| 講演名 | 2023-11-17 インピーダンス変成ループアンテナを用いる 28GHz帯 SOI-CMOS 高感度 レクテナMMIC 遁所 雄大(金沢工大), 角谷 直哉(金沢工大), 小林 章伸(金沢工大), 平井 司(金沢工大), 坂井 尚貴(金沢工大), 伊東 健治(金沢工大), |
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| 抄録(和) | 本報告では，45nm SOI-CMOS基板にループアンテナと整流器を集積化した28GHz帯高感度レクテナMMICを示す．チップサイズ1.2x1.0mm?である．アンテナを小形化するために，出力端にインピーダンス変成用直列キャパシタを設け，整流器からみた共振インピーダンスを設定している．高抵抗Si基板上にアンテナ形成をしているため，チップ単体では-6.4dBiと低利得である．これに誘電体基板を介して反射板を設けることで-2.3dBiに改善している．試作したレクテナMMICの整流器の感度点は-15dBm@開放時出力電圧0.5Vである．この周波数帯においてトップの感度が得られた. |
| 抄録(英) | In this report, A 28 GHz band SOI-CMOS highly sensitive rectenna MMIC is demonstrated for millimeter wave WPT systems in the B5G era. The impedance-transformed loop antenna and 3-stage cross connected differential CMOS pairs are integrated on the chip size of 1.2 x 1.0 mm2. Due to an antenna integration on the resistive Si substrate, the low radiation gain Gant of -6.4 dBi is obtained. In the case of the rectenna chip on the dielectric substrate with a reflector, the radiation gain is improved to the practical Gant of -2.3 dBi. The measured sensitivity S of the SOI-CMOS rectifier is -15 dBm that is top performance. Even with the above low antenna gain Gant, effective sensitivity S/Gant for an overall rectenna chip is still top performance. |
| キーワード(和) | レクテナ / 整流器 / ミリ波 / WPT |
| キーワード(英) | Rectenna / Rectifier / millimater wave / WPT |
| 資料番号 | MW2023-141 |
| 発行日 | 2023-11-09 (MW) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
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| 開催期間 | 2023/11/16(から2日開催) |
| 開催地（和） | 名護市産業支援センター（沖縄） |
| 開催地（英） | Nago City Industrial Support Center (Okinawa) |
| テーマ（和） | マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Microwave, etc. |
| 委員長氏名（和） | 大久保 賢祐(岡山県立大) |
| 委員長氏名（英） | Kensuke Okubo(Okayama Prefectural Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 真田 篤志(阪大) / 平井 暁人(三菱電機) |
| 副委員長氏名（英） | Atsushi Sanada(Osaka Univ.) / Akihito Hirai(Mitsubishi Electric) |
| 幹事氏名（和） | 石川 亮(電通大) / 今井 翔平(村田製作所) |
| 幹事氏名（英） | Ryo Ishikawa(Univ. of Electro-Comm) / Shohei Imai(Murata Manufacturing) |
| 幹事補佐氏名（和） | 古市 朋之(東北大) / 片山 光亮(徳山高専) |
| 幹事補佐氏名（英） | Tomoyuki Furuichi(Tohoku Univ.) / Kosuke Katayama(NIT Tokuyama College) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | インピーダンス変成ループアンテナを用いる 28GHz帯 SOI-CMOS 高感度 レクテナMMIC |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A 28 GHz band SOI-CMOS highly sensitive rectenna MMIC with an impedance transformed loop antenna |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | レクテナ / Rectenna |
| キーワード(2)（和/英） | 整流器 / Rectifier |
| キーワード(3)（和/英） | ミリ波 / millimater wave |
| キーワード(4)（和/英） | WPT / WPT |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 遁所 雄大 / Yuudai Tondokoro |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of technology(略称：KIT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 角谷 直哉 / Naoya Kakutani |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of technology(略称：KIT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小林 章伸 / Akinobu Kobayashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of technology(略称：KIT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 平井 司 / Tukasa Hirai |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of technology(略称：KIT) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 坂井 尚貴 / Naoki Sakai |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of technology(略称：KIT) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 伊東 健治 / Kenji Itoh |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of technology(略称：KIT) |
| 発表年月日 | 2023-11-17 |
| 資料番号 | MW2023-141 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | MW-268 |
| ページ範囲 | pp.81-86(MW), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2023-11-09 (MW) |