講演名 2015-07-24
AlN/AlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体デバイスにおける低周波ノイズ
鈴木 寿一(北陸先端大), Son Phuong Le(北陸先端大), Tuan Quy Nguyen(北陸先端大), Hong-An Shih(北陸先端大),
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抄録(和)
抄録(英)
キーワード(和)
キーワード(英)
資料番号 ED2015-39
発行日 2015-07-17 (ED)

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2015/7/24(から2日開催)
開催地(和) ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町)
開催地(英) IT Business Plaza Musashi 5F
テーマ(和) 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般
テーマ(英) Semiconductor Processes and Devices
委員長氏名(和) 前澤 宏一(富山大)
委員長氏名(英) Koichi Maezawa(Univ. of Toyama)
副委員長氏名(和) 津田 邦男(東芝)
副委員長氏名(英) Kunio Tsuda(Toshiba)
幹事氏名(和) 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大)
幹事氏名(英) Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST)
幹事補佐氏名(和) 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT)
幹事補佐氏名(英) Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Electron Device
本文の言語 JPN
タイトル(和) AlN/AlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体デバイスにおける低周波ノイズ
サブタイトル(和)
タイトル(英) Low-frequency noise in AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor devices
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英)
第 1 著者 氏名(和/英) 鈴木 寿一 / Toshi-kazu Suzuki
第 1 著者 所属(和/英) 北陸先端科学技術大学院大学(略称:北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology(略称:JAIST)
第 2 著者 氏名(和/英) Son Phuong Le / Son Phuong Le
第 2 著者 所属(和/英) 北陸先端科学技術大学院大学(略称:北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology(略称:JAIST)
第 3 著者 氏名(和/英) Tuan Quy Nguyen / Tuan Quy Nguyen
第 3 著者 所属(和/英) 北陸先端科学技術大学院大学(略称:北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology(略称:JAIST)
第 4 著者 氏名(和/英) Hong-An Shih / Hong-An Shih
第 4 著者 所属(和/英) 北陸先端科学技術大学院大学(略称:北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology(略称:JAIST)
発表年月日 2015-07-24
資料番号 ED2015-39
巻番号(vol) vol.115
号番号(no) ED-156
ページ範囲 pp.15-20(ED),
ページ数 6
発行日 2015-07-17 (ED)