講演名 2015-04-22
テラヘルツ帯ミキサ応用のためのSi基板上NbNトンネル接合の最適化
牧瀬 圭正(NICT), 寺井 弘高(NICT),
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抄録(和) 我々はテラヘルツ帯応用に向けて窒化ニオブ超伝導ミキサ開発を行っている。本稿では、これまで行ってきたMgO基板上のエピタキシャルNbNトンネル接合に加えて、新たにSi(100)基板上に窒化チタンをバッファーとして、NbN膜を(100)配向させるプロセスを開発した。さらに我々はNbNトンネル接合も作製し、漏れ電流の少ないIV特性を持つ高品質なトンネル接合の実現に向けて最適化を行った。
抄録(英) We have developed a niobium nitride superconducting mixer for terahertz band application. The NbN films are epitaxially grown with (100) direction on MgO (100) substrates, while the NbN films on Si substrate is polycrystalline. In this paper, We reported the fabrication technique of (100)-oriented NbN thin films on Si (100) wafers by DC magnetron sputtering method using TiN as a buffer layer. Moreover, the junctions consist of epitaxial NbN/AlN/NbN tunnel junctions using TiN buffer layer fabricated on single-crystal Si(100) substrates.
キーワード(和) トンネル接合 / 窒化ニオブ / SISミキサ
キーワード(英) Tunnel Junction / Niobium nitride / SIS mixer
資料番号
発行日

研究会情報
研究会 SCE
開催期間 2015/4/22(から1日開催)
開催地(和) 機械振興会館地下3階2号室
開催地(英) Kikaishinkou-kaikan
テーマ(和) 高周波応用、デバイス関係、一般
テーマ(英) High frequency application, Devices, etc.
委員長氏名(和) 円福 敬二(九大)
委員長氏名(英) Keiji Unpuku(Kyushu Univ.)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和) 廿日出 好(近畿大) / 山梨 裕希(横浜国大)
幹事氏名(英) Yoshimi Hatsukade(Kinki Univ.) / Yuki Yamanashi(Yokohama National Univ.)
幹事補佐氏名(和) 赤池 宏之(名大)
幹事補佐氏名(英) Hiroyuki Akaike(Nagoya Univ.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Superconductive Electronics
本文の言語 JPN
タイトル(和) テラヘルツ帯ミキサ応用のためのSi基板上NbNトンネル接合の最適化
サブタイトル(和)
タイトル(英) Optimization of the Si substrate on NbN tunnel junctions for the terahertz mixing applications
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) トンネル接合 / Tunnel Junction
キーワード(2)(和/英) 窒化ニオブ / Niobium nitride
キーワード(3)(和/英) SISミキサ / SIS mixer
第 1 著者 氏名(和/英) 牧瀬 圭正 / Kazumasa Makise
第 1 著者 所属(和/英) 情報通信研究機構(略称:NICT)
National Instruments of Infomation and communications technology(略称:NICT)
第 2 著者 氏名(和/英) 寺井 弘高 / Hirotaka Terai
第 2 著者 所属(和/英) 情報通信研究機構(略称:NICT)
National Instruments of Infomation and communications technology(略称:NICT)
発表年月日 2015-04-22
資料番号
巻番号(vol) vol.115
号番号(no) SCE-13
ページ範囲 pp.-(),
ページ数
発行日