| 講演名 | 2023-11-10 ［招待講演］計算科学手法によるSiC-MOS界面の電子状態・キャリア伝導特性解析 小野 倫也(神戸大), |
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| 抄録(和) | ステップテラス構造を持つ4H-SiC(0001)/SiO2界面の電子状態とキャリア散乱特性を密度汎関数理論に基づく第一原理計算により調べた．電子状態計算より，界面における接合原子構造は，伝導帯端準位の電子の振る舞いに大きく影響することが分かった．キャリア散乱特性計算の結果より，基板深部を流れる電流は界面ステップテラス構造の影響を受けず散乱が少ないことが分かった．一方，界面近傍を流れる電流は，ステップ端部を直に流れないにもかかわらずステップ端で散乱され，透過率が低いことが分かった．以上の結果より，4H-SiC(0001)基板作製時に生成される基板表面の原子状ステップが電界効果移動度向上の障害になることが示唆され，ステップテラス構造の無いSiC(0001)基板を用いれば移動度低下を抑制できることが期待される． |
| 抄録(英) | Density functional theory calculations for investigation of electronic structure and charrier scattering property of the 4H-SiC(0001)/SiO2 interface with atomic scale steps are performed. We find that the bonding structure with SiO2 affects the electronic structure of the 4H-SiC(0001)/SiO2 interface. Carrier scattering property calculation reveals that two conduction channels contribute the electron conduction at the interface. The behavior of the electrons flowing inside the substrate is insensitive to the existence of the step edges while that of the electrons flowing the channel immediately below the interface is affected at the step edge, resulting in the reduction of the transmission. |
| キーワード(和) | DFT計算 / SiC MOS / キャリア散乱 |
| キーワード(英) | DFT calculation / SiC MOS / Scattering property |
| 資料番号 | SDM2023-73 |
| 発行日 | 2023-11-02 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2023/11/9(から2日開催) |
| 開催地（和） | 機械振興会館 5階 5S-2 会議室 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit simulation, etc. |
| 委員長氏名（和） | 大見 俊一郎(東工大) |
| 委員長氏名（英） | Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 宇佐美 達矢(ラピダス) |
| 副委員長氏名（英） | Tatsuya Usami(Rapidus) |
| 幹事氏名（和） | 諏訪 智之(東北大) / 野田 泰史(パナソニック) |
| 幹事氏名（英） | Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) / Taiji Noda(Panasonic) |
| 幹事補佐氏名（和） | 細井 卓治(関西学院大) / 二瀬 卓也(ウエスタンデジタル) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takuji Hosoi(Kwansei Gakuin Univ.) / Takuya Futase(Western Digital) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］計算科学手法によるSiC-MOS界面の電子状態・キャリア伝導特性解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] DFT study on electronic structure and carrier-transport property of SiC-MOS interface. |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | DFT計算 / DFT calculation |
| キーワード(2)（和/英） | SiC MOS / SiC MOS |
| キーワード(3)（和/英） | キャリア散乱 / Scattering property |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小野 倫也 / Tomoya Ono |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 神戸大学(略称：神戸大) Kobe University(略称：Kobe Univ.) |
| 発表年月日 | 2023-11-10 |
| 資料番号 | SDM2023-73 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | SDM-250 |
| ページ範囲 | pp.47-50(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-11-02 (SDM) |