講演名 2023-10-20
GaNドハティ増幅器の5G NR TDD信号入力時の DPD補償量および変調帯域幅依存性の評価
矢野 綾乃(湘南工科大), 加保 貴奈(湘南工科大), 坂田 修一(三菱電機), 小松崎 優治(三菱電機), 山中 宏治(三菱電機),
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抄録(和) 4G/5G の周波数をカバーする基地局用 GaN 増幅器を研究している.PXI システムの VST(Vector Transceiver)を用いた測定系を構築し,GaN ドハティ増幅器に 100MHz 幅および 200MHz 幅の 5G NR の TM3.1a の TDD 信号を入力し,デジタルプリディストーション(DPD)の補償特性を調べた.DPD の非線形モデルとしてはメモリ効果を考慮し Generalized Memory Polynomial (GMP)モデルを用いた.隣接チャネル電力比(ACPR)および Error Vector Magnitude(EVM)のモデルパラメタ依存性の測定評価,および時間分解能 10μsec 以下のリアルタイムスペアナを併用し,シンボル毎の EVM 変化を測定した結果について報告する.
抄録(英) We are researching broadband GaN amplifiers for base stations covering 4G/5G frequencies. We built a measurement system using the VST (Vector Transceiver) of the PXI system, 5G NR with 100MHz and 200MHz width for GaN Doherty amplifier TM3.1a TDD signal input, digital predistortion (DPD) compensation characteristics were investigated. As a nonlinear model of DPD, we consider the memory effect and generalized memory polynomial (GMP) model was used. We measured and evaluated the model parameter dependence of Adjacent Channel Power Ratio (ACPR) and Error Vector Magnitude (EVM). We also report the results of measuring the EVM variation for each symbol using a real-time spectrum analyzer with a time resolution of several μsec
キーワード(和) 高出力増幅器 / 広帯域 / GaN / デジタルプリディストーション
キーワード(英) High power amplifier / wideband / GaN / digital predistortion compensation
資料番号 EMCJ2023-58,MW2023-112,EST2023-85
発行日 2023-10-12 (EMCJ, MW, EST)

研究会情報
研究会 MW / EMCJ / EST / IEE-EMC
開催期間 2023/10/19(から2日開催)
開催地(和) 山形大学(米沢市)
開催地(英) Yamagata University
テーマ(和) マイクロ波/電磁界シミュレーション/EMC一般
テーマ(英) Microwave, EM simulation, EMC, etc.
委員長氏名(和) 大久保 賢祐(岡山県立大) / 田島 公博(NTT-AT) / 君島 正幸(アドバンテスト研)
委員長氏名(英) Kensuke Okubo(Okayama Prefectural Univ.) / Kimihiro Tajima(NTT-AT) / Masayuki Kimishima(Advantest)
副委員長氏名(和) 真田 篤志(阪大) / 平井 暁人(三菱電機) / 豊田 啓孝(岡山大) / 阪本 卓也(京大) / 辻 寧英(室蘭工大) / 大寺 康夫(富山県立大学)
副委員長氏名(英) Atsushi Sanada(Osaka Univ.) / Akihito Hirai(Mitsubishi Electric) / Yoshitaka Toyota(Okayama Univ.) / Takuya Sakamoto(Kyoto Univ.) / Yasuhide Tsuji(Muroran Inst. of Tech.) / Yasuo Ohtera(Toyama Prefectural Univ.)
幹事氏名(和) 石川 亮(電通大) / 今井 翔平(村田製作所) / 日景 隆(北大) / 末永 寛(パナソニック) / 坂木 啓司(構造計画研究所) / 安藤 芳晃(電通大)
幹事氏名(英) Ryo Ishikawa(Univ. of Electro-Comm) / Shohei Imai(Murata Manufacturing) / Takashi Hikage(Hokkaido Univ.) / Hiroshi Suenaga(Panasonic) / Keiji Sakaki(Kozo Keikaku Engineering) / Yoshiaki Ando(Univ. of Electro-Comm)
幹事補佐氏名(和) 古市 朋之(東北大) / 片山 光亮(徳山高専) / 緒方 健二(直鞍情報・産業振興協会) / 西本 太樹(パナソニック インダストリー) / 關根 惟敏(静岡大) / 柳田 朋則(アドバンテスト研究所) / 井口 亜希人(室蘭工大)
幹事補佐氏名(英) Tomoyuki Furuichi(Tohoku Univ.) / Kosuke Katayama(NIT Tokuyama College) / Kenji Ogata(ADOX) / Taiki Nishimoto(Panasonic Industry) / Tadatoshi Sekine(Shizuoka Univ.) / Tomonori Yanagida(Advantest) / Akito Iguchi(Muroran Inst. of Tech)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Microwaves / Technical Committee on Electromagnetic Compatibility / Technical Committee on Electronics Simulation Technology / Technical Meeting on Electromagnetic Compatibility
本文の言語 JPN
タイトル(和) GaNドハティ増幅器の5G NR TDD信号入力時の DPD補償量および変調帯域幅依存性の評価
サブタイトル(和)
タイトル(英) Evaluation of DPD Compensation and Modulation Bandwidth Dependence of GaN Doherty Amplifier Using 5G NR TDD Signals
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 高出力増幅器 / High power amplifier
キーワード(2)(和/英) 広帯域 / wideband
キーワード(3)(和/英) GaN / GaN
キーワード(4)(和/英) デジタルプリディストーション / digital predistortion compensation
第 1 著者 氏名(和/英) 矢野 綾乃 / Ayano Yano
第 1 著者 所属(和/英) 湘南工科大学(略称:湘南工科大)
Shonan Institute of Technology(略称:Shonan Inst. Tech.)
第 2 著者 氏名(和/英) 加保 貴奈 / Takana Kaho
第 2 著者 所属(和/英) 湘南工科大学(略称:湘南工科大)
Shonan Institute of Technology(略称:Shonan Inst. Tech.)
第 3 著者 氏名(和/英) 坂田 修一 / Shuichi Sakata
第 3 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社(略称:三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation(略称:Mitsubishi Electric)
第 4 著者 氏名(和/英) 小松崎 優治 / Yuji Komatsuzaki
第 4 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社(略称:三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation(略称:Mitsubishi Electric)
第 5 著者 氏名(和/英) 山中 宏治 / Koji Yamanaka
第 5 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社(略称:三菱電機)
Mitsubishi Electric Corporation(略称:Mitsubishi Electric)
発表年月日 2023-10-20
資料番号 EMCJ2023-58,MW2023-112,EST2023-85
巻番号(vol) vol.123
号番号(no) EMCJ-215,MW-216,EST-217
ページ範囲 pp.119-124(EMCJ), pp.119-124(MW), pp.119-124(EST),
ページ数 6
発行日 2023-10-12 (EMCJ, MW, EST)