| 講演名 | 2023-04-22 絶縁膜上におけるSn添加Ge薄膜の固相成長とTFT応用 古賀 泰志郎(九大), 永野 貴弥(九大), 茂藤 健太(九大), 山本 圭介(九大), 佐道 泰造(九大), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 高性能システムインディスプレイの実現には，高速薄膜トランジスタ(TFT)の創出が必須である．このためSiより高いキャリア移動度を有するGeが注目されている．しかし従来法で形成したGe薄膜では，膜厚の減少に伴ってキャリア移動度が低下する課題がある，極薄Ge膜の移動度向上を目指し，Sn添加Ge薄膜の界面変調型固相成長法を開発した．この手法により，高キャリア移動度(~100 cm2/Vs)を有する極薄Ge膜(20 nm)が実現する． |
| 抄録(英) | High-speed thin-film transistors (TFTs) are required to realize advanced system-in-displays. For this purpose, Ge is attractive due to its higher carrier mobility compared with Si. However, the carrier mobility of Ge films obtained by conventional growth processes decrease with decreasing thickness. To increase the carrier mobilities of ultrathin Ge films, a novel growth technique, i.e., interface-modulated solid-phase crystallization, of Sn-doped Ge has been developed. This achieves high carrier mobility (~100 cm2/Vs) of ultrathin films (20 nm) on insulators. |
| キーワード(和) | Ge / 固相成長 / 薄膜トランジスタ |
| キーワード(英) | Ge / Solid-Phase Crystallization / Thin-Film Transistor |
| 資料番号 | SDM2023-7,OME2023-7 |
| 発行日 | 2023-04-14 (SDM, OME) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM / OME |
|---|---|
| 開催期間 | 2023/4/21(から2日開催) |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawaken Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・バイオテクノロジー・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Thin film devices (Si, compound, organic, flexible), Biotechnology, Materials, Characterization, etc. |
| 委員長氏名（和） | 大見 俊一郎(東工大) / 山田 俊樹(NICT) |
| 委員長氏名（英） | Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) / Toshiki Yamada(NICT) |
| 副委員長氏名（和） | 宇佐美 達矢(日本エーエスエム) / 伊東 栄次(信州大学) |
| 副委員長氏名（英） | Tatsuya Usami(ASM Japan) / Eiji Itoh(Shinshu Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 諏訪 智之(東北大) / 野田 泰史(パナソニック) / 梶井 博武(阪大) / 嘉治 寿彦(東京農工大) |
| 幹事氏名（英） | Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) / Taiji Noda(Panasonic) / Hirotake Kajii(Osaka Univ.) / Toshihiko Kaji(Tokyo Univ. of Agriculture and Tech.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 細井 卓治(関西学院大) / 二瀬 卓也(サンディスク) / 清家 善之(愛知工大) / 馬場 暁(新潟大学) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takuji Hosoi(Kwansei Gakuin Univ.) / Takuya Futase(SanDisk) / Yoshiyuki Seike(Aichi Inst. of Tech.) / Akira Baba(Niigata Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Organic Molecular Electronics |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 絶縁膜上におけるSn添加Ge薄膜の固相成長とTFT応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Solid-phase crystallization of Sn-doped Ge films on insulator and its application to TFT |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ge / Ge |
| キーワード(2)（和/英） | 固相成長 / Solid-Phase Crystallization |
| キーワード(3)（和/英） | 薄膜トランジスタ / Thin-Film Transistor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 古賀 泰志郎 / Taishiro Koga |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州大学(略称：九大) Kyushu University(略称：Kyushu Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 永野 貴弥 / Takaya Nagano |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州大学(略称：九大) Kyushu University(略称：Kyushu Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 茂藤 健太 / Kenta Moto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州大学(略称：九大) Kyushu University(略称：Kyushu Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山本 圭介 / Keisuke Yamamoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 九州大学(略称：九大) Kyushu University(略称：Kyushu Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佐道 泰造 / Taizoh Sadoh |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 九州大学(略称：九大) Kyushu University(略称：Kyushu Univ.) |
| 発表年月日 | 2023-04-22 |
| 資料番号 | SDM2023-7,OME2023-7 |
| 巻番号（vol） | vol.123 |
| 号番号（no） | SDM-8,OME-9 |
| ページ範囲 | pp.27-29(SDM), pp.27-29(OME), |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2023-04-14 (SDM, OME) |