| 講演名 | 2015-06-19 直接貼付InP層を用いた異種基板上III-V族半導体発光デバイスの集積 松本 恵一(上智大), 金谷 佳則(上智大), 岸川 純也(上智大), 下村 和彦(上智大), |
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| 抄録(和) | Si基板及びQuartz基板と薄膜InP層を直接貼付法により貼合わせ，この基板上にMOVPE法を用いてInP系の発光デバイスの集積を行った．MOVPE結晶成長時には選択MOVPE法を用いることで，EL発光波長の異なるLEDの集積を実現し，InP/Si基板上にはレーザ構造の集積も行うことで，異種基板上に前工程のみでのデバイス作製及び集積の可能性を示すことに成功した．この技術は，Siをはじめとする異種基板上へ，多機能なIII-V族半導体光デバイスの高密度集積を可能にする． |
| 抄録(英) | Thin film InP layers have been bonded on Si substrate and Quarts substrate using wafer direct bonding technique and integration of InP-based active devices on the bonded substrates has demonstrated using MOVPE. In the experiment, we have employed selective MOVPE growth technique, thereby observed successful EL wavelength shift from the integrated devices. Furthermore, integration of LD structure has also been demonstrated on InP/Si substrate. These results are of importance in terms of integration of several functional III-V optical devices on heterogeneous substrate including Si substrate. |
| キーワード(和) | シリコンフォト二クス / 直接貼付法 / MOVPE / III-V族半導体 |
| キーワード(英) | Silicon photonics / Wafer direct bonding / MOVPE / III-V compound |
| 資料番号 | OPE2015-13,LQE2015-23 |
| 発行日 | 2015-06-12 (OPE, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / OPE |
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| 開催期間 | 2015/6/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 「材料デバイスサマーミーティング」アクティブデバイスと集積化技術、一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 小路 元(住友電工) / 植之原 裕行(東工大) |
| 委員長氏名（英） | Hajime Shoji(Sumitomo Electric Industries) / Hiroyuki Uenohara(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 野田 進(京大) / 小川 憲介(フジクラ) |
| 副委員長氏名（英） | Susumu Noda(Kyoto Univ.) / Kensuke Ogawa(Fujikura) |
| 幹事氏名（和） | 梅沢 俊匡(NICT) / 藤原 直樹(NTT) / 中川 剛二(富士通研) / 鈴木 賢哉(NTT) |
| 幹事氏名（英） | Toshimasa Umezawa(NICT) / Naoki Fujiwara(NTT) / Goji Nakagawa(Fujitsu Labs.) / Kenya Suzuki(NTT) |
| 幹事補佐氏名（和） | / 石榑 崇明(慶大) / 柳生 栄治(三菱電機) |
| 幹事補佐氏名（英） | / Takaaki Ishigure(Keio Univ.) / Eiji Yagyu(Mitsubishi Electric) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Optoelectronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 直接貼付InP層を用いた異種基板上III-V族半導体発光デバイスの集積 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Integration of III-V light emitting devices on heterogenious substrate employing directly-bonded InP platform |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンフォト二クス / Silicon photonics |
| キーワード(2)（和/英） | 直接貼付法 / Wafer direct bonding |
| キーワード(3)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(4)（和/英） | III-V族半導体 / III-V compound |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松本 恵一 / Keiichi Matsumoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 上智大学(略称：上智大) Sophia University(略称：Sophia Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 金谷 佳則 / Yoshinori Kanaya |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 上智大学(略称：上智大) Sophia University(略称：Sophia Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岸川 純也 / Junya Kishikawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 上智大学(略称：上智大) Sophia University(略称：Sophia Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 下村 和彦 / Kazuhiko Shimomura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 上智大学(略称：上智大) Sophia University(略称：Sophia Univ.) |
| 発表年月日 | 2015-06-19 |
| 資料番号 | OPE2015-13,LQE2015-23 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | OPE-106,LQE-107 |
| ページ範囲 | pp.15-20(OPE), pp.15-20(LQE), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2015-06-12 (OPE, LQE) |