| 講演名 | 2024-02-21 ［招待講演］Cu/SiCNハイブリッド接合の接合前表面最適化技術 中山 航平(横浜国大), 端山 健太(横浜国大), 神谷 佑哲(横浜国大), 井上 史大(横浜国大), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 三次元集積や先端チップレット集積を実現する手法としてハイブリッド接合に期待が寄せられている．ハイブリッド接合は高い歩留まり実現のために，Cu表面の平坦性に加え，Cu酸化膜および接合表面に付着した残留物の効果的な除去が不可欠である．ハイブリッド接合の絶縁膜にはSiO2と比較して，高い接合強度，ボイド抑制，Cu拡散防止性に優れているSiCNが注目を集めている．しかし，Cu/SiCNハイブリッド接合表面のCMPに関する研究は十分には行われていない．そこで，本研究ではCMP工程からCMP後洗浄，プラズマ表面活性化を含むハイブリッド接合前までの接合表面をCu，Ta，SiCN，SiO2で評価した． |
| 抄録(英) | Hybrid bonding is considered the key enabler for advanced chiplet integration, which requires finer pitch vertical connection [1-3]. Cu pad topography, cleanliness, and Cu oxide control are the crucial parameters for the high yield in this integration scheme. SiCN is known as a promising dielectric layer for hybrid bonding because it outperforms bonding strength, void suppression, and diffusion barrier property than SiO2 [4,5]. However, the optimized CMP conditions for Cu/SiCN hybrid bonding have not been well studied. In this study, we investigated the Cu, Ta, SiO2 and SiCN surfaces in various evaluation methods. Furthermore, discuss the suitable CMP conditions, including post-CMP clean. |
| キーワード(和) | ハイブリッド接合 / 3次元集積 / チップレット / Cu SiCN CMP |
| キーワード(英) | Hybrid bonding / 3D integration / Chiplet / Cu SiCN CMP |
| 資料番号 | SDM2023-85 |
| 発行日 | 2024-02-14 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2024/2/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | 東京大学 本郷 工4号館 |
| 開催地（英） | Tokyo University-Hongo-Engineering Bldg.4 |
| テーマ（和） | 配線・実装時術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 大見 俊一郎(東工大) |
| 委員長氏名（英） | Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 宇佐美 達矢(ラピダス) |
| 副委員長氏名（英） | Tatsuya Usami(Rapidus) |
| 幹事氏名（和） | 諏訪 智之(東北大) / 野田 泰史(パナソニック) |
| 幹事氏名（英） | Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) / Taiji Noda(Panasonic) |
| 幹事補佐氏名（和） | 細井 卓治(関西学院大) / 二瀬 卓也(ウエスタンデジタル) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takuji Hosoi(Kwansei Gakuin Univ.) / Takuya Futase(Western Digital) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］Cu/SiCNハイブリッド接合の接合前表面最適化技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Optimization of Pre-Bonding Surface for Cu/SiCN Hybrid Bonding |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ハイブリッド接合 / Hybrid bonding |
| キーワード(2)（和/英） | 3次元集積 / 3D integration |
| キーワード(3)（和/英） | チップレット / Chiplet |
| キーワード(4)（和/英） | Cu SiCN CMP / Cu SiCN CMP |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中山 航平 / Kohei Nakayama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 横浜国立大学(略称：横浜国大) YOKOHAMA National University(略称：YNU) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 端山 健太 / Kenta Hayama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 横浜国立大学(略称：横浜国大) YOKOHAMA National University(略称：YNU) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 神谷 佑哲 / Yutesu Kamiya |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 横浜国立大学(略称：横浜国大) YOKOHAMA National University(略称：YNU) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 井上 史大 / Fmihiro Inoue |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 横浜国立大学(略称：横浜国大) YOKOHAMA National University(略称：YNU) |
| 発表年月日 | 2024-02-21 |
| 資料番号 | SDM2023-85 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | SDM-385 |
| ページ範囲 | pp.20-26(SDM), |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | 2024-02-14 (SDM) |