講演名 2015-08-04
MgCr2O4-TiO2系P型半導体セラミックスによる直熱型ガスセンサ
寺田 二郎(阪工大), 大松 繁(阪工大), 佐々 誠彦(阪工大), 矢野 満明(阪工大),
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抄録(和) MgCr2O4-TiO2系P型半導体セラミックスのTiO2含有量を制御した2層構造の素子を用い,我々は熱的緩和と高感度化を試み,直熱型のガスセンサを実現させた。
抄録(英) Using an element of two layers of structure that controlled the TiO2 content of p-type semiconductor of MgCr2O4-TiO2 ceramics, As for us, thermal relaxation and high sensitivity tried becoming it and realized the gas sensor of the direct thermal-type.
キーワード(和) セラミックス / 2層構造 / 直熱型
キーワード(英) Ceramics / two layers / direct thermal-type
資料番号 ED2015-52
発行日 2015-07-27 (ED)

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2015/8/3(から2日開催)
開催地(和) 機械振興会館
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg.
テーマ(和) センサデバイス、MEMS、一般
テーマ(英) Sensor device, MEMS, etc
委員長氏名(和) 前澤 宏一(富山大)
委員長氏名(英) Koichi Maezawa(Univ. of Toyama)
副委員長氏名(和) 津田 邦男(東芝)
副委員長氏名(英) Kunio Tsuda(Toshiba)
幹事氏名(和) 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大)
幹事氏名(英) Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST)
幹事補佐氏名(和) 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT)
幹事補佐氏名(英) Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Electron Device
本文の言語 JPN
タイトル(和) MgCr2O4-TiO2系P型半導体セラミックスによる直熱型ガスセンサ
サブタイトル(和)
タイトル(英) Direct thermal-type gas sensor by P-type MgCr2O4-TiO2 ceramics
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) セラミックス / Ceramics
キーワード(2)(和/英) 2層構造 / two layers
キーワード(3)(和/英) 直熱型 / direct thermal-type
第 1 著者 氏名(和/英) 寺田 二郎 / Jiro Terada
第 1 著者 所属(和/英) 大阪工業大学(略称:阪工大)
Faculty of Engineering, Osaka Inst. of Tech.(略称:O. I. T.)
第 2 著者 氏名(和/英) 大松 繁 / Sigeru Omatsu
第 2 著者 所属(和/英) 大阪工業大学(略称:阪工大)
Faculty of Engineering, Osaka Inst. of Tech.(略称:O. I. T.)
第 3 著者 氏名(和/英) 佐々 誠彦 / Shigehiko Sasa
第 3 著者 所属(和/英) 大阪工業大学(略称:阪工大)
Faculty of Engineering, Osaka Inst. of Tech.(略称:O. I. T.)
第 4 著者 氏名(和/英) 矢野 満明 / Mitsuaki Yano
第 4 著者 所属(和/英) 大阪工業大学(略称:阪工大)
Faculty of Engineering, Osaka Inst. of Tech.(略称:O. I. T.)
発表年月日 2015-08-04
資料番号 ED2015-52
巻番号(vol) vol.115
号番号(no) ED-170
ページ範囲 pp.41-45(ED),
ページ数 5
発行日 2015-07-27 (ED)