| 講演名 | 2015-04-30 青色半導体レーザアニール中Si膜の温度分布解析 岡田 竜弥(琉球大), 神村 盛太(琉球大), 野口 隆(琉球大), |
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| 抄録(和) | これまでに我々は、青色半導体レーザアニール法(BLDA)を用いることで20－500 nm 厚のa-Si 膜が結晶化可能であり、平坦な結晶化Si 膜が得られることを明らかにしている。本研究では、結晶化メカニズムの解明をめざし、レーザ照射中の温度分布を解析した。解析の結果、レーザを500 mm/sで走査するとき、照射開始から20 µs 程度で温度変化がほぼ定常状態となり、膜表面と膜下面の温度変化を比較すると、50 nm厚のSi膜では温度差約30 K と膜厚方向の温度勾配はほとんどないことが分かった。膜内で均一な加熱昇温が実現でき、安定な結晶化が期待できる。 |
| 抄録(英) | We have reported that Blue Multi-Laser Diode Annealing (BLDA) is effective to crystallize Si films for next generation System on Panel. In this work, we performed numerical analysis of temperature distribution during BLDA. For the calculation, blue laser beam was focused on a-Si films with thickness between 50 nm to 1 µm, and the laser beam was scanned with a speed of 500 mm/s. Around 20 µs after starting laser scanning, the annealing profile reached steady state. Temperature difference between surface and bottom-surface of film was only ~30 K for 50 nm thick Si. The result indicates that nucleation occurs uniformly in the film due to the small gradient in depth direction, thus, small grains can be obtained uniformly. |
| キーワード(和) | 青色半導体レーザ / 結晶化 / 温度解析 |
| キーワード(英) | Blue Multi-Laser Diode Annealing / Crystallization / Temperature Analysis |
| 資料番号 | SDM2015-14,OME2015-14 |
| 発行日 | 2015-04-22 (SDM, OME) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME / SDM |
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| 開催期間 | 2015/4/29(から2日開催) |
| 開催地（和） | 大濱信泉記念館多目的ホール |
| 開催地（英） | Oh-hama Nobumoto Memorial Hall |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・材料・評価技術、バイオテクノロジー、および一般 |
| テーマ（英） | Thin FIlms, Functional Electronics Devices, New Functional Materials and Evaluation, BIomtechnology |
| 委員長氏名（和） | 加藤 景三(新潟大) / 大野 裕三(筑波大) |
| 委員長氏名（英） | Keizo Kato(Niigata Univ.) / Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba) |
| 副委員長氏名（和） | 松田 直樹(産総研) / 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 副委員長氏名（英） | Naoki Matsuda(AIST) / Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 幹事氏名（和） | 瀧本 清(キヤノン電子) / 森 竜雄(愛知工大) / 黒田 理人(東北大) |
| 幹事氏名（英） | Kiyoshi Takimoto(Canon Electronics) / Tatsuo Mori(Aichi Inst. of Tech.) / Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 鴻野 晃洋(NTT) / 井上 振一郎(NICT) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事補佐氏名（英） | Akihiro Kohno(NTT) / Shinichiro Inoue(NICT) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Organic Molecular Electronics / Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 青色半導体レーザアニール中Si膜の温度分布解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Temperature Analysis of Si Films during Blue Multi-Laser Diode Annealing |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 青色半導体レーザ / Blue Multi-Laser Diode Annealing |
| キーワード(2)（和/英） | 結晶化 / Crystallization |
| キーワード(3)（和/英） | 温度解析 / Temperature Analysis |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岡田 竜弥 / Tatsuya Okada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 琉球大学(略称：琉球大) University of the Ryukyus(略称：Univ. Ryukyus) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 神村 盛太 / Seita Kamimura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 琉球大学(略称：琉球大) University of the Ryukyus(略称：Univ. Ryukyus) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野口 隆 / Takashi Noguchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 琉球大学(略称：琉球大) University of the Ryukyus(略称：Univ. Ryukyus) |
| 発表年月日 | 2015-04-30 |
| 資料番号 | SDM2015-14,OME2015-14 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | SDM-18,OME-19 |
| ページ範囲 | pp.53-55(SDM), pp.53-55(OME), |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2015-04-22 (SDM, OME) |