講演名 | 2015-05-28 高電力密度絶縁形DC-DCコンバータ内におけるトランスの漏れ磁束によるスイッチ素子への影響について 古賀 友也(長崎大), 針屋 昭典(長崎大), 溝口 雄泰(長崎大), 石塚 洋一(長崎大), 松浦 研(TDK), 柳 洋成(TDKラムダ), 富岡 聡(TDKラムダ), 二宮 保(アジア成長研), |
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抄録(和) | |
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資料番号 | EE2015-1 |
発行日 | 2015-05-21 (EE) |
研究会情報 | |
研究会 | EE / IEE-HCA |
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開催期間 | 2015/5/28(から1日開催) |
開催地(和) | 機械振興会館 |
開催地(英) | The Kikai Shinko Kaikan building |
テーマ(和) | スイッチング電源,家庭向け情報通信機器のエネルギー技術,一般 |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | 大津 智(NTTファシリティーズ総研) / 大森 英樹(大阪工業大学) |
委員長氏名(英) | Satoshi Ohtsu(NTT Facilities Research Inst.) / Hideki Omori(大阪工業大学) |
副委員長氏名(和) | 中原 正俊(崇城大) |
副委員長氏名(英) | Masatoshi Nakahara(Sojo Univ.) |
幹事氏名(和) | 末次 正(福岡大) / 山際 昭雄(ダイキン工業) |
幹事氏名(英) | Tadashi Suetsugu(Fukuoka Univ.) / Akio Yamagiwa(ダイキン工業) |
幹事補佐氏名(和) | 山下 暢彦(NTT) |
幹事補佐氏名(英) | Nobuhiko Yamashita(NTT) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Technical Committee on Energy Engineering in Electronics and Communications / Technical Meeting on Home and Consumer Appliances |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 高電力密度絶縁形DC-DCコンバータ内におけるトランスの漏れ磁束によるスイッチ素子への影響について |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | The Influence of Magnetic Flux on Semiconductor Switches in High-Power-Density Isolated DC-DC Converter |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | |
第 1 著者 氏名(和/英) | 古賀 友也 / Tomoya Koga |
第 1 著者 所属(和/英) | 長崎大学(略称:長崎大) Nagasaki University(略称:Nagasaki Univ) |
第 2 著者 氏名(和/英) | 針屋 昭典 / Akinori Hariya |
第 2 著者 所属(和/英) | 長崎大学(略称:長崎大) Nagasaki University(略称:Nagasaki Univ) |
第 3 著者 氏名(和/英) | 溝口 雄泰 / Yudai Mizoguchi |
第 3 著者 所属(和/英) | 長崎大学(略称:長崎大) Nagasaki University(略称:Nagasaki Univ) |
第 4 著者 氏名(和/英) | 石塚 洋一 / Yoichi Ishizuka |
第 4 著者 所属(和/英) | 長崎大学(略称:長崎大) Nagasaki University(略称:Nagasaki Univ) |
第 5 著者 氏名(和/英) | 松浦 研 / Ken Matsuura |
第 5 著者 所属(和/英) | TDK株式会社(略称:TDK) TDK Corporation(略称:TDK) |
第 6 著者 氏名(和/英) | 柳 洋成 / Hiroshige Yanagi |
第 6 著者 所属(和/英) | TDKラムダ株式会社(略称:TDKラムダ) TDK-Lambda Corporation(略称:TDK-Lambda) |
第 7 著者 氏名(和/英) | 富岡 聡 / Satoshi Tomioka |
第 7 著者 所属(和/英) | TDKラムダ株式会社(略称:TDKラムダ) TDK-Lambda Corporation(略称:TDK-Lambda) |
第 8 著者 氏名(和/英) | 二宮 保 / Tamotsu Ninomiya |
第 8 著者 所属(和/英) | 公益財団法人 アジア成長研究所(略称:アジア成長研) Asian Growth Research Institute(略称:AGI) |
発表年月日 | 2015-05-28 |
資料番号 | EE2015-1 |
巻番号(vol) | vol.115 |
号番号(no) | EE-60 |
ページ範囲 | pp.1-7(EE), |
ページ数 | 7 |
発行日 | 2015-05-21 (EE) |