| 講演名 | 2023-05-19 n型GaN基板上に形成されたp型GaN層に対する低損傷光電気化学エッチングとその電気化学的評価 髙津 海(北大), 久保 広太(北大), 佐藤 威友(北大), |
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| 抄録(和) | 意図的にダメージを与えたp-GaN表面に対する光電気化学（PEC）エッチングの効果を調査した．n-GaN基板上に形成されたp-GaN層に対する電気化学的容量—電圧（C−V）特性は，電解液/p-GaN界面（Schottky界面）とpn接合界面の面積比に依存して変化し，それら接合容量の直列分圧による補正が必要であることを示した．誘導結合型反応性イオンエッチング（ICP-RIE）加工により表面にダメージが残留したp-GaN試料に対して，電気化学的C−V測定を行った結果，表面アクセプタ密度（NA-ND）が低下しSchottky界面の拡散電位（Vbi）が増大した．この試料にPECエッチングを10nm行ったところ，NA-NDおよびVbiはいずれもAs grownの特性に近づき，表面ダメージが除去される様子が確認された． |
| 抄録(英) | The effect of photoelectrochemical (PEC) etching on intentionally damaged p-GaN surfaces was investigated. The electrochemical capacitance-voltage (C−V) characteristics for p-GaN layers grown on n-GaN substrates varied with the area ratio of the electrolyte/p-GaN interface (Schottky interface) to the p-n junction interface, indicating that a series voltage division correction was necessary. Electrochemical C−V measurements confirmed that the surface acceptor density (NA-ND) decreases and the built-in potential (Vbi) at the Schottky interface increases for p-GaN samples with residual surface damage from inductively coupled reactive ion etching (ICP-RIE). After 10 nm PEC etching of the sample, both NA-ND and Vbi approached to the As-grown values, confirming the removal of surface damage. |
| キーワード(和) | 窒化物半導体 / 光電気化学エッチング / 電気化学的評価 |
| キーワード(英) | nitride semiconductors / photoelectrochemical etching / electrochemical characterization |
| 資料番号 | ED2023-7,CPM2023-7,SDM2023-24 |
| 発行日 | 2023-05-12 (ED, CPM, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM / ED / SDM |
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| 開催期間 | 2023/5/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | 名古屋工大 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 中村 雄一(豊橋技科大) / 藤代 博記(東京理科大) / 大見 俊一郎(東工大) |
| 委員長氏名（英） | Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) / Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 中澤 日出樹(弘前大) / 葛西 誠也(北大) / 宇佐美 達矢(日本エーエスエム) |
| 副委員長氏名（英） | Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / Tatsuya Usami(ASM Japan) |
| 幹事氏名（和） | 寺迫 智昭(愛媛大) / 武山 真弓(北見工大) / 大石 敏之(佐賀大) / 堤 卓也(NTT) / 諏訪 智之(東北大) / 野田 泰史(パナソニック) |
| 幹事氏名（英） | Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech) / Toshiyuki Oishi(Saga Univ.) / Takuya Tsutsumi(NTT) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) / Taiji Noda(Panasonic) |
| 幹事補佐氏名（和） | 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 番場 教子(信州大) / 小山 政俊(阪工大) / 山本 佳嗣(三菱電機) / 細井 卓治(関西学院大) / 二瀬 卓也(サンディスク) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) / Masatoshi Koyama(Osaka Inst. of Tech.) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / Takuji Hosoi(Kwansei Gakuin Univ.) / Takuya Futase(SanDisk) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | n型GaN基板上に形成されたp型GaN層に対する低損傷光電気化学エッチングとその電気化学的評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-damage photo-electrochemical etching and electrochemical characterization of p-GaN layers grown on n-GaN substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化物半導体 / nitride semiconductors |
| キーワード(2)（和/英） | 光電気化学エッチング / photoelectrochemical etching |
| キーワード(3)（和/英） | 電気化学的評価 / electrochemical characterization |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 髙津 海 / Umi Takatsu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学(略称：北大) Hokkaido University(略称：Hokkaido Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 久保 広太 / Kouta Kubo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学(略称：北大) Hokkaido University(略称：Hokkaido Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐藤 威友 / Taketomo Sato |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学(略称：北大) Hokkaido University(略称：Hokkaido Univ.) |
| 発表年月日 | 2023-05-19 |
| 資料番号 | ED2023-7,CPM2023-7,SDM2023-24 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | ED-41,CPM-42,SDM-43 |
| ページ範囲 | pp.28-31(ED), pp.28-31(CPM), pp.28-31(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2023-05-12 (ED, CPM, SDM) |