講演名 | 2024-02-21 [招待講演]3次元集積回路の電源品質改善のための裏面埋設配線技術の開発 渡辺 直也(産総研), 荒賀 佑樹(産総研), 島本 晴夫(産総研), 永田 真(神戸大), 菊地 克弥(産総研), |
---|---|
PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
抄録(和) | |
抄録(英) | |
キーワード(和) | |
キーワード(英) | |
資料番号 | SDM2023-83 |
発行日 | 2024-02-14 (SDM) |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
---|---|
開催期間 | 2024/2/21(から1日開催) |
開催地(和) | 東京大学 本郷 工4号館 |
開催地(英) | Tokyo University-Hongo-Engineering Bldg.4 |
テーマ(和) | 配線・実装時術と関連材料技術 |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | 大見 俊一郎(東工大) |
委員長氏名(英) | Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
副委員長氏名(和) | 宇佐美 達矢(ラピダス) |
副委員長氏名(英) | Tatsuya Usami(Rapidus) |
幹事氏名(和) | 諏訪 智之(東北大) / 野田 泰史(パナソニック) |
幹事氏名(英) | Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) / Taiji Noda(Panasonic) |
幹事補佐氏名(和) | 細井 卓治(関西学院大) / 二瀬 卓也(ウエスタンデジタル) |
幹事補佐氏名(英) | Takuji Hosoi(Kwansei Gakuin Univ.) / Takuya Futase(Western Digital) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
---|---|
本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | [招待講演]3次元集積回路の電源品質改善のための裏面埋設配線技術の開発 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | [Invited Talk] Development of Backside Buried Metal Layer Technology to Enhance Power Integrity of Three-Dimensional Integrated Circuits |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | |
第 1 著者 氏名(和/英) | 渡辺 直也 / Naoya Watanabe |
第 1 著者 所属(和/英) | 国立研究開発法人産業技術総合研究所(略称:産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称:AIST) |
第 2 著者 氏名(和/英) | 荒賀 佑樹 / Yuuki Araga |
第 2 著者 所属(和/英) | 国立研究開発法人産業技術総合研究所(略称:産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称:AIST) |
第 3 著者 氏名(和/英) | 島本 晴夫 / Haruo Shimamoto |
第 3 著者 所属(和/英) | 国立研究開発法人産業技術総合研究所(略称:産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称:AIST) |
第 4 著者 氏名(和/英) | 永田 真 / Makoto Nagata |
第 4 著者 所属(和/英) | 神戸大学(略称:神戸大) Kobe University(略称:Kobe Univ.) |
第 5 著者 氏名(和/英) | 菊地 克弥 / Katsuya Kikuchi |
第 5 著者 所属(和/英) | 国立研究開発法人産業技術総合研究所(略称:産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称:AIST) |
発表年月日 | 2024-02-21 |
資料番号 | SDM2023-83 |
巻番号(vol) | vol.123 |
号番号(no) | SDM-385 |
ページ範囲 | pp.9-15(SDM), |
ページ数 | 7 |
発行日 | 2024-02-14 (SDM) |