| 講演名 | 2015-04-17 ［招待講演］Ge欠損系超格子を用いたTopological switching random access memory (TRAM) 高浦 則克(超低電圧デバイス技研組合), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | ICD2015-8 |
| 発行日 | 2015-04-09 (ICD) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2015/4/16(から2日開催) |
| 開催地（和） | 信州大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | メモリ（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ）技術 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 山村 毅(富士通研) |
| 委員長氏名（英） | Takeshi Yamamura(Fujitsu Labs.) |
| 副委員長氏名（和） | 藤島 実(広島大) |
| 副委員長氏名（英） | Minoru Fujishima(Hiroshima Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 渡辺 理(東芝) |
| 幹事氏名（英） | Osamu Watanabe(Toshiba) |
| 幹事補佐氏名（和） | 吉田 毅(広島大) / 高宮 真(東大) / 土谷 亮(京大) / 範 公可(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takeshi Yoshida(Hiroshima Univ.) / Makoto Takamiya(Univ. of Tokyo) / Akira Tsuchiya(Kyoto Univ.) / Pham Konkuha(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Integrated Circuits and Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］Ge欠損系超格子を用いたTopological switching random access memory (TRAM) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] GexTe1-x/Sb2Te3 Topological switching random access memory (TRAM) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高浦 則克 / Norikatsu Takaura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 超低電圧デバイス技術研究組合(略称：超低電圧デバイス技研組合) Low-power Electronics Association and Project(略称：LEAP) |
| 発表年月日 | 2015-04-17 |
| 資料番号 | ICD2015-8 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | ICD-6 |
| ページ範囲 | pp.33-37(ICD), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-04-09 (ICD) |