| 講演名 | 2015-04-29 フッ素による酸化物In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタの欠陥終端効果と信頼性に及ぼす影響 古田 守(高知工科大), ジャン ジンシン(高知工科大), 辰岡 玄悟(高知工科大), 王 大鵬(高知工科大), |
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| 抄録(和) | 本研究では酸化物In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタ(IGZO TFT)におけるフッ素による欠陥終端効果とその信頼性影響に関して検討した。パッシベーション膜としてフッ素を含有する窒化シリコンを用い、ポストアニールによりフッ素をIGZO中に拡散させることでTFTの特性、特にバイアスストレス信頼性が劇的に改善されることを見いだした。フッ素によるIGZO TFTの欠陥補償は酸化物TFTの高性能・高信頼性化に重要な役割を果たすことが期待される。 |
| 抄録(英) | Effets of fluorine in In-Ga-Zn-O on defect passivation and reliability improvement of thin-film transistor have been investigated. Fluorine contained silicon nitride (SiNx:F) was used as a passivation layer of the IGZO TFT. We found that reliability of the IGZO TFT dramatically improved when fluorine diffused into an IGZO channel through post-fabrication annealing. The fluorine-passivated IGZO TFT has enhanced operation temperature, and is advantageous for achieving highly reliable oxide TFTs for next-generation displays. |
| キーワード(和) | In-Ga-Zn-O (IGZO) / 薄膜トランジスタ / フッ素 / 欠陥補償 / 信頼性 |
| キーワード(英) | In-Ga-Zn-O (IGZO) / thin-film transistor (TFT) / fluorine / defect passivation / reliability |
| 資料番号 | SDM2015-8,OME2015-8 |
| 発行日 | 2015-04-22 (SDM, OME) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME / SDM |
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| 開催期間 | 2015/4/29(から2日開催) |
| 開催地（和） | 大濱信泉記念館多目的ホール |
| 開催地（英） | Oh-hama Nobumoto Memorial Hall |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・材料・評価技術、バイオテクノロジー、および一般 |
| テーマ（英） | Thin FIlms, Functional Electronics Devices, New Functional Materials and Evaluation, BIomtechnology |
| 委員長氏名（和） | 加藤 景三(新潟大) / 大野 裕三(筑波大) |
| 委員長氏名（英） | Keizo Kato(Niigata Univ.) / Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba) |
| 副委員長氏名（和） | 松田 直樹(産総研) / 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 副委員長氏名（英） | Naoki Matsuda(AIST) / Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 幹事氏名（和） | 瀧本 清(キヤノン電子) / 森 竜雄(愛知工大) / 黒田 理人(東北大) |
| 幹事氏名（英） | Kiyoshi Takimoto(Canon Electronics) / Tatsuo Mori(Aichi Inst. of Tech.) / Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 鴻野 晃洋(NTT) / 井上 振一郎(NICT) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事補佐氏名（英） | Akihiro Kohno(NTT) / Shinichiro Inoue(NICT) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Organic Molecular Electronics / Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | フッ素による酸化物In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタの欠陥終端効果と信頼性に及ぼす影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of fluorine in In-Ga-Zn-O on defect passivartion and reliability of thin-film transistors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | In-Ga-Zn-O (IGZO) / In-Ga-Zn-O (IGZO) |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ / thin-film transistor (TFT) |
| キーワード(3)（和/英） | フッ素 / fluorine |
| キーワード(4)（和/英） | 欠陥補償 / defect passivation |
| キーワード(5)（和/英） | 信頼性 / reliability |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 古田 守 / Mamoru Furuta |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 高知工科大学(略称：高知工科大) Kochi University of Technology(略称：Kochi Univ. of Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | ジャン ジンシン / Jingxin Jiang |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 高知工科大学(略称：高知工科大) Kochi University of Technology(略称：Kochi Univ. of Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 辰岡 玄悟 / Gengo Tatsuoka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 高知工科大学(略称：高知工科大) Kochi University of Technology(略称：Kochi Univ. of Tech.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 王 大鵬 / Dapeng Wang |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 高知工科大学(略称：高知工科大) Kochi University of Technology(略称：Kochi Univ. of Tech.) |
| 発表年月日 | 2015-04-29 |
| 資料番号 | SDM2015-8,OME2015-8 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | SDM-18,OME-19 |
| ページ範囲 | pp.31-34(SDM), pp.31-34(OME), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-04-22 (SDM, OME) |