講演名 | 2015-07-24 AlN/AlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体デバイスにおける低周波ノイズ 鈴木 寿一(北陸先端大), Son Phuong Le(北陸先端大), Tuan Quy Nguyen(北陸先端大), Hong-An Shih(北陸先端大), |
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資料番号 | ED2015-39 |
発行日 | 2015-07-17 (ED) |
研究会情報 | |
研究会 | ED |
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開催期間 | 2015/7/24(から2日開催) |
開催地(和) | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) |
開催地(英) | IT Business Plaza Musashi 5F |
テーマ(和) | 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 |
テーマ(英) | Semiconductor Processes and Devices |
委員長氏名(和) | 前澤 宏一(富山大) |
委員長氏名(英) | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
副委員長氏名(和) | 津田 邦男(東芝) |
副委員長氏名(英) | Kunio Tsuda(Toshiba) |
幹事氏名(和) | 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) |
幹事氏名(英) | Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) |
幹事補佐氏名(和) | 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) |
幹事補佐氏名(英) | Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Technical Committee on Electron Device |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | AlN/AlGaN/GaN金属-絶縁体-半導体デバイスにおける低周波ノイズ |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Low-frequency noise in AlN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor devices |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | |
第 1 著者 氏名(和/英) | 鈴木 寿一 / Toshi-kazu Suzuki |
第 1 著者 所属(和/英) | 北陸先端科学技術大学院大学(略称:北陸先端大) Japan Advanced Institute of Science and Technology(略称:JAIST) |
第 2 著者 氏名(和/英) | Son Phuong Le / Son Phuong Le |
第 2 著者 所属(和/英) | 北陸先端科学技術大学院大学(略称:北陸先端大) Japan Advanced Institute of Science and Technology(略称:JAIST) |
第 3 著者 氏名(和/英) | Tuan Quy Nguyen / Tuan Quy Nguyen |
第 3 著者 所属(和/英) | 北陸先端科学技術大学院大学(略称:北陸先端大) Japan Advanced Institute of Science and Technology(略称:JAIST) |
第 4 著者 氏名(和/英) | Hong-An Shih / Hong-An Shih |
第 4 著者 所属(和/英) | 北陸先端科学技術大学院大学(略称:北陸先端大) Japan Advanced Institute of Science and Technology(略称:JAIST) |
発表年月日 | 2015-07-24 |
資料番号 | ED2015-39 |
巻番号(vol) | vol.115 |
号番号(no) | ED-156 |
ページ範囲 | pp.15-20(ED), |
ページ数 | 6 |
発行日 | 2015-07-17 (ED) |