| 講演名 | 2023-05-19 極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製と評価 加藤 一朗(名工大), 久保 俊晴(名工大), 三好 実人(名工大), 江川 孝志(名工大), |
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| 抄録(和) | グラフェンをFETとして用いるには絶縁基板への転写が必要であり、その過程でグラフェンに欠陥が導入されてしまう可能性がある。金属触媒を凝集させる技術を用いることで転写フリーグラフェンを絶縁基板上に形成できることを報告する。これまでに転写フリーグラフェンを用いたFETを作製し、ゲート電圧によるドレイン電流の変調を確認した。さらに、予め形成した金属Niパターンを用いて金属凝集をコントロールすることで、グラフェン成膜とデバイスパターン形成を同時に進められること、および金属Niパターン近傍に数層のグラフェンが形成されることを確認した。本研究では、EB露光および基板加熱Ni蒸着によるサブミクロン間隔のNiパターン作製、および転写フリーグラフェンを用いたFETの作製を試み、ゲート電圧によるドレイン電流の変調を確認することができた。 |
| 抄録(英) | Using graphene as a FET requires transferring it to an insulating substrate, and defects may be introduced in the graphene in the process. We report that transfer-free graphene can be formed on insulating substrates by using a metal catalyst aggregation technique. In previous studies, we fabricated FETs with transfer-free graphene and observed drain current modulations by applied gate voltages. Furthermore, we confirmed that graphene deposition and device pattern formation can proceed simultaneously by controlling metal aggregation using pre-formed metal Ni patterns, and that several layers of graphene are formed in the vicinity of metal Ni patterns. In this study, we attempted to form Ni patterns with submicron spacing by EB lithography and substrate-heated Ni deposition, and FETs using transfer-free graphene were fabricated. We could confirm the drain current modulations by applied gate voltages. |
| キーワード(和) | グラフェン / FET / 金属凝集法 |
| キーワード(英) | Graphene / FET / The metal agglomeration technique |
| 資料番号 | ED2023-5,CPM2023-5,SDM2023-22 |
| 発行日 | 2023-05-12 (ED, CPM, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM / ED / SDM |
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| 開催期間 | 2023/5/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | 名古屋工大 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 中村 雄一(豊橋技科大) / 藤代 博記(東京理科大) / 大見 俊一郎(東工大) |
| 委員長氏名（英） | Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) / Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 中澤 日出樹(弘前大) / 葛西 誠也(北大) / 宇佐美 達矢(日本エーエスエム) |
| 副委員長氏名（英） | Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / Tatsuya Usami(ASM Japan) |
| 幹事氏名（和） | 寺迫 智昭(愛媛大) / 武山 真弓(北見工大) / 大石 敏之(佐賀大) / 堤 卓也(NTT) / 諏訪 智之(東北大) / 野田 泰史(パナソニック) |
| 幹事氏名（英） | Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Takuya Tsutsumi(NTT) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) / Taiji Noda(Panasonic) |
| 幹事補佐氏名（和） | 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 番場 教子(信州大) / 小山 政俊(阪工大) / 山本 佳嗣(三菱電機) / 細井 卓治(関西学院大) / 二瀬 卓也(サンディスク) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) / Masatoshi Koyama(Osaka Inst. of Tech.) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / Takuji Hosoi(Kwansei Gakuin Univ.) / Takuya Futase(SanDisk) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 極微細構造を有するNiパターンの凝集現象を用いたサファイア基板上転写フリーグラフェンFETの作製と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and evaluation of transfer-free graphene FETs on sapphire substrates using agglomeration phenomenon of Ni patterns with ultra-fine structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | グラフェン / Graphene |
| キーワード(2)（和/英） | FET / FET |
| キーワード(3)（和/英） | 金属凝集法 / The metal agglomeration technique |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 加藤 一朗 / Ichiro Kato |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 久保 俊晴 / Toshiharu Kubo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三好 実人 / Makoto Miyoshi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. of Tech.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi Egawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. of Tech.) |
| 発表年月日 | 2023-05-19 |
| 資料番号 | ED2023-5,CPM2023-5,SDM2023-22 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | ED-41,CPM-42,SDM-43 |
| ページ範囲 | pp.20-23(ED), pp.20-23(CPM), pp.20-23(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-05-12 (ED, CPM, SDM) |