| 講演名 | 2024-02-29 低閾値GaAs GADを用いる920MHz帯高ダイナミックレンジ微弱電力レクテナ 平瀬 大暉(金沢工大), 廣瀬 裕也(金沢工大), 平井 司(金沢工大), 加藤 岳(日清紡マイクロデバイス), 河野 孝昌(日清紡マイクロデバイス), 坂井 尚貴(金沢工大), 伊東 健治(金沢工大), |
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| 抄録(和) | 本報告では低閾値GaAs gated anode diode (GAD)を用いる920 MHz帯高ダイナミックレンジ微弱電力レクテナを示す．GaAs GADは製造プロセスにより閾値の制御が可能であり，Si 素子と同等の閾値を得ることができる．同時にSi SBDより高いブレークダウン電圧が得られる．そのような低閾値GaAs GADを用いる整流器MMICと，これによる920MHz帯レクテナの試作結果を示す．ブリッジ整流器では開放負荷0.3Vで規定する感度点-26dBm，最大入力電力の推定値11dBmである．2段倍電圧整流器では感度点-36dBm，最大入力電力の推定値12dBmである．これらから与えられるダイナミックレンジは，過去報告されたSi 素子による整流器より高い値である．また送信アンテナの近傍でのレクテナの動作を可能とする. |
| 抄録(英) | In In this paper, the 920 MHz band low power rectifiers with low threshold voltage GaAs gated anode diodes (GADs) are demonstrated for high dynamic range operation. The GaAs GAD has an advantage of controllability on threshold voltage. This enables low threshold voltage of GaAs GAD that is similar value as a Si SBD. In the developed 920 MHz band rectifiers that are the bridge type and the 2-stage double voltage type, measured rectification efficiencies are higher than that with commercial based Si SBD. Measured sensitivities at output voltage of 0.3 V with open load are -26 dBm and -36 dBm, respectively. Furthermore, estimated maximum input powers are 11 dBm and 12 dBm, respectively. This indicates operation availability at near-field region to the transmitter. This clarifies extreme higher dynamic range of the developed GaAs rectifiers, compared with Si rectifiers in past works. |
| キーワード(和) | microwave / GaAs / gated anode diode / rectifier / MMIC |
| キーワード(英) | microwave / GaAs / gated anode diode / rectifier / MMIC |
| 資料番号 | MW2023-179 |
| 発行日 | 2024-02-22 (MW) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2024/2/29(から2日開催) |
| 開催地（和） | 岡山県立大学 |
| 開催地（英） | Okayama Prefectural University |
| テーマ（和） | マイクロ波?般 |
| テーマ（英） | Microwave, etc. |
| 委員長氏名（和） | 大久保 賢祐(岡山県立大) |
| 委員長氏名（英） | Kensuke Okubo(Okayama Prefectural Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 真田 篤志(阪大) / 平井 暁人(三菱電機) |
| 副委員長氏名（英） | Atsushi Sanada(Osaka Univ.) / Akihito Hirai(Mitsubishi Electric) |
| 幹事氏名（和） | 石川 亮(電通大) / 今井 翔平(村田製作所) |
| 幹事氏名（英） | Ryo Ishikawa(Univ. of Electro-Comm) / Shohei Imai(Murata Manufacturing) |
| 幹事補佐氏名（和） | 古市 朋之(東北大) / 片山 光亮(徳山高専) |
| 幹事補佐氏名（英） | Tomoyuki Furuichi(Tohoku Univ.) / Kosuke Katayama(NIT Tokuyama College) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低閾値GaAs GADを用いる920MHz帯高ダイナミックレンジ微弱電力レクテナ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High Dynamic Range 920 MHz Band Low Power Rectenna with Low Threshold voltage GaAs GADs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | microwave / microwave |
| キーワード(2)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(3)（和/英） | gated anode diode / gated anode diode |
| キーワード(4)（和/英） | rectifier / rectifier |
| キーワード(5)（和/英） | MMIC / MMIC |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 平瀬 大暉 / Taiki Hirase |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：Kanazawa IT.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 廣瀬 裕也 / Yuya Hirose |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：Kanazawa IT.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 平井 司 / Tsukasa Hirai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：Kanazawa IT.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 加藤 岳 / Gaku Kato |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日清紡マイクロデバイス株式会社(略称：日清紡マイクロデバイス) Nisshinbo Micro Devices Inc.(略称：Nisshinbo Micro Devices) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 河野 孝昌 / Takamasa Kono |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日清紡マイクロデバイス株式会社(略称：日清紡マイクロデバイス) Nisshinbo Micro Devices Inc.(略称：Nisshinbo Micro Devices) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 坂井 尚貴 / Naoki Sakai |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：Kanazawa IT.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 伊東 健治 / Kenji Itoh |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：Kanazawa IT.) |
| 発表年月日 | 2024-02-29 |
| 資料番号 | MW2023-179 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | MW-396 |
| ページ範囲 | pp.25-30(MW), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2024-02-22 (MW) |