講演名 2024-02-21
[招待講演]3次元集積回路の電源品質改善のための裏面埋設配線技術の開発
渡辺 直也(産総研), 荒賀 佑樹(産総研), 島本 晴夫(産総研), 永田 真(神戸大), 菊地 克弥(産総研),
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抄録(和)
抄録(英)
キーワード(和)
キーワード(英)
資料番号 SDM2023-83
発行日 2024-02-14 (SDM)

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2024/2/21(から1日開催)
開催地(和) 東京大学 本郷 工4号館
開催地(英) Tokyo University-Hongo-Engineering Bldg.4
テーマ(和) 配線・実装時術と関連材料技術
テーマ(英)
委員長氏名(和) 大見 俊一郎(東工大)
委員長氏名(英) Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.)
副委員長氏名(和) 宇佐美 達矢(ラピダス)
副委員長氏名(英) Tatsuya Usami(Rapidus)
幹事氏名(和) 諏訪 智之(東北大) / 野田 泰史(パナソニック)
幹事氏名(英) Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) / Taiji Noda(Panasonic)
幹事補佐氏名(和) 細井 卓治(関西学院大) / 二瀬 卓也(ウエスタンデジタル)
幹事補佐氏名(英) Takuji Hosoi(Kwansei Gakuin Univ.) / Takuya Futase(Western Digital)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Silicon Device and Materials
本文の言語 JPN
タイトル(和) [招待講演]3次元集積回路の電源品質改善のための裏面埋設配線技術の開発
サブタイトル(和)
タイトル(英) [Invited Talk] Development of Backside Buried Metal Layer Technology to Enhance Power Integrity of Three-Dimensional Integrated Circuits
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英)
第 1 著者 氏名(和/英) 渡辺 直也 / Naoya Watanabe
第 1 著者 所属(和/英) 国立研究開発法人産業技術総合研究所(略称:産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称:AIST)
第 2 著者 氏名(和/英) 荒賀 佑樹 / Yuuki Araga
第 2 著者 所属(和/英) 国立研究開発法人産業技術総合研究所(略称:産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称:AIST)
第 3 著者 氏名(和/英) 島本 晴夫 / Haruo Shimamoto
第 3 著者 所属(和/英) 国立研究開発法人産業技術総合研究所(略称:産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称:AIST)
第 4 著者 氏名(和/英) 永田 真 / Makoto Nagata
第 4 著者 所属(和/英) 神戸大学(略称:神戸大)
Kobe University(略称:Kobe Univ.)
第 5 著者 氏名(和/英) 菊地 克弥 / Katsuya Kikuchi
第 5 著者 所属(和/英) 国立研究開発法人産業技術総合研究所(略称:産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称:AIST)
発表年月日 2024-02-21
資料番号 SDM2023-83
巻番号(vol) vol.123
号番号(no) SDM-385
ページ範囲 pp.9-15(SDM),
ページ数 7
発行日 2024-02-14 (SDM)