講演名 2015-05-29
デバイスシミュレータを利用した正孔注入層/ナフチル置換ジアミン誘導体の電導解析
坂井田 雅人(愛知工大), 光崎 茂松(愛知工大), 古橋 秀夫(愛知工大), 森 竜雄(愛知工大),
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抄録(和) 本研究の目的は,有機EL素子において正孔輸送材料として使用されるNPD(ナフチル置換トリフェニルジアミン誘導体)と,正孔注入材料として使用されるCuPc(銅フタロシアニン)について,有機デバイスシミュレータSetfos(サイバネットシステム)を利用して電気伝導特性の解析を行うことである.移動度やトラップによってNPD単層における電気伝導を説明した上で,CuPc/NPDのシミュレーションを行った結果,実測値とシミュレーション結果を近似させるためには,NPD単層から得られたNPDの物性パラメータを変更せざるを得なかった.
抄録(英) This reported the electrical conduction of NPD (di(1-naphthyl)-N, N'-diphenyl-1, 1'- diphenyl-4, 4'-diamine) and CuPc (Copper Phthalocyanine) using the device simulator “Setfos( Cybernet Systems)”. We obtained the electrical parameters of NPD monolayer by both simulation and experimental approaches. Although, we applied that parameters to CuPc/NPD bilayer, the simulation result was not consistent with the experimental.
キーワード(和) 有機EL / 正孔輸送層 / 正孔注入層 / デバイスシミュレーション / Poole-Frenkel
キーワード(英) OLED / Hole Transport Layer / Hole Injection Layer / Device Simulation / Poole-Frenkel
資料番号 OME2015-21
発行日 2015-05-22 (OME)

研究会情報
研究会 OME
開催期間 2015/5/29(から1日開催)
開催地(和) 機械振興会館
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg
テーマ(和) 有機エレクトロニクス、バイオテクノロジー、その他一般
テーマ(英) Organic Electronics Device, Biotechnolpgy, et al.
委員長氏名(和) 松田 直樹(産総研)
委員長氏名(英) Naoki Matsuda(AIST)
副委員長氏名(和) 森 竜雄(愛知工大)
副委員長氏名(英) Tatsuo Mori(Aichi Inst. of Tech.)
幹事氏名(和) 鴻野 晃洋(NTT) / 染谷 隆夫(東大)
幹事氏名(英) Akihiro Kohno(NTT) / Takao Someya(Univ. of Tokyo)
幹事補佐氏名(和) 梶井 博武(阪大) / 田口 大(東工大)
幹事補佐氏名(英) Hirotake Kajii(Osaka Univ.) / Dai Taguchi(Tokyo Inst. of Tech.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Organic Molecular Electronics
本文の言語 JPN
タイトル(和) デバイスシミュレータを利用した正孔注入層/ナフチル置換ジアミン誘導体の電導解析
サブタイトル(和)
タイトル(英) Analysis on Electrical Conduction for Hole Injection Layer/Naphthyl-Substituted Diamine Derivative Using Device Simulator
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 有機EL / OLED
キーワード(2)(和/英) 正孔輸送層 / Hole Transport Layer
キーワード(3)(和/英) 正孔注入層 / Hole Injection Layer
キーワード(4)(和/英) デバイスシミュレーション / Device Simulation
キーワード(5)(和/英) Poole-Frenkel / Poole-Frenkel
第 1 著者 氏名(和/英) 坂井田 雅人 / Masato Sakaida
第 1 著者 所属(和/英) 愛知工業大学(略称:愛知工大)
Aichi Institute of Technology(略称:Aichi Inst. Tech.)
第 2 著者 氏名(和/英) 光崎 茂松 / Shigematsu Kozaki
第 2 著者 所属(和/英) 愛知工業大学(略称:愛知工大)
Aichi Institute of Technology(略称:Aichi Inst. Tech.)
第 3 著者 氏名(和/英) 古橋 秀夫 / Hideo Furuhashi
第 3 著者 所属(和/英) 愛知工業大学(略称:愛知工大)
Aichi Institute of Technology(略称:Aichi Inst. Tech.)
第 4 著者 氏名(和/英) 森 竜雄 / Tatsuo Mori
第 4 著者 所属(和/英) 愛知工業大学(略称:愛知工大)
Aichi Institute of Technology(略称:Aichi Inst. Tech.)
発表年月日 2015-05-29
資料番号 OME2015-21
巻番号(vol) vol.115
号番号(no) OME-68
ページ範囲 pp.15-19(OME),
ページ数 5
発行日 2015-05-22 (OME)