| 講演名 | 2015-04-30 ［招待講演］高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 黒澤 昌志(名大), 竹内 和歌奈(名大), 坂下 満男(名大), 中塚 理(名大), 財満 鎭明(名大), |
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| 抄録(和) | 光通信帯域（波長: 1.5 $mu$m）に合致する光学材料として，我々はシリコンスズ（SiSn）半導体に着目している．格子置換位置にSnを30%--60%程度取り込んだSiSnは、直接遷移型半導体になることが理論予測されている．しかし，Siに対するSnの熱平衡固溶限は0.1%以下と非常に小さく、これまで実現の目途は立っていなかった．最近我々は，非晶質SiにSnを30%導入することで，(1) Sn融点(231.9℃)以下での非晶質SiSnの結晶化，すなわち，非晶質SiSnの固相成長が進行すること，その結果として，(2) 高Sn組成（20%--30%）の多結晶および単結晶SiSnを絶縁膜およびGe基板上にそれぞれ形成できることを見出した．本報では，絶縁膜上におけるSiSnの結晶成長技術および形成したSiSn薄膜のバンド構造について紹介する． |
| 抄録(英) | This paper reports our recent progress in advanced Sn-assisted low-temperature crystallization methods for Si$_{1-x}$Sn$_{x}$ alloys ($x: 0-0.3$) on insulators and Ge substrates. Micro-probe Raman spectra and Auger electron spectroscopy depth profiles reveal the presence of the substitutional Sn content as high as 22% in the polycrystalline- and epitaxial-Si$_{1-x}$Sn$_{x}$ layers after annealing at 220℃ for 5 hrs. In addition, the band gap shrinkage due to the Sn incorporation has been demonstrated by Fourier transform infrared spectroscopy measurements. |
| キーワード(和) | IV族半導体 / シリコンスズ(SiSn) / 固相成長法 |
| キーワード(英) | group-IV semiconductor / silicon tin (SiSn) / solid phase crystallization |
| 資料番号 | SDM2015-9,OME2015-9 |
| 発行日 | 2015-04-22 (SDM, OME) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME / SDM |
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| 開催期間 | 2015/4/29(から2日開催) |
| 開催地（和） | 大濱信泉記念館多目的ホール |
| 開催地（英） | Oh-hama Nobumoto Memorial Hall |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・材料・評価技術、バイオテクノロジー、および一般 |
| テーマ（英） | Thin FIlms, Functional Electronics Devices, New Functional Materials and Evaluation, BIomtechnology |
| 委員長氏名（和） | 加藤 景三(新潟大) / 大野 裕三(筑波大) |
| 委員長氏名（英） | Keizo Kato(Niigata Univ.) / Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba) |
| 副委員長氏名（和） | 松田 直樹(産総研) / 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 副委員長氏名（英） | Naoki Matsuda(AIST) / Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 幹事氏名（和） | 瀧本 清(キヤノン電子) / 森 竜雄(愛知工大) / 黒田 理人(東北大) |
| 幹事氏名（英） | Kiyoshi Takimoto(Canon Electronics) / Tatsuo Mori(Aichi Inst. of Tech.) / Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 鴻野 晃洋(NTT) / 井上 振一郎(NICT) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事補佐氏名（英） | Akihiro Kohno(NTT) / Shinichiro Inoue(NICT) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Organic Molecular Electronics / Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 |
| サブタイトル（和） | 直接遷移構造化を目指して |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Formation of high Sn content SiSn films and its band structure |
| サブタイトル（和） | Aiming for direct-band-gap semiconductor |
| キーワード(1)（和/英） | IV族半導体 / group-IV semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | シリコンスズ(SiSn) / silicon tin (SiSn) |
| キーワード(3)（和/英） | 固相成長法 / solid phase crystallization |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 黒澤 昌志 / Masashi Kurosawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 竹内 和歌奈 / Wakana Takeuchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中塚 理 / Osamu Nakatsuka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 発表年月日 | 2015-04-30 |
| 資料番号 | SDM2015-9,OME2015-9 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | SDM-18,OME-19 |
| ページ範囲 | pp.35-37(SDM), pp.35-37(OME), |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2015-04-22 (SDM, OME) |