講演名 2023-11-30
自在な電気的スペクトル変調に向けたInGaN系広帯域発光構造の設計と作製
宮脇 啓嘉(京大), 松田 祥伸(京大), 船戸 充(京大), 川上 養一(京大),
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抄録(和) 蛍光体フリーな多波長発光構造としてInGaN系三次元構造がある.最近当研究室では,レジストパターン転写による基板加工技術を用いてGaN表面に浅い傾斜角分布を形成し,局所的にIn組成を制御した多波長発光構造を提案している.特に,連続的な傾斜角分布を有するマイクロレンズ構造を用いることで,ブロードバンド発光を示す多波長InGaN LEDを報告した.本研究では,自在な電気的スペクトル変調を目標に,各波長成分を独立に電気制御可能なデバイスを作製するため,マイクロレンズ構造を応用した新規構造の設計および結晶成長と評価を行った.
抄録(英) InGaN-based three-dimensional structures can realize multiwavelength-emitting structures without phosphors. Recently, we have demonstrated multiwavelength InGaN LEDs on convex lens-shaped GaN microstructures . The continuously changing surface orientation within the single microstructure causes continuous emission wavelength variation of the overgrown InGaN quantum wells. In this study, to achieve flexible electrical spectral modulation, we design and fabricate multiwavelength-emitting microstructures suitable for individual electrode formation to each wavelength component.
キーワード(和) 窒化物半導体 / 有機金属気相成長 / 多波長発光素子 / マイクロ構造
キーワード(英) Nitride semiconductors / Metal-organic vapor phase epitaxy / Multiwavelength light emitters / Microstructures
資料番号 ED2023-21,CPM2023-63,LQE2023-61
発行日 2023-11-23 (ED, CPM, LQE)

研究会情報
研究会 LQE / ED / CPM
開催期間 2023/11/30(から2日開催)
開催地(和) アクトシティ浜松
開催地(英)
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般
テーマ(英)
委員長氏名(和) 西村 公佐(KDDI総合研究所) / 葛西 誠也(北大) / 中澤 日出樹(弘前大)
委員長氏名(英) Kosuke Nishimura(KDDI Research) / Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.)
副委員長氏名(和) 山口 敦史(金沢工大) / 新井 学(名大) / 寺迫 智昭(愛媛大)
副委員長氏名(英) Atsushi Yamaguchi(Kanazawa Inst. of Tech.) / Manabu Arai(Nagoya Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.)
幹事氏名(和) 田中 信介(富士通) / 西島 喜明(横浜国大) / 大石 敏之(佐賀大) / 山本 佳嗣(三菱電機) / 番場 教子(信州大) / 武山 真弓(北見工大)
幹事氏名(英) Shinsuke Tanaka(Fujitsu) / Yoshiaki Nishijima(Yokohama National Univ.) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech)
幹事補佐氏名(和) 望月 敬太(三菱電機) / 小山 政俊(阪工大) / 吉田 智洋(住友電工デバイス・イノベーション) / 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 中村 雄一(豊橋技科大)
幹事補佐氏名(英) Keita Mochiduki(Yokohama National Univ.) / Masatoshi Koyama(Osaka Inst. of Tech.) / Tomohiro Yoshida(SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials
本文の言語 JPN
タイトル(和) 自在な電気的スペクトル変調に向けたInGaN系広帯域発光構造の設計と作製
サブタイトル(和)
タイトル(英) Design and fabrication of InGaN-based broadband light-emitting structures toward flexible electrical spectral modulation
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 窒化物半導体 / Nitride semiconductors
キーワード(2)(和/英) 有機金属気相成長 / Metal-organic vapor phase epitaxy
キーワード(3)(和/英) 多波長発光素子 / Multiwavelength light emitters
キーワード(4)(和/英) マイクロ構造 / Microstructures
第 1 著者 氏名(和/英) 宮脇 啓嘉 / Haruyoshi Miyawaki
第 1 著者 所属(和/英) 京都大学(略称:京大)
Kyoto University(略称:Kyoto Univ.)
第 2 著者 氏名(和/英) 松田 祥伸 / Yoshinobu Matsuda
第 2 著者 所属(和/英) 京都大学(略称:京大)
Kyoto University(略称:Kyoto Univ.)
第 3 著者 氏名(和/英) 船戸 充 / Mitsuru Funato
第 3 著者 所属(和/英) 京都大学(略称:京大)
Kyoto University(略称:Kyoto Univ.)
第 4 著者 氏名(和/英) 川上 養一 / Yoichi Kawakami
第 4 著者 所属(和/英) 京都大学(略称:京大)
Kyoto University(略称:Kyoto Univ.)
発表年月日 2023-11-30
資料番号 ED2023-21,CPM2023-63,LQE2023-61
巻番号(vol) vol.123
号番号(no) ED-288,CPM-289,LQE-290
ページ範囲 pp.36-39(ED), pp.36-39(CPM), pp.36-39(LQE),
ページ数 4
発行日 2023-11-23 (ED, CPM, LQE)