| 講演名 | 2015-08-24 ［招待講演］負性容量による急峻スロープトランジスタ(NCFET)の設計指針 小林 正治(東大), 平本 俊郎(東大), |
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| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | SDM2015-60,ICD2015-29 |
| 発行日 | 2015-08-17 (SDM, ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / ICD |
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| 開催期間 | 2015/8/24(から2日開催) |
| 開催地（和） | 熊本市 |
| 開催地（英） | Kumamoto City |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 委員長氏名（和） | 大野 裕三(筑波大) / 藤島 実(広島大) |
| 委員長氏名（英） | Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba) / Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) / 日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス) |
| 副委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) / Hideto Hidaka(Renesas) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) / 吉田 毅(広島大) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) / Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) / 高宮 真(東大) / 岩崎 裕江(NTT) / 橋本 隆(パナソニック) / 伊藤 浩之(東工大) / 範 公可(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Tadashi Yamaguchi(Renesas) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Hiroe Iwasaki(NTT) / Takashi Hashimoto(Panasonic) / Hiroyuki Ito(Tokyo Inst. of Tech.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］負性容量による急峻スロープトランジスタ(NCFET)の設計指針 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Device Design Guideline for negative capacitance FET (NCFET) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小林 正治 / Masaharu Kobayashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：The Univ. of Tokyo) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：The Univ. of Tokyo) |
| 発表年月日 | 2015-08-24 |
| 資料番号 | SDM2015-60,ICD2015-29 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | SDM-190,ICD-191 |
| ページ範囲 | pp.15-18(SDM), pp.15-18(ICD), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-08-17 (SDM, ICD) |