| 講演名 | 2023-10-13 サファイア基板上への酸化ガリウム薄膜の形成と基礎評価 今泉 文伸(小山高専), 森田 拓海(小山高専), |
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| 抄録(和) | 近年、半導体材料の開発としてワイドバンドギャップの材料開発の重要性が高まっている。特に光デバイスやパワーデバイスの開発が多く行われている。多くの材料の中で、酸化ガリウムはワイドバンドギャップ材料（Eg = 4.4~5.3eV）であり、高耐圧で低損失なパワーデバイスへの応用が期待されている。本研究では、RFスパッタリング法を用いて酸化ガリウム薄膜を形成し、XRDを用いてその基本的な結晶構造について調べた。サファイア基板とLiNbO3基板上に、Ga2O3を成膜し、その配向性のアニール温度依存性について調べた。さらに断面構造について調査に、薄膜の均一性についても評価した |
| 抄録(英) | Recently, the development of wide bandgap semiconductor materials has become increasingly important. In particular, there has been much development of optical and power devices. Gallium oxide in many materials is a wide bandgap material (Eg = 4.4~5.3 eV) and is expected to be applied to power devices with high breakdown voltage and low loss energy. In this study, Gallium oxide thin films were formed by RF sputtering and their basic crystal structures were investigated by XRD. Ga2O3 films were deposited on sapphire and LiNbO3 substrates, and the dependence of the orientation on annealing temperature was investigated. In addition, the cross-sectional structure was investigated and the uniformity of the thin films was evaluated. |
| キーワード(和) | 酸化ガリウム / サファイア基板 |
| キーワード(英) | Gallium Oxide / Sapphire Substrate |
| 資料番号 | SDM2023-59 |
| 発行日 | 2023-10-06 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2023/10/13(から1日開催) |
| 開催地（和） | 東北大学未来情報産業研究館５Ｆ |
| 開催地（英） | Niche, Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 委員長氏名（和） | 大見 俊一郎(東工大) |
| 委員長氏名（英） | Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 宇佐美 達矢(ラピダス) |
| 副委員長氏名（英） | Tatsuya Usami(Rapidus) |
| 幹事氏名（和） | 諏訪 智之(東北大) / 野田 泰史(パナソニック) |
| 幹事氏名（英） | Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) / Taiji Noda(Panasonic) |
| 幹事補佐氏名（和） | 細井 卓治(関西学院大) / 二瀬 卓也(ウエスタンデジタル) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takuji Hosoi(Kwansei Gakuin Univ.) / Takuya Futase(Western Digital) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | サファイア基板上への酸化ガリウム薄膜の形成と基礎評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation and basic evaluation of gallium oxide thin film on sapphire substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化ガリウム / Gallium Oxide |
| キーワード(2)（和/英） | サファイア基板 / Sapphire Substrate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 今泉 文伸 / Fuminobu Imaizumi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 小山工業高等専門学校(略称：小山高専) National Institute of Technology, Oyama College(略称：NIT, Oyama college) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森田 拓海 / Takumi Morita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 小山工業高等専門学校(略称：小山高専) National Institute of Technology, Oyama College(略称：NIT, Oyama college) |
| 発表年月日 | 2023-10-13 |
| 資料番号 | SDM2023-59 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | SDM-211 |
| ページ範囲 | pp.34-39(SDM), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2023-10-06 (SDM) |