| 講演名 | 2015-06-19 ［依頼講演］3C/4H異種ポリタイプ接合を有するSiC MOSFETに対する検討 野口 宗隆(三菱電機), 岩松 俊明(三菱電機), 三浦 成久(三菱電機), 中田 修平(三菱電機), 山川 聡(三菱電機), |
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| 抄録(和) | SiC には異なるバンドギャップを持つ、様々なポリタイプが存在し、異種ポリタイプ接合を用いたSiCデバイスの可能性が考えられる。本報告では、従来の4H-SiCのみから構成されるSiC MOSFETよりも、チャネル特性を向上し、耐圧を保持する素子構造の提案を目的とし、3C/4H 異種ポリタイプ接合を有するSiC MOSFETについてシミュレーションによる検討を行った。3C/4H 異種ポリタイプ接合にはバンドオフセットに起因する抵抗が存在するため、これをトンネル電流にて低抵抗化するデバイス構造について調査した。その結果、3C/4H 異種ポリタイプ接合の間にそれらの中間のバンドギャップを持つ半導体層の導入が不可欠であり、不純物濃度設計が重要であることが判明した。 |
| 抄録(英) | SiliconCarbide (SiC) have different poly-types, which shows various energy bandgap. This suggests the possibility of SiC devices with different poly-types. In this study, SiC MOSFETs with junctions consisted of 3C- and 4H-SiC are simulated in order to propose the device structure which exhibit better channel properties than conventional 4H-SiC MOSFETs without any degradation of the breakdown voltage. There exist the resistance between 3C- and 4H-SiC, ascribe to the band offset between these. We connected 3C- and 4H-SiC by electron tunneling for suppressing the resistance between these. It is found that materials which exhibit energy bandgap between 3C- and 4H-SiC have to be inserted between 3C- and 4H-SiC. In addition, their impurity concentrations must be carefully designed. |
| キーワード(和) | SiC / 3C-SiC / 4H-SiC / ヘテロ接合 / トンネリング / 絶縁破壊 / オン抵抗 / 異種ポリタイプ |
| キーワード(英) | SiC / 3C-SiC / 4H-SiC / Hetero junction / Tunneling / breakdown / on resistance / different poly-type |
| 資料番号 | SDM2015-41 |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2015/6/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化－材料・プロセス技術 （応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 委員長氏名（和） | 大野 裕三(筑波大) |
| 委員長氏名（英） | Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba) |
| 副委員長氏名（和） | 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 副委員長氏名（英） | Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 幹事氏名（和） | 黒田 理人(東北大) |
| 幹事氏名（英） | Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事補佐氏名（英） | Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［依頼講演］3C/4H異種ポリタイプ接合を有するSiC MOSFETに対する検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Lecture] Investigation of SiC MOSFETs with 3C/4H Different Poly-Type Junctions |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(2)（和/英） | 3C-SiC / 3C-SiC |
| キーワード(3)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(4)（和/英） | ヘテロ接合 / Hetero junction |
| キーワード(5)（和/英） | トンネリング / Tunneling |
| キーワード(6)（和/英） | 絶縁破壊 / breakdown |
| キーワード(7)（和/英） | オン抵抗 / on resistance |
| キーワード(8)（和/英） | 異種ポリタイプ / different poly-type |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野口 宗隆 / Muentaka Noguchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 岩松 俊明 / Toshiaki Iwamatsu |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三浦 成久 / Naruhisa Miura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中田 修平 / Shuhei Nakata |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 山川 聡 / Satoshi Yamakawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric(略称：Mitsubishi Electric) |
| 発表年月日 | 2015-06-19 |
| 資料番号 | SDM2015-41 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | SDM-108 |
| ページ範囲 | pp.17-20(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-06-12 (SDM) |