講演名 2015-05-21
OCT光源応用を目指した自己組織化InAs量子ドットベース近赤外広帯域光源
尾崎 信彦(和歌山大), 保田 拓磨(和歌山大), 柴田 弘(和歌山大), 大河内 俊介(NEC), 渡辺 英一郎(物質・材料研究機構), 大里 啓孝(物質・材料研究機構), 池田 直樹(物質・材料研究機構), 杉本 喜正(物質・材料研究機構), ホッグ リチャード(シェフィールド大),
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抄録(和) 医療用光断層イメージング技術(OCT)の高性能化に寄与する光源開発を目的とし、GaAs 基板上の自己組織化InAs量子ドットを用いた広帯域光源を作製した。発光中心波長を制御した多波長のQDを活性層に含有するpn接合GaAs基板をMBE法により成長し、リッジ型導波路形成および電極蒸着によって電流注入型導波路端面発光デバイスを作製した。EL測定の結果、注入電流の増加に伴って量子ドットの高次準位間の発光が寄与し、発光中心波長が約1.2umに短波長化した。また、スペクトル形状はガウシアン形状に近づき、帯域幅約85nmが得られた。このスペクトルのコヒーレンス関数から、OCT光源として利用した場合の光軸分解能は約6.5umと見積もられ、また、ガウシアンに近いスペクトル形状を反映した低ノイズなOCT画像取得が期待される。
抄録(英) A broadband near-infrared light source based on self-assembled InAs quantum dots (QDs) with controlled emission wavelengths was developed for optical coherence tomography (OCT). A current-driven light source including four layers of QDs with different emission wavelengths exhibits a broadband (85-nm-bandwidth) emission centered at approximately 1.2μm with a Gaussian-like spectral shape at room temperature. The axial resolution estimated by a coherence function obtained from the EL spectrum was approximately 6.5 μm in air and no apparent side lobes appeared beside a peak of the coherence function, indicating the effectiveness of the QD based light source for high-resolution, noise-reduced OCT imaging.
キーワード(和) 自己組織化InAs量子ドット / MBE / 近赤外広帯域光源 / OCT
キーワード(英) Self-assembled InAs quantum dot / MBE / Near-infrared broadband light source / OCT
資料番号 LQE2015-5
発行日 2015-05-14 (LQE)

研究会情報
研究会 LQE / LSJ
開催期間 2015/5/21(から2日開催)
開催地(和) 金沢能楽美術館
開催地(英)
テーマ(和) 量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般
テーマ(英)
委員長氏名(和) 小路 元(住友電工)
委員長氏名(英) Hajime Shoji(Sumitomo Electric Industries)
副委員長氏名(和) 野田 進(京大)
副委員長氏名(英) Susumu Noda(Kyoto Univ.)
幹事氏名(和) 梅沢 俊匡(NICT) / 藤原 直樹(NTT)
幹事氏名(英) Toshimasa Umezawa(NICT) / Naoki Fujiwara(NTT)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / *
本文の言語 JPN
タイトル(和) OCT光源応用を目指した自己組織化InAs量子ドットベース近赤外広帯域光源
サブタイトル(和)
タイトル(英) Broadband near-infrared light source based on self-assembled InAs quantum dots for optical coherence tomography
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 自己組織化InAs量子ドット / Self-assembled InAs quantum dot
キーワード(2)(和/英) MBE / MBE
キーワード(3)(和/英) 近赤外広帯域光源 / Near-infrared broadband light source
キーワード(4)(和/英) OCT / OCT
第 1 著者 氏名(和/英) 尾崎 信彦 / Nobuhiko Ozaki
第 1 著者 所属(和/英) 和歌山大学(略称:和歌山大)
Wakayama University(略称:Wakayama Univ.)
第 2 著者 氏名(和/英) 保田 拓磨 / Takuma Yasuda
第 2 著者 所属(和/英) 和歌山大学(略称:和歌山大)
Wakayama University(略称:Wakayama Univ.)
第 3 著者 氏名(和/英) 柴田 弘 / Hiroshi Shibata
第 3 著者 所属(和/英) 和歌山大学(略称:和歌山大)
Wakayama University(略称:Wakayama Univ.)
第 4 著者 氏名(和/英) 大河内 俊介 / Shunsuke Ohkouchi
第 4 著者 所属(和/英) 日本電気株式会社(略称:NEC)
NEC Corporation(略称:NEC Corp.)
第 5 著者 氏名(和/英) 渡辺 英一郎 / Eiichiro Watanabe
第 5 著者 所属(和/英) 物質・材料研究機構(略称:物質・材料研究機構)
National Institute for Materials Science(略称:NIMS)
第 6 著者 氏名(和/英) 大里 啓孝 / Hirotaka Ohsato
第 6 著者 所属(和/英) 物質・材料研究機構(略称:物質・材料研究機構)
National Institute for Materials Science(略称:NIMS)
第 7 著者 氏名(和/英) 池田 直樹 / Naoki Ikeda
第 7 著者 所属(和/英) 物質・材料研究機構(略称:物質・材料研究機構)
National Institute for Materials Science(略称:NIMS)
第 8 著者 氏名(和/英) 杉本 喜正 / Yoshimasa Sugimoto
第 8 著者 所属(和/英) 物質・材料研究機構(略称:物質・材料研究機構)
National Institute for Materials Science(略称:NIMS)
第 9 著者 氏名(和/英) ホッグ リチャード / Richard Hogg
第 9 著者 所属(和/英) シェフィールド大学(略称:シェフィールド大)
Univeristy of Sheffield(略称:Univ. Sheffield)
発表年月日 2015-05-21
資料番号 LQE2015-5
巻番号(vol) vol.115
号番号(no) LQE-46
ページ範囲 pp.25-28(LQE),
ページ数 4
発行日 2015-05-14 (LQE)