講演名 2015-07-24
X線光電子分光法によるSiO2/β-Ga2O3界面のバンドアライメント評価
小西 敬太(NICT), 上村 崇史(NICT), ワン マンホイ(NICT), 佐々木 公平(タムラ製作所), 倉又 朗人(タムラ製作所), 山腰 茂伸(タムラ製作所), 東脇 正高(NICT),
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抄録(和)
抄録(英)
キーワード(和)
キーワード(英)
資料番号 ED2015-40
発行日 2015-07-17 (ED)

研究会情報
研究会 ED
開催期間 2015/7/24(から2日開催)
開催地(和) ITビジネスプラザ武蔵研修室1(金沢市武蔵町)
開催地(英) IT Business Plaza Musashi 5F
テーマ(和) 半導体プロセス・デバイス(表面、界面、信頼性)、一般
テーマ(英) Semiconductor Processes and Devices
委員長氏名(和) 前澤 宏一(富山大)
委員長氏名(英) Koichi Maezawa(Univ. of Toyama)
副委員長氏名(和) 津田 邦男(東芝)
副委員長氏名(英) Kunio Tsuda(Toshiba)
幹事氏名(和) 松永 高治(NEC) / 鈴木 寿一(北陸先端大)
幹事氏名(英) Koji Matsunaga(NEC) / Toshikazu Suzuki(JAIST)
幹事補佐氏名(和) 新井 学(新日本無線) / 東脇 正高(NICT)
幹事補佐氏名(英) Manabu Arai(New JRC) / Masataka Higashiwaki(NICT)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Electron Device
本文の言語 JPN
タイトル(和) X線光電子分光法によるSiO2/β-Ga2O3界面のバンドアライメント評価
サブタイトル(和)
タイトル(英) Band alignment at SiO2/β-Ga2O3 interface determined by X-ray photoelectron spectroscopy
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英)
第 1 著者 氏名(和/英) 小西 敬太 / Keita Konishi
第 1 著者 所属(和/英) 情報通信研究機構(略称:NICT)
National Institute of Information and Communications Technology(略称:NICT)
第 2 著者 氏名(和/英) 上村 崇史 / Takafumi Kamimura
第 2 著者 所属(和/英) 情報通信研究機構(略称:NICT)
National Institute of Information and Communications Technology(略称:NICT)
第 3 著者 氏名(和/英) ワン マンホイ / Man Hoi Wong
第 3 著者 所属(和/英) 情報通信研究機構(略称:NICT)
National Institute of Information and Communications Technology(略称:NICT)
第 4 著者 氏名(和/英) 佐々木 公平 / Kohei Sasaki
第 4 著者 所属(和/英) 株式会社 タムラ製作所(略称:タムラ製作所)
TAMURA Corporation(略称:MURA Corp.)
第 5 著者 氏名(和/英) 倉又 朗人 / Akito Kuramata
第 5 著者 所属(和/英) 株式会社 タムラ製作所(略称:タムラ製作所)
TAMURA Corporation(略称:MURA Corp.)
第 6 著者 氏名(和/英) 山腰 茂伸 / Shigenobu Yamakoshi
第 6 著者 所属(和/英) 株式会社 タムラ製作所(略称:タムラ製作所)
TAMURA Corporation(略称:MURA Corp.)
第 7 著者 氏名(和/英) 東脇 正高 / Masataka Higashiwaki
第 7 著者 所属(和/英) 情報通信研究機構(略称:NICT)
National Institute of Information and Communications Technology(略称:NICT)
発表年月日 2015-07-24
資料番号 ED2015-40
巻番号(vol) vol.115
号番号(no) ED-156
ページ範囲 pp.21-24(ED),
ページ数 4
発行日 2015-07-17 (ED)