講演名 2023-11-17
ゲートバイアス制御用整流器を用いた広ダイナミックレンジ高効率GaN HEMT整流器システムに関する研究
長田 多喜(電通大), 山崎 純(電通大), 本城 和彦(電通大), 石川 亮(電通大),
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和)
抄録(英)
キーワード(和)
キーワード(英)
資料番号 MW2023-139
発行日 2023-11-09 (MW)

研究会情報
研究会 MW
開催期間 2023/11/16(から2日開催)
開催地(和) 名護市産業支援センター(沖縄)
開催地(英) Nago City Industrial Support Center (Okinawa)
テーマ(和) マイクロ波一般
テーマ(英) Microwave, etc.
委員長氏名(和) 大久保 賢祐(岡山県立大)
委員長氏名(英) Kensuke Okubo(Okayama Prefectural Univ.)
副委員長氏名(和) 真田 篤志(阪大) / 平井 暁人(三菱電機)
副委員長氏名(英) Atsushi Sanada(Osaka Univ.) / Akihito Hirai(Mitsubishi Electric)
幹事氏名(和) 石川 亮(電通大) / 今井 翔平(村田製作所)
幹事氏名(英) Ryo Ishikawa(Univ. of Electro-Comm) / Shohei Imai(Murata Manufacturing)
幹事補佐氏名(和) 古市 朋之(東北大) / 片山 光亮(徳山高専)
幹事補佐氏名(英) Tomoyuki Furuichi(Tohoku Univ.) / Kosuke Katayama(NIT Tokuyama College)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Microwaves
本文の言語 JPN
タイトル(和) ゲートバイアス制御用整流器を用いた広ダイナミックレンジ高効率GaN HEMT整流器システムに関する研究
サブタイトル(和)
タイトル(英) A Study on Wide-Dynamic-Range High-Efficiency GaN HEMT Rectifier System by Using Adaptive Gate Bias Controlling Rectifier
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英)
第 1 著者 氏名(和/英) 長田 多喜 / Taki Nagata
第 1 著者 所属(和/英) 電気通信大学(略称:電通大)
The University of Electro-Communications(略称:UEC)
第 2 著者 氏名(和/英) 山崎 純 / Jun Yamazaki
第 2 著者 所属(和/英) 電気通信大学(略称:電通大)
The University of Electro-Communications(略称:UEC)
第 3 著者 氏名(和/英) 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo
第 3 著者 所属(和/英) 電気通信大学(略称:電通大)
The University of Electro-Communications(略称:UEC)
第 4 著者 氏名(和/英) 石川 亮 / Ryo Ishikawa
第 4 著者 所属(和/英) 電気通信大学(略称:電通大)
The University of Electro-Communications(略称:UEC)
発表年月日 2023-11-17
資料番号 MW2023-139
巻番号(vol) vol.123
号番号(no) MW-268
ページ範囲 pp.71-75(MW),
ページ数 5
発行日 2023-11-09 (MW)