講演名 2023-12-01
可視光光触媒g-C3N4/SnS2のZスキーム形成
森 耀平(静岡大), Baskar Malathi(静岡大), 中村 篤志(静岡大),
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抄録(和) 人工光合成では,太陽光を利用した CO2 還元において,高い光吸収能,強い酸化還元電位,高い電荷分離性能を有する光触媒を設計することが重要である.本研究で我々は,湿式化学法を用いて,g-C3N4 と SnS2 の Z スキーム機構によるヘテロ接合を形成している.同時に,電荷分離を促進し,分解効果を向上させるために接合面積を増加させることを試みた.そこで,g-C3N4 前駆体の選択,g-C3N4 と SnS2 の分散法の確立,g-C3N4 のプロトン化により,ヘテロ接合形成技術の確立と接合面積の増大を図り,Z スキーム光触媒を実現した.
抄録(英) In artificial photosynthesis, it is important to design photocatalysts with high optical absorption capability, strong redox potential, and high charge separation for CO2 reduction using sunlight. In this study, we are forming a heterojunction formation between g-C3N4 and SnS2 by Z-scheme mechanism by wet chemical method. Simultaneously, we attempted to increase the junction area to promote charge separation and improve the degradation effect. Therefore, we attempted to establish a heterojunction formation technique and increase the junction area by selecting g-C3N4 precursor, establishing a dispersion method of g-C3N4 and SnS2, and protonating g-C3N4 to realize a Z-scheme photocatalyst.
キーワード(和) 人工光合成 / g-C3N4 / SnS2 / ヘテロ接合 / Z スキーム / 二次元層状材料
キーワード(英) Artificial photosynthesis / g-C3N4 / SnS2 / heterojunction / Z scheme / 2D layered materials
資料番号 ED2023-28,CPM2023-70,LQE2023-68
発行日 2023-11-23 (ED, CPM, LQE)

研究会情報
研究会 LQE / ED / CPM
開催期間 2023/11/30(から2日開催)
開催地(和) アクトシティ浜松
開催地(英)
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般
テーマ(英)
委員長氏名(和) 西村 公佐(KDDI総合研究所) / 葛西 誠也(北大) / 中澤 日出樹(弘前大)
委員長氏名(英) Kosuke Nishimura(KDDI Research) / Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.)
副委員長氏名(和) 山口 敦史(金沢工大) / 新井 学(名大) / 寺迫 智昭(愛媛大)
副委員長氏名(英) Atsushi Yamaguchi(Kanazawa Inst. of Tech.) / Manabu Arai(Nagoya Univ.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.)
幹事氏名(和) 田中 信介(富士通) / 西島 喜明(横浜国大) / 大石 敏之(佐賀大) / 山本 佳嗣(三菱電機) / 番場 教子(信州大) / 武山 真弓(北見工大)
幹事氏名(英) Shinsuke Tanaka(Fujitsu) / Yoshiaki Nishijima(Yokohama National Univ.) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech)
幹事補佐氏名(和) 望月 敬太(三菱電機) / 小山 政俊(阪工大) / 吉田 智洋(住友電工デバイス・イノベーション) / 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 中村 雄一(豊橋技科大)
幹事補佐氏名(英) Keita Mochiduki(Yokohama National Univ.) / Masatoshi Koyama(Osaka Inst. of Tech.) / Tomohiro Yoshida(SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials
本文の言語 JPN
タイトル(和) 可視光光触媒g-C3N4/SnS2のZスキーム形成
サブタイトル(和)
タイトル(英) Z-scheme formation of visible light photocatalyst g-C3N4/SnS2
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 人工光合成 / Artificial photosynthesis
キーワード(2)(和/英) g-C3N4 / g-C3N4
キーワード(3)(和/英) SnS2 / SnS2
キーワード(4)(和/英) ヘテロ接合 / heterojunction
キーワード(5)(和/英) Z スキーム / Z scheme
キーワード(6)(和/英) 二次元層状材料 / 2D layered materials
第 1 著者 氏名(和/英) 森 耀平 / Yohei Mori
第 1 著者 所属(和/英) 静岡大学(略称:静岡大)
Shizuoka University(略称:Shizuoka Univ)
第 2 著者 氏名(和/英) Baskar Malathi / Baskar Malathi
第 2 著者 所属(和/英) 静岡大学(略称:静岡大)
Shizuoka University(略称:Shizuoka Univ)
第 3 著者 氏名(和/英) 中村 篤志 / Atsushi Nakamura
第 3 著者 所属(和/英) 静岡大学(略称:静岡大)
Shizuoka University(略称:Shizuoka Univ)
発表年月日 2023-12-01
資料番号 ED2023-28,CPM2023-70,LQE2023-68
巻番号(vol) vol.123
号番号(no) ED-288,CPM-289,LQE-290
ページ範囲 pp.64-67(ED), pp.64-67(CPM), pp.64-67(LQE),
ページ数 4
発行日 2023-11-23 (ED, CPM, LQE)