| 講演名 | 2015-04-30 フレキシブルエレクトロニクスへ向けた非晶質GeSn/絶縁膜の横方向固相成長 松村 亮(九大/学振), 知北 大典(九大), 甲斐 友樹(九大), 佐々木 雅也(九大), 佐道 泰造(九大), 池上 浩(九大), 宮尾 正信(九大), |
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| 抄録(和) | 次世代フレキシブルエレクトロニクス実現のため、高移動度材料であるGeSnを、安価なプラスチック基板の軟化温度である200oC以下で固相成長させることに成功した。講演ではレーザーアニールを用いた独自の種付け法により結晶の位置決めはもとより、活性化エネルギーの低下や成長促進について詳細に議論する。 |
| 抄録(英) | In order to realize next generation flexible electronics, high carrier mobility materials, such as GeSn, has to be crystallized below softening temperature of reasonable flexible plastic substrates (softening temperature: ~200oC). By combining laser annealing, we have realized solid-phase crystallization of a-GeSn below 200oC on insulating substrates. This technique will be useful to realize next generation flexible electronics. |
| キーワード(和) | GeSn / 固相成長法 / レーザーアニール |
| キーワード(英) | GeSn / solid-phase crystallization / laser annealing |
| 資料番号 | SDM2015-10,OME2015-10 |
| 発行日 | 2015-04-22 (SDM, OME) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME / SDM |
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| 開催期間 | 2015/4/29(から2日開催) |
| 開催地（和） | 大濱信泉記念館多目的ホール |
| 開催地（英） | Oh-hama Nobumoto Memorial Hall |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・材料・評価技術、バイオテクノロジー、および一般 |
| テーマ（英） | Thin FIlms, Functional Electronics Devices, New Functional Materials and Evaluation, BIomtechnology |
| 委員長氏名（和） | 加藤 景三(新潟大) / 大野 裕三(筑波大) |
| 委員長氏名（英） | Keizo Kato(Niigata Univ.) / Yuzou Oono(Univ. of Tsukuba) |
| 副委員長氏名（和） | 松田 直樹(産総研) / 国清 辰也(ルネサス エレクトロニクス) |
| 副委員長氏名（英） | Naoki Matsuda(AIST) / Tatsuya Kunikiyo(Renesas) |
| 幹事氏名（和） | 瀧本 清(キヤノン電子) / 森 竜雄(愛知工大) / 黒田 理人(東北大) |
| 幹事氏名（英） | Kiyoshi Takimoto(Canon Electronics) / Tatsuo Mori(Aichi Inst. of Tech.) / Rihito Kuroda(Tohoku Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 鴻野 晃洋(NTT) / 井上 振一郎(NICT) / 山口 直(ルネサス エレクトロニクス) |
| 幹事補佐氏名（英） | Akihiro Kohno(NTT) / Shinichiro Inoue(NICT) / Tadashi Yamaguchi(Renesas) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Organic Molecular Electronics / Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | フレキシブルエレクトロニクスへ向けた非晶質GeSn/絶縁膜の横方向固相成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Lateral solid-phase crystallization of a-GeSn on insulator for next generation flexible electronics |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GeSn / GeSn |
| キーワード(2)（和/英） | 固相成長法 / solid-phase crystallization |
| キーワード(3)（和/英） | レーザーアニール / laser annealing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松村 亮 / Ryo Matsumura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州大学/学振特別研究員(略称：九大/学振) Kyushu University/ JSPS Research Fellow(略称：Kyushu Univ./ JSPS) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 知北 大典 / Hironori Chikita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州大学(略称：九大) Kyushu University(略称：Kyushu Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 甲斐 友樹 / Yuki Kai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州大学(略称：九大) Kyushu University(略称：Kyushu Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐々木 雅也 / Masaya Sasaki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 九州大学(略称：九大) Kyushu University(略称：Kyushu Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佐道 泰造 / Taizoh Sadoh |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 九州大学(略称：九大) Kyushu University(略称：Kyushu Univ.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 池上 浩 / Hiroshi Ikenoue |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 九州大学(略称：九大) Kyushu University(略称：Kyushu Univ.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 宮尾 正信 / Masanobu Miyao |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 九州大学(略称：九大) Kyushu University(略称：Kyushu Univ.) |
| 発表年月日 | 2015-04-30 |
| 資料番号 | SDM2015-10,OME2015-10 |
| 巻番号（vol） | vol.115 |
| 号番号（no） | SDM-18,OME-19 |
| ページ範囲 | pp.39-40(SDM), pp.39-40(OME), |
| ページ数 | 2 |
| 発行日 | 2015-04-22 (SDM, OME) |