| 講演名 | 2015-08-28 1.3μm帯InGaAlAs埋め込みヘテロレーザの放熱効果解析と駆動電流削減量評価 進藤 隆彦(NTT), 小林 亘(NTT), 小木曽 義弘(NTT), 藤原 直樹(NTT), 伊賀 龍三(NTT), 大礒 義孝(NTT), 石井 啓之(NTT), |
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| 抄録(和) | 将来のbeyond 100 GbEに向けた低消費電力・大容量光源として、1.3 μm帯InGaAlAs直接変調レーザが有望視されている。本研究では、リッジ構造と埋め込みヘテロ（BH）構造の内部温度分布のシミュレーションと試作した素子特性の比較から電流注入時の内部温度上昇を評価し、共振器長200 μmのBHレーザにおいて、60 mA注入時にリッジレーザに対して約5°Cの温度上昇抑制を確認した。また、試作素子の発振特性評価からBH構造の導入による電流削減量を評価し、共振器長200 μmの素子において55°C、15 mW光出力時の駆動電流削減量約11 mAを確認した。BH構造による電流削減の主要因としては電流狭窄効果と放熱効果が挙げられ、そのうちの放熱効果による寄与が約20％を占めることを明らかにした。 |
| 抄録(英) | The 1.3 μm wavelength InGaAlAs directly modulated semiconductor laser is a promising candidate as a high-speed semiconductor light source with a low power consumption for future transmission systems beyond 100 Gbit Ethernet. In this study, the internal temperature increase induced by the injected current of a ridge laser and a buried heterostructure (BH) laser were estimated by simulating the heat distribution in the cavity and evaluating the fabricated devices. As a result, the temperature increase with the BH laser was about 5°C less than with the ridge laser. Next, the reduction in the driving current was also evaluated by comparing the fabricated ridge laser and a BH laser. The driving current of the BH laser for an optical output of 15 mW was about 11 mA less than with the ridge laser. The main reasons for the current reduction are thought to be the strong current confinement and the high heat dissipation of the BH structure. In addition, it is also revealed that the current reduction realized thanks to the heat dissipation effect of the BH laser represents about 20% of the total reduced driving current. |
| キーワード(和) | 直接変調レーザ / InGaAlAs / 埋め込みヘテロ構造 |
| キーワード(英) | Directly modulated laser / InGaAlAs / Buried heterosturucture |
| 資料番号 | R2015-37,EMD2015-45,CPM2015-61,OPE2015-76,LQE2015-45 |
| 発行日 | 2015-08-20 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM / OPE / LQE / R / EMD |
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| 開催期間 | 2015/8/27(から2日開催) |
| 開催地（和） | 青森県観光物産館アスパム |
| 開催地（英） | Aomori-Bussankan-Asupamu |
| テーマ（和） | 光部品・電子デバイス実装技術・信頼性、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 野毛 悟(沼津高専) / 植之原 裕行(東工大) / 小路 元(住友電工) / 馬渡 宏泰(NTT) / 関川 純哉(静岡大) |
| 委員長氏名（英） | Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) / Hiroyuki Uenohara(Tokyo Inst. of Tech.) / Hajime Shoji(Sumitomo Electric Industries) / Hiroyasu Mawatari(NTT) / Junya Sekikawa(Shizuoka Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 廣瀬 文彦(山形大) / 小川 憲介(フジクラ) / 野田 進(京大) / 弓削 哲史(防衛大) / 阿部 宜輝(NTT) |
| 副委員長氏名（英） | Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Kensuke Ogawa(Fujikura) / Susumu Noda(Kyoto Univ.) / Tetsushi Yuge(National Defense Academy) / Yoshiteru Abe(NTT) |
| 幹事氏名（和） | 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) / 中川 剛二(富士通研) / 鈴木 賢哉(NTT) / 梅沢 俊匡(NICT) / 藤原 直樹(NTT) / 安里 彰(富士通) / 岡村 寛之(広島大) / 澤田 滋(住友電装) / 鈴木 健司(富士電機機器制御) |
| 幹事氏名（英） | Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Goji Nakagawa(Fujitsu Labs.) / Kenya Suzuki(NTT) / Toshimasa Umezawa(NICT) / Naoki Fujiwara(NTT) / Akira Asato(Fujitsu) / Hiroyuki Okamura(Hiroshima Univ.) / Shigeru Sawada(Sumitomo Denso) / Kenji Suzuki(Fujielectric) |
| 幹事補佐氏名（和） | 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 石榑 崇明(慶大) / 柳生 栄治(三菱電機) / / マラット ザニケエフ(九工大) / 田村 信幸(法政大) / 和田 真一(TMCシステム) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Takaaki Ishigure(Keio Univ.) / Eiji Yagyu(Mitsubishi Electric) / / Maratt Zanikef(Kyushu Inst. of Tech.) / Nobuyuki Tamura(Hosei Univ.) / Shinichi Wada(TMC system) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Optoelectronics / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Reliability / Technical Committee on Electromechanical Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 1.3μm帯InGaAlAs埋め込みヘテロレーザの放熱効果解析と駆動電流削減量評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of heat dissipation and evaluation of current reduction of 1.3 μm wavelength InGaAlAs BH laser |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 直接変調レーザ / Directly modulated laser |
| キーワード(2)（和/英） | InGaAlAs / InGaAlAs |
| キーワード(3)（和/英） | 埋め込みヘテロ構造 / Buried heterosturucture |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 進藤 隆彦 / Takahiko Shindo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation(略称：NTT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小林 亘 / Wataru Kobayashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation(略称：NTT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小木曽 義弘 / Yoshihiro Ogiso |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation(略称：NTT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 藤原 直樹 / Naoki Fujiwara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation(略称：NTT) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 伊賀 龍三 / Ryuzo Iga |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation(略称：NTT) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 大礒 義孝 / Yoshitaka Ohiso |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation(略称：NTT) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 石井 啓之 / Hiroyuki Ishii |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社(略称：NTT) Nippon Telegraph and Telephone Corporation(略称：NTT) |
| 発表年月日 | 2015-08-28 |
| 資料番号 | R2015-37,EMD2015-45,CPM2015-61,OPE2015-76,LQE2015-45 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | R-194,EMD-195,CPM-196,OPE-197,LQE-198 |
| ページ範囲 | pp.73-76(R), pp.73-76(EMD), pp.73-76(CPM), pp.73-76(OPE), pp.73-76(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-08-20 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |