| 講演名 | 2023-10-13 ［招待講演］電気特性計測プラットフォームを用いたランダムテレグラフの動作条件依存性の統計的解析 間脇 武蔵(東北大), 黒田 理人(東北大), |
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| 抄録(和) | 我々はアレイテスト回路などから構成される測定システム全体を，電気特性計測プラットフォーム技術と呼称し，様々な半導体素子の電気特性を統計的に評価している．本研究では長方形と台形のゲート形状，異なる素子分離構造といった多種類・多数のトランジスタのランダムテレグラフノイズ（RTN）特性を測定し, 振幅や時定数といったRTNを特徴づけるパラメータを, 様々なドレイン-ソース間電圧(VDS) において抽出・解析した. その結果から, 各バイアス条件において, 形成されたチャネル幅が最小となる領域付近のトラップによるRTNが支配的であること, また, VDSが大きいときはソース側のトラップが最も影響力があることを明らかにした． |
| 抄録(英) | We refer to the overall measurement system composed of array test circuits and other equipment as the electrical characterization measurement platform technology, which statistically evaluates electrical characteristics of various semiconductor devices. In this work, random telegraph noise (RTN) of a large number of MOSFETs was measured for each of rectangular and trapezoidal shaped gates, different isolation structures, and buried channel under various drain-to-source voltage (VDS) conditions were analyzed. It was found that RTN is dominated by traps at the minimum gate width in the channel formed under each of the operating VDS conditions. |
| キーワード(和) | ランダムテレグラフノイズ / アレイテスト回路 / MOSトランジスタ / ドレインソース間電圧 / 電気特性計測プラットフォーム |
| キーワード(英) | RTN / Array Test Circuit / MOSFETs / Drain-to-Source Voltage / Electrical Characteristic Measurement Platform |
| 資料番号 | SDM2023-57 |
| 発行日 | 2023-10-06 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2023/10/13(から1日開催) |
| 開催地（和） | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 委員長氏名（和） | 大見 俊一郎(東工大) |
| 委員長氏名（英） | Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 宇佐美 達矢(ラピダス) |
| 副委員長氏名（英） | Tatsuya Usami(Rapidus) |
| 幹事氏名（和） | 諏訪 智之(東北大) / 野田 泰史(パナソニック) |
| 幹事氏名（英） | Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) / Taiji Noda(Panasonic) |
| 幹事補佐氏名（和） | 細井 卓治(関西学院大) / 二瀬 卓也(ウエスタンデジタル) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takuji Hosoi(Kwansei Gakuin Univ.) / Takuya Futase(Western Digital) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］電気特性計測プラットフォームを用いたランダムテレグラフの動作条件依存性の統計的解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] statistical analysis of random telegraphic noise dependence on operating condition using electrical characteristic measurement platform |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ランダムテレグラフノイズ / RTN |
| キーワード(2)（和/英） | アレイテスト回路 / Array Test Circuit |
| キーワード(3)（和/英） | MOSトランジスタ / MOSFETs |
| キーワード(4)（和/英） | ドレインソース間電圧 / Drain-to-Source Voltage |
| キーワード(5)（和/英） | 電気特性計測プラットフォーム / Electrical Characteristic Measurement Platform |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 間脇 武蔵 / Takezo Mawaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 黒田 理人 / Rihito Kuroda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 発表年月日 | 2023-10-13 |
| 資料番号 | SDM2023-57 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | SDM-211 |
| ページ範囲 | pp.21-26(SDM), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2023-10-06 (SDM) |