講演名 2023-08-25
[招待講演]InPチップ/SOIウェハ接合技術を用いた集積光デバイスの進展と今後の展望
八木 英樹(光電子融合基盤技研), 西山 伸彦(東工大), 藤原 直樹(光電子融合基盤技研), 柳沢 昌輝(光電子融合基盤技研),
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抄録(和) Beyond 5 G・6 Gといったワイヤレス通信技術の進展に伴い, 通信量が増大し, 2030年代には一つのトランシーバに要求されるデータレートが10 Tbpsを超えると予想されている.一方, 光通信システムを支えてきた単一材料光デバイスにおいては, 10 Tbps級のデータ伝送に向けた広帯域化と低消費電力化の両立に限界が見え始めており, 技術的なブレークスルーが求められている.その中で, 光通信に広く利用されてきたIII-V族化合物半導体とシリコンフォトニクスのそれぞれの利点を組み合わせた異種材料集積光デバイスは, その有望なアプローチの一つとして期待されている.本稿では異種材料集積技術として, InPチップ/SOIウェハ接合技術を用いた集積光デバイスのこれまでの進展と今後の展望について議論する.
抄録(英) The development of beyond fifth-generation (5G) and sixth-generation (6G) mobile communication systems is accelerating the increase of data traffic, and it is anticipated that a data rate of more than 10 Tbps will be required in one transceiver by 2030. On the other hand, conventional single-material photonic devices supporting optical communication systems seem to have limitations to achieve both high-speed operation and low power dissipation towards 10 Tbps-class data transmission. To overcome this technical challenge, heterogeneous integration which combines the advantages of III-V compound semiconductors and silicon photonics is expected as one of promising approaches. This paper discusses about the progress and future prospect of photonic integrated devices using InP chip/SOI wafer bonding technique.
キーワード(和) 異種材料集積 / チップ/ウェハ直接接合 / InP / シリコンフォトニクス / 波長可変レーザ
キーワード(英) Heterogeneous integration / Chip-on-wafer direct bonding / InP / Silicon photonics / Wavelength tunable lasers
資料番号 R2023-28,EMD2023-23,CPM2023-33,OPE2023-72,LQE2023-19
発行日 2023-08-17 (R, EMD, CPM, OPE, LQE)

研究会情報
研究会 LQE / OPE / CPM / EMD / R
開催期間 2023/8/24(から2日開催)
開催地(和) 東北大学 電気通信研究所本館 オープンセミナールーム(M153)
開催地(英) Tohoku university
テーマ(和) 受光素子,変調器,光部品・電子デバイス実装・信頼性,及び一般
テーマ(英) Photodetectors, Modulators, Optical Electrical device packaging and reliability
委員長氏名(和) 西村 公佐(KDDI総合研究所) / 荒川 太郎(横浜国大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 上野 貴博(日本工大) / 門田 靖(リコー)
委員長氏名(英) Kosuke Nishimura(KDDI Research) / Taro Arakawa(Yokohama National Univ.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Takahiro Ueno(Nippon Inst. of Tech.) / Yasushi Kadota(Ricoh)
副委員長氏名(和) 山口 敦史(金沢工大) / / 寺迫 智昭(愛媛大) / / 岡村 寛之(広島大)
副委員長氏名(英) Atsushi Yamaguchi(Kanazawa Inst. of Tech.) / / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / / Hiroyuki Okamura(Hiroshima Univ.)
幹事氏名(和) 田中 信介(富士通) / 西島 喜明(横浜国大) / 石坂 雄平(関東学院大) / 梅木 毅伺(NTT) / 番場 教子(信州大) / 武山 真弓(北見工大) / 林 優一(奈良先端大) / 天田 友樹(富士通コンポーネント) / 作村 建紀(法政大) / 井上 真二(関西大)
幹事氏名(英) Shinsuke Tanaka(Fujitsu) / Yoshiaki Nishijima(Yokohama National Univ.) / Yuhei Ishizaka(Kanto Gakuin Univ.) / Takeshi Umeki(NTT) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech) / Yuichi Hayashi(NAIST) / Yuki Amada(Fujitsu Component) / Takenori Sakumura(Hosei Univ.) / Shinji Inoue(Kansai Univ.)
幹事補佐氏名(和) 望月 敬太(三菱電機) / 藤澤 剛(北大) / 那須 秀行(古河電工) / 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 萓野 良樹(電通大) / 福田 直紀(帝京大) / 横川 慎二(電通大) / 吉川 隆英(富士通研) / 太田 修平(神奈川大)
幹事補佐氏名(英) Keita Mochiduki(Yokohama National Univ.) / Takshi Fujisawa(Hokaido Univ.) / Hideyuki Nasu(Furukawa Electric) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Yoshiki Kayano(Univ. of Electro-Comm.) / Naoki Fukuda(Teikyo Univ.) / Shinji Yokogawa(Univ. of Electro-Comm.) / Takahide Yoshikawa(Fujitsu Lab.) / Shuhei Ota(Kanagawa Univ.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on OptoElectronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electromechanical Devices / Technical Committee on Reliability
本文の言語 JPN
タイトル(和) [招待講演]InPチップ/SOIウェハ接合技術を用いた集積光デバイスの進展と今後の展望
サブタイトル(和)
タイトル(英) [Invited Talk] Progress and Future Prospect of Photonic Integrated Devices using InP Chip/SOI Wafer Bonding Technique
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 異種材料集積 / Heterogeneous integration
キーワード(2)(和/英) チップ/ウェハ直接接合 / Chip-on-wafer direct bonding
キーワード(3)(和/英) InP / InP
キーワード(4)(和/英) シリコンフォトニクス / Silicon photonics
キーワード(5)(和/英) 波長可変レーザ / Wavelength tunable lasers
第 1 著者 氏名(和/英) 八木 英樹 / Hideki Yagi
第 1 著者 所属(和/英) 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(略称:光電子融合基盤技研)
Photonics Electronics Technology Research Association(略称:PETRA)
第 2 著者 氏名(和/英) 西山 伸彦 / Nobuhiko Nishiyama
第 2 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
第 3 著者 氏名(和/英) 藤原 直樹 / Naoki Fujiwara
第 3 著者 所属(和/英) 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(略称:光電子融合基盤技研)
Photonics Electronics Technology Research Association(略称:PETRA)
第 4 著者 氏名(和/英) 柳沢 昌輝 / Masaki Yanagisawa
第 4 著者 所属(和/英) 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所(略称:光電子融合基盤技研)
Photonics Electronics Technology Research Association(略称:PETRA)
発表年月日 2023-08-25
資料番号 R2023-28,EMD2023-23,CPM2023-33,OPE2023-72,LQE2023-19
巻番号(vol) vol.123
号番号(no) R-158,EMD-159,CPM-160,OPE-161,LQE-162
ページ範囲 pp.59-62(R), pp.59-62(EMD), pp.59-62(CPM), pp.59-62(OPE), pp.59-62(LQE),
ページ数 4
発行日 2023-08-17 (R, EMD, CPM, OPE, LQE)