| 講演名 | 2015-04-30 大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射アモルファスシリコン細線による結晶成長制御およびCMOS回路の高速駆動 森崎 誠司(広島大), 林 将平(広島大), 山本 将悟(広島大), 中谷 太一(広島大), 東 清一郎(広島大), |
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| 抄録(和) | 1µmのアモルファスシリコン細線構造を用いることにより大気圧マイクロ熱プラズマジェット(µ-TPJ)の高速横方向結晶化(HSLC)によるチャネル領域のランダム粒界を抑制した。チャネル長(L)1 µmの短チャネルで形成した薄膜トランジスタ(TFT)においても細線構造が有効であり、細線構造を用いない場合に比べてTFTの特性ばらつきをおよそ1/3 以下に抑制し、NMOSで電界効果移動度は503 ± 63 cm2V-1s-1、しきい値電圧は1.7 ± 0.06 V、Sファクターは 196 ± 15 mV/dec.を達成した。さらに細線構造を用いた9段のリング発振器は電源電圧5Vで107.5 MHzで発振し、CMOS回路の高速駆動を実証した。 |
| 抄録(英) | The formation or random grain boundaries was successfully suppressed using grain growth control of high-speed lateral crystallization (HSLC) by micro-thermal-plasma-jet (µ-TPJ) irradiation on1 µm-wide amorphous silicon strips. This strip pattern is quite effective to improve the characteristics of thin film transistors (TFTs). The characteristic variability of TFTs with strip pattern was suppressed to 1/3 compared with conventional pattern. NMOS TFTs achieved field effect mobility of 503 ± 63 cm2V-1s-1, threshold voltage of 1.7 ± 0.06 V and S-factor of 196 ± 15 mV/dec.、152 ± 17 mV/dec. High-speed operation of CMOS circuit was demonstrated . 9-stage ring oscillator with strip pattern was oscillated by 107.5 MHz at supply voltage of 5 V. |
| キーワード(和) | 熱プラズマジェット / 薄膜トランジスタ / CMOS |
| キーワード(英) | Thermal Plasma Jet / Thin Film Transistor / CMOS |
| 資料番号 | SDM2015-13,OME2015-13 |
| 発行日 | 2015-04-22 (SDM, OME) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME / SDM |
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| 開催期間 | 2015/4/29(から2日開催) |
| 開催地（和） | 大濱信泉記念館多目的ホール |
| 開催地（英） | Oh-hama Nobumoto Memorial Hall |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・材料・評価技術、バイオテクノロジー、および一般 |
| テーマ（英） | Thin FIlms, Functional Electronics Devices, New Functional Materials and Evaluation, BIomtechnology |
| 委員長氏名（和） | 加藤 景三(新潟大) / 大野 裕三(筑波大) |
| 委員長氏名（英） | Keizo Kato(Niigata Univ.) / Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba) |
| 副委員長氏名（和） | 松田 直樹(産総研) / 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 副委員長氏名（英） | Naoki Matsuda(AIST) / Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 幹事氏名（和） | 瀧本 清(キヤノン電子) / 森 竜雄(愛知工大) / 黒田 理人(東北大) |
| 幹事氏名（英） | Kiyoshi Takimoto(Canon Electronics) / Tatsuo Mori(Aichi Inst. of Tech.) / Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 鴻野 晃洋(NTT) / 井上 振一郎(NICT) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事補佐氏名（英） | Akihiro Kohno(NTT) / Shinichiro Inoue(NICT) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Organic Molecular Electronics / Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射アモルファスシリコン細線による結晶成長制御およびCMOS回路の高速駆動 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Grain Growth Control by Atmospheric Pressure Micro-Thermal-Plasma-Jet Irradiation on Amorphous Silicon Strips and High-Speed Operation of CMOS Circuit |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 熱プラズマジェット / Thermal Plasma Jet |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ / Thin Film Transistor |
| キーワード(3)（和/英） | CMOS / CMOS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 森崎 誠司 / Seiji Morisaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 広島大学(略称：広島大) Hiroshima University(略称：Hiroshima Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 林 将平 / Shohei Hayashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 広島大学(略称：広島大) Hiroshima University(略称：Hiroshima Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山本 将悟 / Shogo Yamamoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 広島大学(略称：広島大) Hiroshima University(略称：Hiroshima Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 中谷 太一 / Taichi Nakatani |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 広島大学(略称：広島大) Hiroshima University(略称：Hiroshima Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 東 清一郎 / Seiichiro Higashi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 広島大学(略称：広島大) Hiroshima University(略称：Hiroshima Univ.) |
| 発表年月日 | 2015-04-30 |
| 資料番号 | SDM2015-13,OME2015-13 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | SDM-18,OME-19 |
| ページ範囲 | pp.49-52(SDM), pp.49-52(OME), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2015-04-22 (SDM, OME) |