講演名 | 2015-08-25 [招待講演]high-k添加シングルp+Polyゲートを用いた超低リーク用途向け薄膜BOX-SOI CMOS 山本 芳樹(ルネサス エレクトロニクス), 槇山 秀樹(ルネサス エレクトロニクス), 山下 朋弘(ルネサス エレクトロニクス), 尾田 秀一(ルネサス エレクトロニクス), 蒲原 史朗(ルネサス エレクトロニクス), 山口 泰男(ルネサス エレクトロニクス), 杉井 信之(日立), 水谷 朋子(東大), 小林 正治(東大), 平本 俊郎(東大), |
---|---|
PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
抄録(和) | 薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた超低リークアプリケーションの実証について報告する。Mid-gap仕事関数を持つP+-Poly/Hfゲート構造をNMOS,PMOS両方に適用し、基板バイアスの印加無しで0.2pA/umまでトランジスタリークを低減。低バラツキを維持することで、2Mbit-SRAMでもVDD=0.9V動作を保証し、100kGate,1Mbit-SRAM規模のChipで100nA/chipレベルの低リーク特性を実現した。 |
抄録(英) | We demonstrate a cost effective 65-nm SOTB CMOS technology for ultra-low leakage applications. Novel single p+poly-Si/Hf/SiON gate stack of mid-gap work function and precise GIDL control achieved ultra-low leakage of 0.2 pA/µm, which corresponds to approx. 100nA/chip (100k gate logic). Now the SOTB technology can provide three options from ultra-low voltage to ultra-low leakage that covers a wide variety of applications in the Internet of Things (IoT) era. |
キーワード(和) | SOI / 薄膜BOX / 低スタンバイーリーク / SRAM |
キーワード(英) | SOI / thin BOX / Low Standby Leakage / SRAM |
資料番号 | SDM2015-67,ICD2015-36 |
発行日 | 2015-08-17 (SDM, ICD) |
研究会情報 | |
研究会 | SDM / ICD |
---|---|
開催期間 | 2015/8/24(から2日開催) |
開催地(和) | 熊本市 |
開催地(英) | Kumamoto City |
テーマ(和) | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
テーマ(英) | Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
委員長氏名(和) | 大野 裕三(筑波大) / 藤島 実(広島大) |
委員長氏名(英) | Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba) / Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) |
副委員長氏名(和) | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) |
副委員長氏名(英) | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Hideto Hidaka(Renesas) |
幹事氏名(和) | 黒田 理人(東北大) / 吉田 毅(広島大) |
幹事氏名(英) | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) |
幹事補佐氏名(和) | 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 高宮 真(東大) / 岩崎 裕江(NTT) / 橋本 隆(パナソニック) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) |
幹事補佐氏名(英) | Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Hiroe Iwasaki(NTT) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices |
---|---|
本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | [招待講演]high-k添加シングルp+Polyゲートを用いた超低リーク用途向け薄膜BOX-SOI CMOS |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | [Invited Talk] Novel Single p+Poly-Si/Hf/SiON Gate Stack Technology on Silicon-on-Thin-Buried-Oxide (SOTB) for Ultra-Low Leakage Applications |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | SOI / SOI |
キーワード(2)(和/英) | 薄膜BOX / thin BOX |
キーワード(3)(和/英) | 低スタンバイーリーク / Low Standby Leakage |
キーワード(4)(和/英) | SRAM / SRAM |
第 1 著者 氏名(和/英) | 山本 芳樹 / Yoshiki Yamamoto |
第 1 著者 所属(和/英) | ルネサス エレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas Electronics Corp.) |
第 2 著者 氏名(和/英) | 槇山 秀樹 / Hideki Makiyama |
第 2 著者 所属(和/英) | ルネサス エレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas Electronics Corp.) |
第 3 著者 氏名(和/英) | 山下 朋弘 / Tomohiro Yamashita |
第 3 著者 所属(和/英) | ルネサス エレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas Electronics Corp.) |
第 4 著者 氏名(和/英) | 尾田 秀一 / Hidekazu Oda |
第 4 著者 所属(和/英) | ルネサス エレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas Electronics Corp.) |
第 5 著者 氏名(和/英) | 蒲原 史朗 / Shiro Kamohara |
第 5 著者 所属(和/英) | ルネサス エレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas Electronics Corp.) |
第 6 著者 氏名(和/英) | 山口 泰男 / Yasuo Yamaguchi |
第 6 著者 所属(和/英) | ルネサス エレクトロニクス株式会社(略称:ルネサス エレクトロニクス) Renesas Electronics Corporation(略称:Renesas Electronics Corp.) |
第 7 著者 氏名(和/英) | 杉井 信之 / Nobuyuki Sugii |
第 7 著者 所属(和/英) | 株式会社日立製作所(略称:日立) Hitachi, Ltd.(略称:Hitachi) |
第 8 著者 氏名(和/英) | 水谷 朋子 / Tomoko Mizutani |
第 8 著者 所属(和/英) | 東京大学(略称:東大) The University of Tokyo(略称:UT) |
第 9 著者 氏名(和/英) | 小林 正治 / Masaharu Kobayashi |
第 9 著者 所属(和/英) | 東京大学(略称:東大) The University of Tokyo(略称:UT) |
第 10 著者 氏名(和/英) | 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto |
第 10 著者 所属(和/英) | 東京大学(略称:東大) The University of Tokyo(略称:UT) |
発表年月日 | 2015-08-25 |
資料番号 | SDM2015-67,ICD2015-36 |
巻番号(vol) | vol.115 |
号番号(no) | SDM-190,ICD-191 |
ページ範囲 | pp.53-57(SDM), pp.53-57(ICD), |
ページ数 | 5 |
発行日 | 2015-08-17 (SDM, ICD) |