| 講演名 | 2015-05-29 白金錯体を発光層に有する近赤外燐光発光有機EL素子の劣化解析 梶井 博武(阪大), 上田 達也(阪大), 大森 裕(阪大), |
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| 抄録(和) | 有機EL素子の素子寿命を改善するためには，素子の劣化機構を明らかにする必要がある．白金錯体であるPt tetraphenyltetrabenzoporphyrin (Pt(tpbp))をドープした素子とドープしていないtris(8-hydroxyquinolinato)aluminum (Alq3)系有機EL素子の特性に関して検討を行った．Pt(tpbp)をドープしていないAlq3系有機EL素子に関しては，初期輝度5,000 cd/m2で駆動した時の素子の半減寿命は，約200時間であった．一方，Pt(tpbp)をドープしたAlq3層を発光層に有する近赤外発光素子の発光強度は，200時間駆動後に80%となり，近赤外発光素子は，素子の安定性が改善された．Alq3層にドープしていない素子は，Alq3層が発光層と電子輸送層の両方の役割を果たしており，駆動後に正孔輸送層への正孔注入の悪化が確認された．一方，近赤外発光素子では，Pt(tpbp)が，Alq3層でキャリアトラップとして働き，Alq3が電子輸送層として主に働いている．白金錯体Pt(tpbp)の蛍光強度は，劣化後に約80%となっており，Pt(tpbp)分子の光学的な劣化が，素子のEL強度の減少の主要因である． |
| 抄録(英) | In order to improve the device lifetime of the organic light-emitting diodes (OLEDs), it is necessary to figure out the degradation mechanism. The properties of the undoped and Pt tetraphenyltetrabenzoporphyrin (Pt(tpbp)) doped tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum (Alq3)-based OLEDs are investigated. An Alq3 based OLED with an estimated lifetime of approximately 200 hours (time to reach 50 % of initial intensity) at 5,000 cd/m2 is obtained. On the other hand, at 200h, the output of a near-infrared device with Pt(tpbp) doped in Alq3 reaches 80 % of initial intensity. That is, the operating stability is improved for the device with Pt(tpbp) doped in Alq3. For devices with undoped Alq3, Alq3 layer acts as both the emissive and electron transport layers. Hole injection into hole transport layer gets worse after degradation. On the other hand, Pt(tpbp) acts as the carrier trap of Alq3 layer. Alq3 layer mainly acts as the electron transport layers. Photoluminescence (PL) intensity of Pt(tpbp) after degradation reaches approximately 80 % of the initial PL intensity. That is, the optical degradation of Pt(tpbp) molecules results in the decrease of EL intensity. |
| キーワード(和) | 有機EL / 白金錯体 / 近赤外発光 / 劣化解析 / 燐光 |
| キーワード(英) | Organic light-emitting diode / Pt complex / Near-infrared emission / Degradation analysis / Phosphorescence |
| 資料番号 | OME2015-18 |
| 発行日 | 2015-05-22 (OME) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2015/5/29(から1日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 有機エレクトロニクス、バイオテクノロジー、その他一般 |
| テーマ（英） | Organic Electronics Device, Biotechnolpgy, et al. |
| 委員長氏名（和） | 松田 直樹(産総研) |
| 委員長氏名（英） | Naoki Matsuda(AIST) |
| 副委員長氏名（和） | 森 竜雄(愛知工大) |
| 副委員長氏名（英） | Tatsuo Mori(Aichi Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 鴻野 晃洋(NTT) / 染谷 隆夫(東大) |
| 幹事氏名（英） | Akihiro Kohno(NTT) / Takao Someya(Univ. of Tokyo) |
| 幹事補佐氏名（和） | 梶井 博武(阪大) / 田口 大(東工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hirotake Kajii(Osaka Univ.) / Dai Taguchi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Organic Molecular Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 白金錯体を発光層に有する近赤外燐光発光有機EL素子の劣化解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Degradation analysis of near-infrared phosphorescence organic light-emitting diodes with platinum-complex emissive layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機EL / Organic light-emitting diode |
| キーワード(2)（和/英） | 白金錯体 / Pt complex |
| キーワード(3)（和/英） | 近赤外発光 / Near-infrared emission |
| キーワード(4)（和/英） | 劣化解析 / Degradation analysis |
| キーワード(5)（和/英） | 燐光 / Phosphorescence |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 梶井 博武 / Hirotake Kajii |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学(略称：阪大) Osaka University(略称：Osaka Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 上田 達也 / Tatsuya Ueda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学(略称：阪大) Osaka University(略称：Osaka Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大森 裕 / Yutaka Ohmori |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学(略称：阪大) Osaka University(略称：Osaka Univ.) |
| 発表年月日 | 2015-05-29 |
| 資料番号 | OME2015-18 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | OME-68 |
| ページ範囲 | pp.1-4(OME), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-05-22 (OME) |