| 講演名 | 2015-04-16 InGaAs HEMTを用いた60GHz帯リアクティブ負帰還F級電力増幅器の設計 渡邊 邦彦(東京理科大), 楳田 洋太郎(東京理科大), 吉田 智洋(東北大), 末光 哲也(東北大), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 本報告では，InGaAs HEMTを用いて入出力整合回路を備えた60GHz帯モノリシックF級電力増幅器の設計について述べる．InGaAs HEMTは高速動作が可能であるが不安定性が強いため，リアクタンスを用いた無損失な負帰還により増幅器の安定化を図る．また，特性改善の指針を探るため，回路を信号方向に分割し，各部の電力利得を調べることにより，電力増幅器のどの部分が電力効率の低下に寄与しているのかを調査する．このF級電力増幅器を設計し，回路シミュレーションを行い，入出力整合回路の損失を含めて電力付加効率(PAE) 32.6%を得たことを報告する． |
| 抄録(英) | In this paper, InGaAs HEMT 60GHz Class-F power amplifier (PA) with reactive negative feedback is designed and simulated. The PA also has matching circuits. Although InGaAs HEMTs operate in high speed, stability is worse than other transistors. So we add this PA lossless negative feedback to make this PA stable. For improving the PA’s property, we analyze which part of this PA contributes to a drop of power-added-efficiency (PAE) by dividing PA and simulating the gains of each parts. The designed PA shows PAE of 32.6% including loss of matching circuits at 60GHz. |
| キーワード(和) | InGaAs HEMT / F級電力増幅器 / ミリ波 / 電力付加効率(PAE) / 負帰還 / 安定化 |
| キーワード(英) | InGaAs HEMT / Class-F power amplifier / Millimeter wave / PAE / Negative feedback / Stabilization |
| 資料番号 | WPT2015-4,MW2015-4 |
| 発行日 | 2015-04-09 (WPT, MW) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | WPT / MW |
|---|---|
| 開催期間 | 2015/4/16(から2日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 無線電力伝送技術を支えるマイクロ波技術・一般 |
| テーマ（英） | Microwave technologies for Wireless Power Transfer, Superconducting Microwave technologies, Microwave technologies, etc. |
| 委員長氏名（和） | 篠原 真毅(京大) / 黒木 太司(呉高専) |
| 委員長氏名（英） | Naoki Shinohara(Kyoto Univ.) / Futoshi Kuroki(Kure National College of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | / 中津川 征士(NTT) / 九鬼 孝夫(NHKエンジニアリングシステム) / 山中 宏治(三菱電機) |
| 副委員長氏名（英） | / Masashi Nakatsugawa(NTT) / Takao Kuki(NHK-ES) / Koji Yamanaka(Mitsubishi Electric) |
| 幹事氏名（和） | 袁 巧微(仙台高専) / 西川 健二郎(鹿児島大) / 山之内 慎吾(NEC) / 山口 陽(NTT) |
| 幹事氏名（英） | Qiaowei Yuan(Sendai National College of Tech.) / Kenjiro Nishikawa(Kagoshima Univ.) / Shingon Yamanouchi(NEC) / Yo Yamaguchi(NTT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 平山 裕(名工大) / 日景 隆(北大) / 大平 昌敬(埼玉大) / 石川 亮(電通大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Hiroshi Hirayama(Nagoya Inst. of Tech.) / Takashi Hikagae(Hokkaido Univ.) / Masataka Ohira(Saitama Univ.) / Ryo Ishikawa(Univ. of Electro-Comm.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Wireless Power Transfer / Technical Committee on Microwaves |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InGaAs HEMTを用いた60GHz帯リアクティブ負帰還F級電力増幅器の設計 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Design of a 60GHz InGaAs HEMT class-F power amplifier with reactive negative feedback |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaAs HEMT / InGaAs HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | F級電力増幅器 / Class-F power amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | ミリ波 / Millimeter wave |
| キーワード(4)（和/英） | 電力付加効率(PAE) / PAE |
| キーワード(5)（和/英） | 負帰還 / Negative feedback |
| キーワード(6)（和/英） | 安定化 / Stabilization |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡邊 邦彦 / Kunihiko Watanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京理科大学(略称：東京理科大) Tokyo University of Science(略称：Tokyo Univ. of Science) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 楳田 洋太郎 / Yohtaro Umeda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京理科大学(略称：東京理科大) Tokyo University of Science(略称：Tokyo Univ. of Science) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 吉田 智洋 / Tomohiro Yoshida |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 末光 哲也 / Tetsuya Suemitsu |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 発表年月日 | 2015-04-16 |
| 資料番号 | WPT2015-4,MW2015-4 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | WPT-3,MW-4 |
| ページ範囲 | pp.15-19(WPT), pp.15-19(MW), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2015-04-09 (WPT, MW) |