 吉沢 勝美(パイオニアマイクロテクノロジー), 沢渡 義規(パイオニアマイクロテクノロジー), 赤羽 浩一(NICT), 山本 直克(NICT), |
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| 抄録(和) | 光情報通信応用を目的とした新波長帯としてT-Band(1000-1260nm)とO-Band(1260-1360nm)に注目し，この帯域で動作する光ゲインデバイスの研究開発を推進している．分子線エピタキシー装置を用い，n型GaAs基板上にクラッド層としてAlGaAs層，活性層構造としてGaAs/InAs QDsを12層積層形成した．反応性イオンエッチングによるリッジ構造を形成し，BCB平坦化プロセスによるリッジ導波路型LDを作製した．作製したLDにおいて，1.1μm帯において，劈開面を共振器ミラーとした単一共振器では，帯域幅60nmの広帯域性を示した．また，端面をARコート後のASE特性より，外部共振器での帯域としては，90nm以上が期待できる特性であった。今新波長帯1．1μm帯で動作する高機能ゲインデバイスの開発に成功した． |
| 抄録(英) | To develop a new optical frequency resource for the optical communications, we focused on T-Band (1000-1260nm) and the O-Band (1260-1360nm). We are promoting the research and development of optical gain devices operating in this band. The AlGaAs cladding layers and the active layer consisting of 12 layers of InAs QDs were grown by molecular beam epitaxy. A ridge waveguide structure was formed by reactive ion etching and BCB planarization process. In 1.1μm band, fabricated LD showed the wide bandwidth of 60nm with the structure of the cleaved facet mirrors. In addition, after AR coat on the cleavage plane, ASE showed wider bandwidth that can be expected about 90nm lasing bandwidth in the external cavity. We successfully developed a high-performance gain device that operates at the new 1.1μm band. |
| キーワード(和) | InAs量子ドット / 量子ドットレーザー / ゲインデバイス |
| キーワード(英) | InAs Quantum Dot / Quantum Dot Laser / Gain Device |
| 資料番号 | R2015-46,EMD2015-54,CPM2015-70,OPE2015-85,LQE2015-54 |
| 発行日 | 2015-08-20 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM / OPE / LQE / R / EMD |
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| 開催期間 | 2015/8/27(から2日開催) |
| 開催地（和） | 青森県観光物産館アスパム |
| 開催地（英） | Aomori-Bussankan-Asupamu |
| テーマ（和） | 光部品・電子デバイス実装技術・信頼性、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 野毛 悟(沼津高専) / 植之原 裕行(東工大) / 小路 元(住友電工) / 馬渡 宏泰(NTT) / 関川 純哉(静岡大) |
| 委員長氏名（英） | Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) / Hiroyuki Uenohara(Tokyo Inst. of Tech.) / Hajime Shoji(Sumitomo Electric Industries) / Hiroyasu Mawatari(NTT) / Junya Sekikawa(Shizuoka Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 廣瀬 文彦(山形大) / 小川 憲介(フジクラ) / 野田 進(京大) / 弓削 哲史(防衛大) / 阿部 宜輝(NTT) |
| 副委員長氏名（英） | Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Kensuke Ogawa(Fujikura) / Susumu Noda(Kyoto Univ.) / Tetsushi Yuge(National Defense Academy) / Yoshiteru Abe(NTT) |
| 幹事氏名（和） | 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) / 中川 剛二(富士通研) / 鈴木 賢哉(NTT) / 梅沢 俊匡(NICT) / 藤原 直樹(NTT) / 安里 彰(富士通) / 岡村 寛之(広島大) / 澤田 滋(住友電装) / 鈴木 健司(富士電機機器制御) |
| 幹事氏名（英） | Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Goji Nakagawa(Fujitsu Labs.) / Kenya Suzuki(NTT) / Toshimasa Umezawa(NICT) / Naoki Fujiwara(NTT) / Akira Asato(Fujitsu) / Hiroyuki Okamura(Hiroshima Univ.) / Shigeru Sawada(Sumitomo Denso) / Kenji Suzuki(Fujielectric) |
| 幹事補佐氏名（和） | 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 石榑 崇明(慶大) / 柳生 栄治(三菱電機) / / マラット ザニケエフ(九工大) / 田村 信幸(法政大) / 和田 真一(TMCシステム) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Takaaki Ishigure(Keio Univ.) / Eiji Yagyu(Mitsubishi Electric) / / Maratt Zanikef(Kyushu Inst. of Tech.) / Nobuyuki Tamura(Hosei Univ.) / Shinichi Wada(TMC system) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Optoelectronics / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Reliability / Technical Committee on Electromechanical Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 1.1μm帯広帯域量子ドットリッジ導波路型LDの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of broadband QD ridge-waveguide laser diode in 1.1μm |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InAs量子ドット / InAs Quantum Dot |
| キーワード(2)（和/英） | 量子ドットレーザー / Quantum Dot Laser |
| キーワード(3)（和/英） | ゲインデバイス / Gain Device |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉沢 勝美 / Katsumi Yoshizawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社(略称：パイオニアマイクロテクノロジー) Pioneer Micro Technology Corporation(略称：PioneerMTC) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 沢渡 義規 / Yoshinori Sawado |
| 第 2 著者 所属（和/英） | パイオニア・マイクロ・テクノロジー株式会社(略称：パイオニアマイクロテクノロジー) Pioneer Micro Technology Corporation(略称：PioneerMTC) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 赤羽 浩一 / Kouichi Akahane |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構(略称：NICT) National Institute of Information and Communications Technology(略称：NICT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山本 直克 / Naokatsu Yamamoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構(略称：NICT) National Institute of Information and Communications Technology(略称：NICT) |
| 発表年月日 | 2015-08-28 |
| 資料番号 | R2015-46,EMD2015-54,CPM2015-70,OPE2015-85,LQE2015-54 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | R-194,EMD-195,CPM-196,OPE-197,LQE-198 |
| ページ範囲 | pp.115-118(R), pp.115-118(EMD), pp.115-118(CPM), pp.115-118(OPE), pp.115-118(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-08-20 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |