| 講演名 | 2023-11-09 ［招待講演］GaN基板上GaN縦型パワーデバイスの研究開発の進展と今後の展望 須田 淳(名大), |
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| 抄録(和) | GaN基板上に作製したGaN縦型パワーデバイスの研究開発の進展と今後の動向について述べる．GaN縦型パワーデバイスの設計に必要な基礎物性である, インパクトイオン化やバンド間トンネリング等の電子物性, 縦型パワーデバイス作製に必要なエピタキシャル成長技術, イオン注入技術, MOS界面技術の研究動向について解説する．また, 今後GaN縦型パワーデバイスの社会実装に向けての取り組みについても述べる． |
| 抄録(英) | Recent progress of GaN vertical power devices which fabricated on n-type GaN bulk substates. Fundamental properties of GaN (impact ionization and Zener band-to-band tunneling), progress of GaN bulk substrate developments, device fabrication processes such as epitaxial growth, ion implantation and MOS interface are reviewed. Future challenges toward commercialization of GaN vertical devices are also discussed. |
| キーワード(和) | GaN / 縦型パワーデバイス / MOS / イオン注入 / 電子物性 |
| キーワード(英) | GaN / vertical power devices / MOS / ion implantation / electrical properties |
| 資料番号 | SDM2023-63 |
| 発行日 | 2023-11-02 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2023/11/9(から2日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit simulation, etc. |
| 委員長氏名（和） | 大見 俊一郎(東工大) |
| 委員長氏名（英） | Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 宇佐美 達矢(ラピダス) |
| 副委員長氏名（英） | Tatsuya Usami(Rapidus) |
| 幹事氏名（和） | 諏訪 智之(東北大) / 野田 泰史(パナソニック) |
| 幹事氏名（英） | Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) / Taiji Noda(Panasonic) |
| 幹事補佐氏名（和） | 細井 卓治(関西学院大) / 二瀬 卓也(ウエスタンデジタル) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takuji Hosoi(Kwansei Gakuin Univ.) / Takuya Futase(Western Digital) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］GaN基板上GaN縦型パワーデバイスの研究開発の進展と今後の展望 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Current Status and Future Prospects of GaN Vertical Power Devices on GaN substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 縦型パワーデバイス / vertical power devices |
| キーワード(3)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(4)（和/英） | イオン注入 / ion implantation |
| キーワード(5)（和/英） | 電子物性 / electrical properties |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 須田 淳 / Jun Suda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 発表年月日 | 2023-11-09 |
| 資料番号 | SDM2023-63 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | SDM-250 |
| ページ範囲 | pp.7-7(SDM), |
| ページ数 | 1 |
| 発行日 | 2023-11-02 (SDM) |