| 講演名 | 2015-06-19 低い正孔障壁を有するPtGe/Geコンタクトの作製とメタルS/D型Ge p-MOSFETへの適用 永冨 雄太(九大), 田中 慎太郎(九大), 長岡 裕一(九大), 山本 圭介(九大), 王 冬(九大), 中島 寛(九大), |
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| 抄録(和) | 低い正孔障壁(ΦBP)を有するPtGe/Geコンタクトの作製およびその電気的パッシベーションについて調査を行った．極薄SiO2/GeO2構造でパッシベーションしたPtGe/n-Geコンタクトは， 0.64 eVの高い電子障壁を示し，~106のオンオフ比を示した．これはΦBP~0 eVを意味する．このPtGeコンタクトをソース/ドレイン(S/D)に用いて，等価換算膜厚が3.4 nmのp-MOSFETを作製し，良好なトランジスタ動作を得た．デバイス特性を解析することで，PtGe-S/D p-MOSFETのドレイン電流のオンオフ比および寄生抵抗が従来用いてきたHfGe-S/D p-MOSFETのそれよりも優れていることを実証した． |
| 抄録(英) | The fabrication of PtGe/Ge contacts with low hole barrier height (ΦBP) and its electrical passivation were investigated. A PtGe/n-Ge contact passivated by an ultrathin SiO2/GeO2 bilayer showed a high electron barrier height of 0.64 eV, indicating ΦBP~0 eV and an on/off ratio of ~106. A p-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) with an equivalent oxide thickness of 3.4 nm was fabricated using PtGe contacts as the source/drain (S/D), which showed well-behaved transistor operation. By investigating device performance, we showed that the on/off ratio of drain current and the parasitic resistance of PtGe-S/D p-MOSFETs were much superior to those of HfGe-S/D p-MOSFETs. |
| キーワード(和) | Ge / MOSFET / メタルS/D / 寄生抵抗 / パッシバーション |
| キーワード(英) | Ge / MOSFET / metal S/D / parasitic resistance / passivation |
| 資料番号 | SDM2015-47 |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2015/6/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 委員長氏名（和） | 大野 裕三(筑波大) |
| 委員長氏名（英） | Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba) |
| 副委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 副委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事補佐氏名（英） | Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低い正孔障壁を有するPtGe/Geコンタクトの作製とメタルS/D型Ge p-MOSFETへの適用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of PtGe/Ge contacts with low hole barrier and its application to metal source/drain Ge p-channel MOSFETs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ge / Ge |
| キーワード(2)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | メタルS/D / metal S/D |
| キーワード(4)（和/英） | 寄生抵抗 / parasitic resistance |
| キーワード(5)（和/英） | パッシバーション / passivation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 永冨 雄太 / Yuta Nagatomi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州大学(略称：九大) Kyushu University(略称：Kyushu Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田中 慎太郎 / Shintaro Tanaka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州大学(略称：九大) Kyushu University(略称：Kyushu Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 長岡 裕一 / Yuichi Nagaoka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州大学(略称：九大) Kyushu University(略称：Kyushu Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山本 圭介 / Keisuke Yamamoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 九州大学(略称：九大) Kyushu University(略称：Kyushu Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 王 冬 / Dong Wang |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 九州大学(略称：九大) Kyushu University(略称：Kyushu Univ.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 中島 寛 / Hiroshi Nakashima |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 九州大学(略称：九大) Kyushu University(略称：Kyushu Univ.) |
| 発表年月日 | 2015-06-19 |
| 資料番号 | SDM2015-47 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | SDM-108 |
| ページ範囲 | pp.47-50(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) |