| 講演名 | 2023-12-07 三極型大電力パルススパッタリングによる窒化ハフニウムスピント型フィールドエミッタアレイの作製 近藤 駿(成蹊大/産総研), 中野 武雄(成蹊大), モハメッド シュルズ ミヤ(成蹊大), 長尾 昌善(産総研), 村田 博雅(産総研), |
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| 抄録(和) | 我々は、イオン化スパッタリング技術の一種である三極型大電力パルススパッタリング法（t-HPPMS）を用いたスピント型エミッタの作製を試みている。従来、エミッタ形成には真空蒸着法が用いられてきたが、スパッタ法で代替できれば、大面積化に加えて容易に化合物エミッタを作製できるようになる。通常のスパッタではスパッタ粒子の入射方向の指向性が低くエミッタ作製には不向きであるが、t-HPPMSでは、プラズマと接触するキャップ電極に正バイアスを印加することでプラズマ電位を制御できるため、スパッタ粒子の基板法線方向の指向性を高めることができる。今回、リフトオフ用Alのホール径およびt-HPPMSのキャップ電位を制御することで、HfNエミッタの作製に成功したので、これらの結果について報告する。 |
| 抄録(英) | We have been attempting to fabricate Spindt-type emitter using the triode high-power pulsed magnetron sputtering (t-HPPMS) method, a kind of ionized sputtering technique. The vacuum deposition method has been used so far to form emitter cone in the Spindt-type emitter fabrication. If the sputtering method can be substituted, it will be achieved to use compound material suitable for emitter in addition to large area deposition. In t-HPPMS system, the plasma potential can be controlled by applying a positive bias to the cap electrode that is in contact with the plasma. Therefore, the direction of the sputtered particles can be aligned with the normal direction to the substrate. In this study, we will report on the fabrication of HfN emitters by controlling the hole diameter of Al for lift-off layer and the cap voltage of t-HPPMS. |
| キーワード(和) | スピント型エミッタ / 窒化ハフニウム / 三極型大電力パルススパッタリング |
| キーワード(英) | Spindt-type Field Emitter Arrays / Hafnium Nitride / Triode High Power Pulsed Magnetron Sputtering |
| 資料番号 | ED2023-41 |
| 発行日 | 2023-11-30 (ED) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 2023/12/7(から2日開催) |
| 開催地（和） | ウインクあいち（愛知県産業労働センター） |
| 開催地（英） | WINC AICHI |
| テーマ（和） | 電子・イオンビーム応用 |
| テーマ（英） | Applications of electron and ion beam |
| 委員長氏名（和） | 葛西 誠也(北大) |
| 委員長氏名（英） | Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 新井 学(名大) |
| 副委員長氏名（英） | Manabu Arai(Nagoya Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 大石 敏之(佐賀大) / 山本 佳嗣(三菱電機) |
| 幹事氏名（英） | Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) |
| 幹事補佐氏名（和） | 小山 政俊(阪工大) / 吉田 智洋(住友電工デバイス・イノベーション) |
| 幹事補佐氏名（英） | Masatoshi Koyama(Osaka Inst. of Tech.) / Tomohiro Yoshida(SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 三極型大電力パルススパッタリングによる窒化ハフニウムスピント型フィールドエミッタアレイの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of Hafnium Nitride Spindt-type Field Emitter Arrays by Triode High Power Pulsed Magnetron Sputtering |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | スピント型エミッタ / Spindt-type Field Emitter Arrays |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化ハフニウム / Hafnium Nitride |
| キーワード(3)（和/英） | 三極型大電力パルススパッタリング / Triode High Power Pulsed Magnetron Sputtering |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 近藤 駿 / Shun Kondo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 成蹊大学/産業技術総合研究所(略称：成蹊大/産総研) Seikei University/AIST(略称：Seikei University/AIST) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中野 武雄 / Takeo Nakano |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 成蹊大学(略称：成蹊大) Seikei University(略称：Seikei University) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | モハメッド シュルズ ミヤ / Md. Suruz Mian |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 成蹊大学(略称：成蹊大) Seikei University(略称：Seikei University) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 長尾 昌善 / Masayoshi Nagao |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) AIST(略称：AIST) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 村田 博雅 / Hiromasa Murata |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) AIST(略称：AIST) |
| 発表年月日 | 2023-12-07 |
| 資料番号 | ED2023-41 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | ED-297 |
| ページ範囲 | pp.11-14(ED), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-11-30 (ED) |