| 講演名 | 2015-06-19 Arイオン注入を用いた1550 nm帯多重積層QD構造の組成混晶化と光集積素子への応用 松本 敦(NICT), 武井 勇樹(早大), 赤羽 浩一(NICT), 山本 直克(NICT), 川西 哲也(NICT), 石川 浩(早大), 松島 裕一(早大), 宇高 勝之(早大), |
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| 抄録(和) | 多重積層半導体量子ドット（QD）構造を用いたモノリシック光集積デバイス実現に向け、ICP-RIEのArプラズマ照射による組成混晶化技術を検討し、それを用いて量子ドット半導体光増幅器（QD-SOA）と2重リング共振器型波長選択フィルタを集積させた光論理ゲート素子を検討してきた。今回、従来技術の問題点を改善するため、Arをイオン注入することによる組成混晶化を検討した。組成混晶化プロセスの条件を適切にすることで、約120 nm程度の発光波長の短波長化を示し、また、SIMS分析によりその物理的要因の一つがGa元素の拡散に起因していることを明らかにした。またブロードタイプのLDを作製し、良好な特性であることを示した。 |
| 抄録(英) | In order to realize the monolithic optical integrated devices with using highly stacked semiconductor quantum dots structure, we have studied the intermixing technique using Ar plasma of ICP-RIE, and also, fabricated the optical logic gate device integrated with QD-SOA and ring resonator filter. In this paper, we investigated the intermixing technique with Ar ion implantation and showed the peak wavelength shift of about 120 nm. And we indicated one of the factors of intermixing was Ga diffusion by the SIMS analysis. Also, fabricating the broad type LD with the Ar implantation intermixing, we obtained the fine characteristics. |
| キーワード(和) | 量子ドット / 組成混晶化 / イオン注入 / 光集積デバイス |
| キーワード(英) | Quantum dots / Quantum Dot Intermixing / Ion implantation / Optical integrated device |
| 資料番号 | OPE2015-12,LQE2015-22 |
| 発行日 | 2015-06-12 (OPE, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / OPE |
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| 開催期間 | 2015/6/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 「材料デバイスサマーミーティング」アクティブデバイスと集積化技術、一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 小路 元(住友電工) / 植之原 裕行(東工大) |
| 委員長氏名（英） | Hajime Shoji(Sumitomo Electric Industries) / Hiroyuki Uenohara(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 野田 進(京大) / 小川 憲介(フジクラ) |
| 副委員長氏名（英） | Susumu Noda(Kyoto Univ.) / Kensuke Ogawa(Fujikura) |
| 幹事氏名（和） | 梅沢 俊匡(NICT) / 藤原 直樹(NTT) / 中川 剛二(富士通研) / 鈴木 賢哉(NTT) |
| 幹事氏名（英） | Toshimasa Umezawa(NICT) / Naoki Fujiwara(NTT) / Goji Nakagawa(Fujitsu Labs.) / Kenya Suzuki(NTT) |
| 幹事補佐氏名（和） | / 石榑 崇明(慶大) / 柳生 栄治(三菱電機) |
| 幹事補佐氏名（英） | / Takaaki Ishigure(Keio Univ.) / Eiji Yagyu(Mitsubishi Electric) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Optoelectronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Arイオン注入を用いた1550 nm帯多重積層QD構造の組成混晶化と光集積素子への応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 1550nm-Band Highly-Stacked QD Intermixing with Ar Implantation for Photonic Integrated Devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子ドット / Quantum dots |
| キーワード(2)（和/英） | 組成混晶化 / Quantum Dot Intermixing |
| キーワード(3)（和/英） | イオン注入 / Ion implantation |
| キーワード(4)（和/英） | 光集積デバイス / Optical integrated device |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松本 敦 / Atsushi Matsumoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構(略称：NICT) National Institute of Information and Communications Technology(略称：NICT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 武井 勇樹 / Yuki Takei |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 早稲田大学(略称：早大) Waseda University(略称：Waseda Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 赤羽 浩一 / Kouichi Akahane |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構(略称：NICT) National Institute of Information and Communications Technology(略称：NICT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山本 直克 / Naokatsu Yamamoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構(略称：NICT) National Institute of Information and Communications Technology(略称：NICT) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 川西 哲也 / Tetsuya Kawanishi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構(略称：NICT) National Institute of Information and Communications Technology(略称：NICT) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 石川 浩 / Hiroshi Ishikawa |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 早稲田大学(略称：早大) Waseda University(略称：Waseda Univ.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 松島 裕一 / Yuichi Matsushima |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 早稲田大学(略称：早大) Waseda University(略称：Waseda Univ.) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 宇高 勝之 / Katsuyuki Utaka |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 早稲田大学(略称：早大) Waseda University(略称：Waseda Univ.) |
| 発表年月日 | 2015-06-19 |
| 資料番号 | OPE2015-12,LQE2015-22 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | OPE-106,LQE-107 |
| ページ範囲 | pp.9-13(OPE), pp.9-13(LQE), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-06-12 (OPE, LQE) |