| 講演名 | 2015-06-19 触媒反応支援CVD法によるガラス基板上ZnO膜成長におけるN2O添加初期層の効果 叶内 慎吾(長岡技科大), 石塚 侑己(長岡技科大), 大橋 優樹(長岡技科大), 大石 耕一郎(長岡高専), 片桐 裕則(長岡高専), 玉山 泰宏(長岡技科大), 安井 寛治(長岡技科大), |
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| 抄録(和) | 触媒反応により生成した高エネルギーH2Oを酸素源として用いたCVD法によるガラス基板上へのZnO膜成長において、N2O添加初期層を挿入することでZnO膜の特性改善を試みた。作製したZnO膜は光透過率、Hall効果、X線回折の測定により評価を行った。ZnO(0002)回折のωロッキングカーブの半値幅は適切なN2O添加初期層を挿入することで減少し、同時に電子移動度の向上も見られた。光吸収係数から得られるバンド端の揺らぎの指標となる経験的パラメータE0もN2O添加初期層の挿入により小さくなり、これは結晶粒界に起因するバンド端の揺らぎが抑えられたためと推察された。 |
| 抄録(英) | Aiming at the growth of high-quality ZnO films on glass substrates by a new CVD method using a catalytic reaction, effect of N2O-doped seed layer inserted between the ZnO film and glass substrate was investigated. Dimethylzinc (DMZ) and high energy H2O generated by a catalytic reaction were used as zinc and oxygen sources, respectively. Electron mobility of the ZnO films increased by an appropriate N2O-doped seed layer and the maximum mobility of 30.1 cm2/Vs was obtained by the seed layer for 15 s. Optical transmittance in the visible wavelength region of 400-700 nm was also improved by the insertion of the N2O-doped seed layer. Parameter E0 indicating the fluctuation of the sub-bandgap energy of the films was evaluated from optical absorption coefficients at subband gap energy. The E0 decreased by the insertion of the N2O-doped seed layer and was correlated with the electron mobility of the ZnO films. |
| キーワード(和) | ZnO / 触媒反応 / 高エネルギーH2O / Hall移動度 / バンド端の揺らぎ |
| キーワード(英) | ZnO / catalytic reaction / high-energy H2O / electron mobility / band edge fluctuation |
| 資料番号 | EMD2015-15,CPM2015-25,OME2015-28 |
| 発行日 | 2015-06-12 (EMD, CPM, OME) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD / CPM / OME |
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| 開催期間 | 2015/6/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 材料デバイスサマーミーティング |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 関川 純哉(静岡大) / 野毛 悟(沼津高専) / 松田 直樹(産総研) |
| 委員長氏名（英） | Junya Sekikawa(Shizuoka Univ.) / Satoru Noge(Numazu National College of Tech.) / Naoki Matsuda(AIST) |
| 副委員長氏名（和） | 阿部 宜輝(NTT) / 廣瀬 文彦(山形大) / 森 竜雄(愛知工大) |
| 副委員長氏名（英） | Yoshiteru Abe(NTT) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Tatsuo Mori(Aichi Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 澤田 滋(住友電装) / 鈴木 健司(富士電機機器制御) / 小舘 淳一(NTT) / 岩田 展幸(日大) / 鴻野 晃洋(NTT) / 染谷 隆夫(東大) |
| 幹事氏名（英） | Shigeru Sawada(Sumitomo Denso) / Kenji Suzuki(Fujielectric) / Junichi Kodate(NTT) / Nobuyuki Iwata(Nihon Univ.) / Akihiro Kohno(NTT) / Takao Someya(Univ. of Tokyo) |
| 幹事補佐氏名（和） | 和田 真一(TMCシステム) / 坂本 尊(NTT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 梶井 博武(阪大) / 田口 大(東工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Shinichi Wada(TMC system) / Takashi Sakamoto(NTT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Hirotake Kajii(Osaka Univ.) / Dai Taguchi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electromechanical Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Organic Molecular Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 触媒反応支援CVD法によるガラス基板上ZnO膜成長におけるN2O添加初期層の効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of the insertion of N2O added buffer layer on the characteristics of ZnO films grow on glass substrates by catalytic reaction assisted chemical vapor deposition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ZnO / ZnO |
| キーワード(2)（和/英） | 触媒反応 / catalytic reaction |
| キーワード(3)（和/英） | 高エネルギーH2O / high-energy H2O |
| キーワード(4)（和/英） | Hall移動度 / electron mobility |
| キーワード(5)（和/英） | バンド端の揺らぎ / band edge fluctuation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 叶内 慎吾 / Shingo Kanouchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学(略称：長岡技科大) Nagaoka University of Technology(略称：Nagaoka Univ. technol.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石塚 侑己 / Yuki Ishizuka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学(略称：長岡技科大) Nagaoka University of Technology(略称：Nagaoka Univ. technol.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大橋 優樹 / Yuki Ohashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学(略称：長岡技科大) Nagaoka University of Technology(略称：Nagaoka Univ. technol.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大石 耕一郎 / Koichiro Oishi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 長岡工業高等専門学校(略称：長岡高専) Nagaoka National College of Technology(略称：Nagaoka Nat. Coll. Technol.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 片桐 裕則 / Hironori Katagiri |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 長岡工業高等専門学校(略称：長岡高専) Nagaoka National College of Technology(略称：Nagaoka Nat. Coll. Technol.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 玉山 泰宏 / Yasuhiro Tamayama |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学(略称：長岡技科大) Nagaoka University of Technology(略称：Nagaoka Univ. technol.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 安井 寛治 / Kanji Yasui |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学(略称：長岡技科大) Nagaoka University of Technology(略称：Nagaoka Univ. technol.) |
| 発表年月日 | 2015-06-19 |
| 資料番号 | EMD2015-15,CPM2015-25,OME2015-28 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | EMD-103,CPM-104,OME-105 |
| ページ範囲 | pp.23-27(EMD), pp.23-27(CPM), pp.23-27(OME), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-06-12 (EMD, CPM, OME) |