| 講演名 | 2023-08-24 ［招待講演］層状六方晶窒化ホウ素上の窒化物半導体成長とその応用 小林 康之(弘前大), 廣木 正伸(NTT), 熊倉 一英(NTT), |
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| 抄録(和) | 六方晶窒化ホウ素(h-BN)は，層間がファンデルワールス力により結合された六方晶系グラファイト構造の層状物質である．我々は，有機金属気相成長(MOVPE)によりサファイア基板上の膜厚3 nmのh-BN層上にGaN系デバイス構造を成長し，そのGaN系デバイス構造がサファイア基板から他の基板に剥離転写できることを実証した．MOVPEと比較して，分子線エピタキシー(MBE)は低温成長が可能であり，原料間の気相反応が生じないためh-BNの原子レベルでの膜厚制御が可能等の利点を有している．本研究では，MOVPEとMBEによるh-BN上のGaN薄膜成長とその応用について報告する． |
| 抄録(英) | We have successfully demonstrated that nitride semiconductors were grown on 3-nm-thick hexagonal boron nitride (h-BN) layer grown on sapphire substrates with metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) and that the h-BN layer enabled us to release the nitride semiconductors from the host sapphire substrates. Here we report on molecular beam epitaxy (MBE) growth of nitride semiconductors on h-BN layers with MBE. |
| キーワード(和) | 六方晶窒化ホウ素 / 窒化物半導体 / 有機金属気相成長 / 分子線エピタキシー |
| キーワード(英) | hexagonal boron nitride / nitride semiconductors / MOVPE / MBE |
| 資料番号 | R2023-24,EMD2023-19,CPM2023-29,OPE2023-68,LQE2023-15 |
| 発行日 | 2023-08-17 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / OPE / CPM / EMD / R |
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| 開催期間 | 2023/8/24(から2日開催) |
| 開催地（和） | 東北大学 電気通信研究所本館 オープンセミナールーム(M153) |
| 開催地（英） | Tohoku university |
| テーマ（和） | 受光素子，変調器，光部品・電子デバイス実装・信頼性，及び一般 |
| テーマ（英） | Photodetectors, Modulators, Optical Electrical device packaging and reliability |
| 委員長氏名（和） | 西村 公佐(KDDI総合研究所) / 荒川 太郎(横浜国大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 上野 貴博(日本工大) / 門田 靖(リコー) |
| 委員長氏名（英） | Kosuke Nishimura(KDDI Research) / Taro Arakawa(Yokohama National Univ.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Takahiro Ueno(Nippon Inst. of Tech.) / Yasushi Kadota(Ricoh) |
| 副委員長氏名（和） | 山口 敦史(金沢工大) / / 寺迫 智昭(愛媛大) / / 岡村 寛之(広島大) |
| 副委員長氏名（英） | Atsushi Yamaguchi(Kanazawa Inst. of Tech.) / / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / / Hiroyuki Okamura(Hiroshima Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 田中 信介(富士通) / 西島 喜明(横浜国大) / 石坂 雄平(関東学院大) / 梅木 毅伺(NTT) / 番場 教子(信州大) / 武山 真弓(北見工大) / 林 優一(奈良先端大) / 天田 友樹(富士通コンポーネント) / 作村 建紀(法政大) / 井上 真二(関西大) |
| 幹事氏名（英） | Shinsuke Tanaka(Fujitsu) / Yoshiaki Nishijima(Yokohama National Univ.) / Yuhei Ishizaka(Kanto Gakuin Univ.) / Takeshi Umeki(NTT) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech) / Yuichi Hayashi(ＮＡＩＳＴ) / Yuki Amada(Fujitsu Component) / Takenori Sakumura(Hosei Univ.) / Shinji Inoue(Kansai Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 望月 敬太(三菱電機) / 藤澤 剛(北大) / 那須 秀行(古河電工) / 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 萓野 良樹(電通大) / 福田 直紀(帝京大) / 横川 慎二(電通大) / 吉川 隆英(富士通研) / 太田 修平(神奈川大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Keita Mochiduki(Yokohama National Univ.) / Takshi Fujisawa(Hokaido Univ.) / Hideyuki Nasu(Furukawa Electric) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Yoshiki Kayano(Univ. of Electro-Comm.) / Naoki Fukuda(Teikyo Univ.) / Shinji Yokogawa(Univ. of Electro-Comm.) / Takahide Yoshikawa(Fujitsu Lab.) / Shuhei Ota(Kanagawa Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on OptoElectronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electromechanical Devices / Technical Committee on Reliability |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］層状六方晶窒化ホウ素上の窒化物半導体成長とその応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Growth and applications of nitride semiconductors on layered hexagonal boron nitride |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 六方晶窒化ホウ素 / hexagonal boron nitride |
| キーワード(2)（和/英） | 窒化物半導体 / nitride semiconductors |
| キーワード(3)（和/英） | 有機金属気相成長 / MOVPE |
| キーワード(4)（和/英） | 分子線エピタキシー / MBE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小林 康之 / Yasuyuki Kobayashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 廣木 正伸 / Masanobu Hiroki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所(略称：NTT) NTT Basic Research Laboratories(略称：NTT Basic Research Lab.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 熊倉 一英 / Kazuhide Kumakura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTT物性科学基礎研究所(略称：NTT) NTT Basic Research Laboratories(略称：NTT Basic Research Lab.) |
| 発表年月日 | 2023-08-24 |
| 資料番号 | R2023-24,EMD2023-19,CPM2023-29,OPE2023-68,LQE2023-15 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | R-158,EMD-159,CPM-160,OPE-161,LQE-162 |
| ページ範囲 | pp.42-44(R), pp.42-44(EMD), pp.42-44(CPM), pp.42-44(OPE), pp.42-44(LQE), |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2023-08-17 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |