| 講演名 | 2023-10-13 ［招待講演］UVナノインプリントリソグラフィーの欠陥低減 伊藤 俊樹(キヤノン), |
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| 抄録(和) | 半導体デバイス製造への適用を目指して、インクジェット吐出型UVナノインプリント技術を開発中である。従来はレジストドロップが互いに独立した状態でモールドを押印していたため、ドロップ間に大量の気体を巻き込んだ。気泡欠陥を低減するため、押印時にレジスト膜中に残存する気体の体積を低減する技術に取り組んでいる。巻き込まれても速やかに透過して消失する雰囲気気体として二酸化炭素を選定した。さらに、レジストドロップの流動制御技術を開発し、ドロップ同士をモールド押印前に結合させる技術を確立した。押印前のレジストが連続的な液膜となり、気泡の巻き込みが大幅に減ることを確認した。 |
| 抄録(英) | Field-by-field type UV nanoimprint lithography equipped with on-demand inkjet dispense system has been developed, which was named Jet and Flash Imprint Lithography (JFIL). In conventional JFIL condition, the inkjet drops of the resist are still remained independent to each other when imprinting a mold, so that the ambient gas is trapped among the resist drops, the substrate and the mold to generate bubbles. It takes time for the trapped bubbles to disappear and some bubbles sometimes remain in the cured resist film to cause open defect. Waiting time for gas disappearance results in low throughput and the remained bubbles causes defect problem in JFIL. In case that carbon dioxide ambient is applied in JFIL, it was theoretically and experimentally demonstrated that the trapped carbon dioxide gas dissolved rapidly into organic liquid or organic solid layer in imprint stack. The trapped carbon dioxide gas bubble disappeared more rapidly than that of helium gas, which resulted in higher throughput and fewer defect number. Fluid control technology of drop liquid was developed based on fluid mechanics, interface science and liquid property design to have drops of imprint resist to combine prior to imprinting, which was named combined drop JFIL (CD-JFIL). In CD-JFIL, trapped gas volume is minimized to reduce imprint time and bubble defects. |
| キーワード(和) | 半導体 / ナノインプリント / リソグラフィ / インクジェット / レジスト / 二酸化炭素 / 欠陥 |
| キーワード(英) | Semiconductor / Lithography / Nanoimprint / Inkjet / Resist / Carbon dioxide / Defect |
| 資料番号 | SDM2023-54 |
| 発行日 | 2023-10-06 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2023/10/13(から1日開催) |
| 開催地（和） | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 委員長氏名（和） | 大見 俊一郎(東工大) |
| 委員長氏名（英） | Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 宇佐美 達矢(ラピダス) |
| 副委員長氏名（英） | Tatsuya Usami(Rapidus) |
| 幹事氏名（和） | 諏訪 智之(東北大) / 野田 泰史(パナソニック) |
| 幹事氏名（英） | Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) / Taiji Noda(Panasonic) |
| 幹事補佐氏名（和） | 細井 卓治(関西学院大) / 二瀬 卓也(ウエスタンデジタル) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takuji Hosoi(Kwansei Gakuin Univ.) / Takuya Futase(Western Digital) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］UVナノインプリントリソグラフィーの欠陥低減 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Defect Reduction in UV Nanoimprint Lithography |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体 / Semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | ナノインプリント / Lithography |
| キーワード(3)（和/英） | リソグラフィ / Nanoimprint |
| キーワード(4)（和/英） | インクジェット / Inkjet |
| キーワード(5)（和/英） | レジスト / Resist |
| キーワード(6)（和/英） | 二酸化炭素 / Carbon dioxide |
| キーワード(7)（和/英） | 欠陥 / Defect |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 伊藤 俊樹 / Toshiki ITO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | キヤノン株式会社(略称：キヤノン) Canon Inc.(略称：Canon) |
| 発表年月日 | 2023-10-13 |
| 資料番号 | SDM2023-54 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | SDM-211 |
| ページ範囲 | pp.1-6(SDM), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2023-10-06 (SDM) |