| 講演名 | 2015-07-25 再成長ソース・ドレインを有するマルチゲートMOSFETの作製プロセス 木下 治紀(東工大), 祢津 誠晃(東工大), 三嶋 裕一(東工大), 金澤 徹(東工大), 宮本 恭幸(東工大), |
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| 抄録(和) | 次世代の高速・低消費電力デバイスとしてInGaAsチャネルMOSFETが注目されている。さらなる性能向上を目指して、マルチゲート構造による優れたゲート制御性とMOVPE再成長による高濃度ソースによる高い電流駆動能力を持つデバイスを提案し動作に成功した。しかし、InAlAsを成長表面とした再成長層の結晶性が悪くオン電流が劣化した。本報告では基板構造とプロセスを変更することによりSI-InPを再成長表面とし、再成長層の結晶性を改善し、再成長層の平坦性とシリーズ抵抗を改善した。 |
| 抄録(英) | InGaAs MOSFETs are attractive candidate for future high-speed and low-power-consumption devices. To enhance the performance of that, we proposed and demonstrated a novel device structure contains the superior current controllability due to the multi-gate structure and the high current drivability due to the n+-InGaAs source surrounding the non-planar channel. However, bad crystallinity due to difficulty of regrowth on InAlAs was observed and caused degration of On current. In this report, change the device structure and fabrication process to change the regrown surface to SI-InP, and improvement in surface flatness and series resistance were reported. |
| キーワード(和) | MOSFET / InGaAs / 高移動度チャネル / マルチゲートデバイス / MOVPE |
| キーワード(英) | MOSFET / InGaAs / high mobility channel / multigate device / MOVPE |
| 資料番号 | ED2015-44 |
| 発行日 | 2015-07-17 (ED) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2015/7/24(から2日開催) |
| 開催地（和） | ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町) |
| 開催地（英） | IT Business Plaza Musashi 5F |
| テーマ（和） | 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般 |
| テーマ（英） | Semiconductor Processes and Devices |
| 委員長氏名（和） | 前澤 宏一(富山大) |
| 委員長氏名（英） | Koichi Maezawa(Univ. of Toyama) |
| 副委員長氏名（和） | 津田 邦男(東芝) |
| 副委員長氏名（英） | Kunio Tsuda(Toshiba) |
| 幹事氏名（和） | 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大) |
| 幹事氏名（英） | Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST) |
| 幹事補佐氏名（和） | 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Device |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 再成長ソース・ドレインを有するマルチゲートMOSFETの作製プロセス |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of InGaAs channel multi-gate MOSFET’s with MOVPE regrown source/drain |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(3)（和/英） | 高移動度チャネル / high mobility channel |
| キーワード(4)（和/英） | マルチゲートデバイス / multigate device |
| キーワード(5)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 木下 治紀 / Haruki Kinoshita |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 祢津 誠晃 / Seiko Netsu |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三嶋 裕一 / Yuichi Mishima |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 金澤 徹 / Toru Kanazawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki Miyamoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 発表年月日 | 2015-07-25 |
| 資料番号 | ED2015-44 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | ED-156 |
| ページ範囲 | pp.39-44(ED), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-07-17 (ED) |