| 講演名 | 2023-11-30 半極性面GaNマイクロレンズ構造上InGaN量子井戸における広帯域発光へのアプローチ 福重 翔吾(京大), 松田 祥伸(京大), 船戸 充(京大), 川上 養一(京大), |
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| 抄録(和) | InGaN系三次元構造は，単一材料系で可視光全域をカバーする多波長発光素子として有望である．最近我々は，傾斜角が連続的に変化するGaNマイクロレンズ構造を用いたInGaN系多波長発光構造を提案している．ただし，従来のマイクロレンズ構造は，大きなピエゾ電界によって発光再結合確率の低下する(0001)極性面に形成されている．この課題に対して，我々は，ピエゾ電界の小さな半極性($bar{1}bar{1} 2 bar{2}$)面上に成長したマイクロレンズ構造からの多波長発光特性を確認したが，その波長域は紫色領域にとどまっていた．本研究では，結晶成長条件の制御に基づく，半極性面InGaN系マイクロレンズ構造の長波長化と広帯域化へのアプローチを提案する． |
| 抄録(英) | InGaN quantum wells (QWs) on three-dimensional (3D) structures provide multiwavelength emission without phosphors. Recently, we have demonstrated broadband emission from InGaN LEDs on GaN microlens structures formed on the (0001) plane, where the surface orientation variation within the single microstructure causes a wavelength variation of the emission from the InGaN QWs. However, the emission efficiency of the InGaN QWs on the (0001) polar plane is low due to the large piezoelectric fields. To circumvent this issue, we have fabricated InGaN QWs on GaN microlens structures formed on a ($bar{1}bar{1} 2 bar{2}$) semipolar plane, but the emission wavelength variations are limited in the violet region. In this study, we present approaches to obtain longer-wavelength and broader-band emission from the semipolar microlens QWs. |
| キーワード(和) | 窒化物半導体 / 有機金属気相成長 / 多波長発光 / マイクロ構造 / 半極性面 |
| キーワード(英) | Nitride semiconductors / Metal-organic vapor phase epitaxy / Multiwavelength emission / Microstructures / Semipolar plane |
| 資料番号 | ED2023-22,CPM2023-64,LQE2023-62 |
| 発行日 | 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / ED / CPM |
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| 開催期間 | 2023/11/30(から2日開催) |
| 開催地（和） | アクトシティ浜松 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 西村 公佐(KDDI総合研究所) / 葛西 誠也(北大) / 中澤 日出樹(弘前大) |
| 委員長氏名（英） | Kosuke Nishimura(KDDI Research) / Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 山口 敦史(金沢工大) / 新井 学(名大) / 寺迫 智昭(愛媛大) |
| 副委員長氏名（英） | Atsushi Yamaguchi(Kanazawa Inst. of Tech.) / Manabu Arai(Nagoya Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 田中 信介(富士通) / 西島 喜明(横浜国大) / 大石 敏之(佐賀大) / 山本 佳嗣(三菱電機) / 番場 教子(信州大) / 武山 真弓(北見工大) |
| 幹事氏名（英） | Shinsuke Tanaka(Fujitsu) / Yoshiaki Nishijima(Yokohama National Univ.) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech) |
| 幹事補佐氏名（和） | 望月 敬太(三菱電機) / 小山 政俊(阪工大) / 吉田 智洋(住友電工デバイス・イノベーション) / 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 中村 雄一(豊橋技科大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Keita Mochiduki(Yokohama National Univ.) / Masatoshi Koyama(Osaka Inst. of Tech.) / Tomohiro Yoshida(SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 半極性面GaNマイクロレンズ構造上InGaN量子井戸における広帯域発光へのアプローチ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Approaches toward broadband emission from semipolar InGaN quantum wells on GaN microlens structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化物半導体 / Nitride semiconductors |
| キーワード(2)（和/英） | 有機金属気相成長 / Metal-organic vapor phase epitaxy |
| キーワード(3)（和/英） | 多波長発光 / Multiwavelength emission |
| キーワード(4)（和/英） | マイクロ構造 / Microstructures |
| キーワード(5)（和/英） | 半極性面 / Semipolar plane |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 福重 翔吾 / Shogo Fukushige |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学(略称：京大) Kyoto University(略称：Kyoto Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松田 祥伸 / Yoshinobu Matsuda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学(略称：京大) Kyoto University(略称：Kyoto Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 船戸 充 / Mitsuru Funato |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学(略称：京大) Kyoto University(略称：Kyoto Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 川上 養一 / Yoichi Kawakami |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学(略称：京大) Kyoto University(略称：Kyoto Univ.) |
| 発表年月日 | 2023-11-30 |
| 資料番号 | ED2023-22,CPM2023-64,LQE2023-62 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | ED-288,CPM-289,LQE-290 |
| ページ範囲 | pp.40-43(ED), pp.40-43(CPM), pp.40-43(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-11-23 (ED, CPM, LQE) |